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英飛凌推出 HybridPACK Drive G2 適用於新型汽車功率模組 (2023.05.11)
英飛凌科技股份有限公司近日推出一款新型汽車功率模組—HybridPACK Drive G2。該模組承襲了成熟的HybridPACK Drive G1整合B6封裝概念,在相同尺寸下提供可擴展性,並擴展至更高的功率和易用性
半導體產業如何推動「綠色低碳」之目標? (2023.03.30)
碳達峰、碳中和已經成為全球關注的話題。半導體技術的發展是打造綠色低碳社會的重要動力。同時,半導體產業亦積極邁向綠化與低碳化,是碳中和策略目標的積極實踐者
瑞薩推出新一代用於電動汽車逆變器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發新一代矽絕緣柵雙極電晶體(Si-IGBT),以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車(EV)逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半年開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和300毫米產線上生產
GaN將在資料伺服器中挑起效率大樑 (2022.08.26)
GaN具有獨特的優勢,提供卓越的性能和效率,並徹底改變數據中心的配電和轉換、節能、減少對冷卻系統的需求,並最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。
PI推出符合汽車產業標準的IGBT/SiC模組驅動器系列 (2022.05.10)
Power Integrations推出SCALE EV 該驅動器適用於原創、再製和新型 SiC 變體,適用目標為電動車輛、混合動力和燃料電池車輛 (包括公車和卡車) 以及建築、採礦和農業設備的大功率汽車和牽引變頻器
Microchip推出耐固性最強的碳化矽功率解決方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分離元件和電源模組。 Microchip的1700V碳化矽技術是矽IGBT的替代產品
2020年汽車電子行業趨勢 (2020.06.12)
交通應用將在2020年持續轉型。在汽車市場,電動汽車的採用和主動安全性仍加速推動功率半導體和感測器業務的強勁增長。
英飛凌CoolSiC 肖特基二極體 1200 V G5 系列增添新封裝 (2019.06.19)
英飛凌科技擴充 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體系列,新增TO247-2 封裝產品,可取代矽二極體並提供更高的效率。擴大的 8.7 mm 沿面與空間距離可為高污染環境提供額外的安全性
大聯大品佳集團推出英飛凌1200 V碳化矽MOSFET技術 (2018.04.17)
致力於亞太區市場的領先零組件通路商大聯大控股今日宣佈,旗下品佳集團將推出英飛凌(Infineon)1200 V碳化矽MOSFET技術。 此次推出的新技術可提升產品設計的功率密度和效能表現,並有助電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱需求,進一步提升可靠性和降低系統成本
美高森美瞄準工業和汽車市場推出新型SiC MOSFET和SiC SBD (2018.03.01)
美高森美公司(Microsemi Corporation)宣佈提供下一代1200V 碳化矽(SiC) MOSFET系列的首款產品 40 mOhm MSC040SMA120B器件,以及與之配合的1200 V SiC蕭特基阻障二極體(SBD),進一步擴大旗下日益增長的 SiC 離散器件和模組產品組合
英飛凌全SiC模組開始量產 (2017.09.01)
更高效率、功率密度、更精巧的尺寸和更低的系統成本:這些都是碳化矽 (SiC) 電晶體的主要優點。英飛凌科技(Infineon) 於去年PCIM展會發表的全SiC模組EASY 1B產品進入量產。在今年德國紐倫堡PCIM展會上,英飛凌展示了其他1200 V CoolSiC MOSFET系列的模組平台和拓樸,將碳化矽技術的潛力發揮到全新境界
Littelfuse將於2016年PCIM Europe展示市場應用解決方案 (2016.05.10)
全球電路保護領域的企業 Littelfuse公司,將出席2016年5月10-12日在德國紐倫堡舉行的2016年PCIM Europe展。該展會是展示電力電子領域最新發展的世界盛會之一。 本次展會上,Littelfuse將在7-140展臺(7廳)展示兩個全新的電源半導體系列:碳化矽(SiC)肖特基二極體和矽IGBT技術


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