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CML Micro购并厂商MwT 扩大通讯市场布局 (2024.01.23)
CML Micro宣布已购并位於美国加州的单晶微波积体电路(MMIC)和毫米波(mmWave)厂商MwT。此次购并将CML Micro和MwT各自优势整合资源和团队,扩张後公司定位在新兴市场技术前沿,为无线通讯提供更广泛、更深入RF 和mmWave产品组合
USB供电5.8 GHz RF LNA具有输出电源保护 (2023.09.14)
本文叙述USB供电5.8 GHz RF LNA具有输出电源保护的性质,以及运作时的电路功能变化与优势。
Microchip扩大氮化镓(GaN)射频功率元件产品组合 (2021.12.02)
Microchip今日宣布扩大其氮化镓(GaN)射频(RF)功率元件产品组合,推出频率最高可达20 GHz的新款单晶微波积体电路(MMIC)和分离电晶体。这些元件同时具备高功率附加效率(PAE)和高线性度,为5G、电子作战、卫星通讯、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的效能水准
Microchip推出卫星通讯终端高线性度Ka波段MMIC (2021.06.22)
卫星通讯系统使用复杂的调变方案,以实现极快的资料速率以用于传递视讯和宽频资料。因此,它们必须具备高射频输出功率,同时确保讯号能保持其理想的特性。 Microchip Technology Inc.今日宣布推出新型GMICP2731-10 GaN MMIC功率放大器,能在不影响射频功率或讯号准确度的情况下充分满足上述要求
贸泽上架ADI GaAs ADMV10x转换器 (2018.06.05)
贸泽电子即日起开始供应Analog Devices的ADMV10x转换器,这些单石微波积体电路 (MMIC) 出自ADI最新的RF升/降频转频器系列,由砷化?? (GaAs) 制成,可为设计人员提供高效能、高品质且封装尺寸小巧方便的产品,以使用在各种音讯和视讯资料传输应用上
美高森美推出新系列宽频塑胶封装和MMIC器件 (2017.07.05)
美高森美公司(Microsemi Corporation,MSCC) 推出新系列宽频塑胶封装和单片微波积体电路(MMIC)器件。新产品扩充了不断增长的高性能宽频MMIC产品组合,包括四个塑胶封装低杂讯放大器(LNA)MMA040PP5、MMA041PP5、MMA043PP4和MMA044PP3;一个宽频功率放大器(PA)晶片MMA053AA;以及两个塑胶封装开关MMS006PP3和MMS008PP3
ADI推出2-50 GHz分布式功率放大器 (2015.07.15)
全球高效能半导体讯号处理解决方案厂商亚德诺半导体(ADI)推出HMC1127与HMC1126 MMIC(单晶微波积体电路)分布式功率放大器。这些新型功率放大器裸晶(die)涵盖2-50 GHz频率范围,可简化系统设计和提高性能,频段之间无需射频开关
Ku波段InGaP-GaAs HBT的单片压控振荡器和微分拓扑与平衡-Ku波段InGaP-GaAs HBT的单片压控振荡器和微分拓扑与平衡 (2010.12.09)
Ku波段InGaP-GaAs HBT的单片压控振荡器和微分拓扑与平衡
GaAs基表面贴装晶圆级封装MMIC产品为DC至45 GHz应用白皮书-GaAs基表面贴装晶圆级封装MMIC产品为DC至45 GHz应用白皮书 (2010.08.24)
GaAs基表面贴装晶圆级封装MMIC产品为DC至45 GHz应用白皮书
Avago推出推出创新平坦增益高线性度增益模块 (2009.06.15)
Avago Technologies(安华高科技)宣布,推出一款可以做为宽带增益模块(gain block)或驱动放大器MMIC的创新平坦增益高线性度低噪声增益模块产品,采用业界标准SOT-89包装,尺寸为4
WCDMA HBT功率放大器模块 (2007.10.08)
本文介绍一款在3mmx5mm2的紧凑型封装中、整合有GaAs HBT MMIC PA和Si BiCMOS DC电源管理IC的WCDMA功率放大器模块。这种多合一的方案适用于手机应用。它采用一种死循环控制DC-DC降压转换器,让电源管理IC能够自适应优化PA集极电压,可当作输出功率函数,从而降低后移工作的耗电量
砷化镓的磊晶技术与应用市场 (2007.04.04)
砷化镓早年主要是应用于国防太空工业,以及高速电脑元件、高频测量仪器等特定应用领域。随着冷战时代的结束、军事管制的解除及个人通讯的快速发展,以微波频率为主的无线通讯已可广泛用于个人通讯、卫星通讯及光纤通讯等民生用途上
毫米波点燃台湾无线通信产业新希望 (2005.02.01)
无线通信技术在所谓“数字家庭”的愿景中扮演了一个重要角色;如何让各种数字设备摆脱电线的纠缠、让用户能更无居无束享受影音娱乐,成为当前无线通信科技发展的一大重点
快捷半导体推出小型3x3 mm封装射频功率放大器 (2004.09.17)
快捷半导体 (Fairchild Semiconductor) 推出RMPA0965型号射频 (RF) 功率放大器,专为824-849 MHz频段的CDMA2000-1X应用而优化,可符合当今快速变化的手机要求。RMPA0965具有单一正电源运作、低功耗和关闭模式,在平均输出功率为 +28 dBm的情况下提供40% 的CDMA工作模式效率
高频放大器测试探微 (2003.10.05)
放大器是一个电子元件,主要功能是将输入信号的功率放大而保存其原有之基本特性,在通讯系统中,放大器扮演着通讯链结成功与否的关键角色。本文将介绍双端口高频放大器及平衡式高频放大器的特性参数及测试方法
射频系统整合与测试之挑战 (2003.01.05)
射频(RF)系统随着手机、无线网络等通讯技术的普及化,已经在人们的日常生活中随时可见,而由于无线通信产品日益轻薄短小的需求已成趋势,RF芯片也朝向SoC的设计方向发展;本文将深入探讨RF系统芯片在设计整合、功能测试上所面临的挑战,以及相关技术的现况与未来发展
功率放大器(PA)之封装发展趋势 (2002.09.05)
大部分的移动电话在射频系统电路使用三颗IC,包括一颗整合的射频讯号接收与发射器芯片、一颗IF组件和一颗RF功率放大器。除了IC之外,还包括上百颗被动组件和分离式组件,占了手机的大部份空间,所以如何将这些被动组件整合是业者努力的方向
「网络无所不在」的科技推手 (2002.06.05)
「硅谷」,站在全球科技创新的顶点,许多公司立足于此,而营销遍及全球,与台湾这半导体重镇,更有深厚的合作关系。本刊日前受邀参加「亚洲电子产业媒体硅谷采访团」,由笔者与多位他国记者共同深入探访了九家硅谷科技战将,不论是技术实力、定位或趋势观察,都有值得我们借镜之处
走向IC化还是模块化? (2002.03.05)
模块化是简化射频电路理想的发展方向,系统级封装SiP更可能进一步争夺SoC的市场。而射频电路发展SoC的关键还在于半导体制程的进步上,目前SiGe 制程的突破宛如黑暗中一线曙光,为射频电路IC化带来新希望
磷化铟镓InGaP HBTs 元件的可靠性讨论 (2001.12.05)
随着无线通信的发展,仿佛无穷尽地在探索 「体积小、性能好、价格便宜」的特性, 这股动力不断地驱动着设备制造商及其供应商朝这共同的目标迈进。以砷化镓 (GaAs) 为基础的异质介面双极电晶体 (HBT) 技术涵含盖了上述的三个特性,并持续地对特定应用提供绝佳的解决方案


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