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CGD、群光電能與劍橋大學共組GaN生態系統 開發先進高功率方案 (2023.11.06)
英商劍橋氮化鎵元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家專注於研發高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日與台灣的電力電子系統整合方案供應商群光電能（Chicony Power Technology）、英國劍橋大學技術服務部（CUTS）簽署一項三方協議 |
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CGD的GaN單晶片 獲台積電歐洲創新區最佳展示獎 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系統單晶片 (SoC) 在台積電( TSMC) 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲「最佳展示」獎。
CGD是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能GaN型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件 |
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CGD推出ICeGaN 650 V氮化鎵HEMT系列產品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化鎵 HEMT 系列產品，提供領先業界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 採用 CGD 的智慧閘極介面，幾乎消除一般 E 模式 GaN 的各種弱點，大幅加強過電壓耐用性、提供更高的抗雜訊閾值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保護效果 |
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CGD開發GaN高能效功率裝置 協助打造環保電子產品 (2023.04.10)
無晶圓廠無塵技術半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化鎵 （GaN）開發出多款高能效功率裝置，協助打造出更為環保的電子產品；CGD 宣布由學術研究機構維吉尼亞理工大學進行的獨立第三方研究表現，CGD 的 ICeGaN氮化鎵技術較其他氮化鎵平台更具可靠性及堅固性 |
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Cambridge GaN Devices 融資擴大功率半導體裝置市場 (2022.11.22)
無晶圓廠半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD），於2016年從英國劍橋大學工程系著名的功率裝置集團分割出來，已募集1900萬美元的Series B資金。此投資案由Parkwalk Advisors和BGF領投，另有IQ Capital、CIC、Foresight Williams Technology 和 Martlet Capital 跟投 |
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SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估 (2020.08.18)
本文透過模擬雪崩事件，進行非鉗位元感性負載開關測試，並使用不同的SiC MOSFET元件，依照不同的測試條件，評估技術的失效能量和魯棒性。 |
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ROHM發表第4代低導通電阻SiC MOSFET (2020.06.17)
半導體製造商ROHM推出「1200V 第4代SiC MOSFET」，適合用於動力逆變器等車電動力總成系統和工控裝置電源。
對於功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間就會縮短，兩者之間存在著權衡關係，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，也必須同時考慮如何兼顧短路耐受時間 |
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是德科技推出用於電力電路設計的 功率元件電容分析儀 (2014.08.12)
是德科技（Keysight Technologies Inc.）日前宣佈推出一款能夠在實際操作電壓下自動測試功率元件接面電容的功率元件電容分析儀。
隨著使用碳化矽（SiC）和氮化?（GaN）等新材料製成的功率元件不斷問世，切換式電源供應器現在必須在更高的頻率下運作，因而突顯出準確執行元件電容特性分析的重要性 |
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利用低端柵極驅動器IC進行設計 (2008.09.04)
利用低端柵極驅動器IC可以簡化開關電源轉換器的設計，但這些IC必須正確運用才能充分發揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。本文闡釋了利用這類器件進行設計時應注意的幾個重要方面─即如何根據額定電流和功能來選擇適當的驅動器；驅動器周圍需要哪些補償元件；以及如何確定熱性能，包括損耗計算和結溫估算 |
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廣穎電通推出DDR2 800 ECC Unbuffered DIMM (2008.07.09)
國內快閃記憶體廠商廣穎電通（Silicon Power）宣佈推出DDR2 800 ECC Unbuffered DIMM記憶體模組2GB。廣穎電通DDR2 800 ECC Unbuffered DIMM 2GB記憶體模組使用先進FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）球型陣列封裝顆粒，加強了電力與熱感特性，提供良好的散熱性能 |
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降壓切換式電源轉換器設計與驗證 (2006.12.03)
本文將透過降壓式電源轉換器的基本電路，說明降壓切換式電源轉換器設計與驗證，以使設計人員能實驗實務的設計並提升效能。最後並將所有資訊應用在實際電路上，藉以驗證相關數據 |
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同步降壓轉換器中的 Shoot-through 現象 (2003.05.05)
同步降壓轉換器被廣泛應用在CPU、晶片組、週邊等，提供針對“工作點”的高電流、低電壓供電，其電路中的短路現象極難測量，而其可能造成振盪加劇、效率降低、MOSFET溫度升高及EMI增大等問題 |
