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瑞薩成功開發「鰭狀MONOS快閃記憶體單元」 (2017.02.03)
適用於16/14奈米以上製程節點的高效能、高可靠性微控制器 瑞薩電子(Renesas)宣佈成功開發全球首創採用鰭狀電晶體的分離閘金屬氧氮氧矽(SG-MONOS)快閃記憶體單元，適用於電路線寬僅16至14奈米(nm)或更精細的微控制器(MCU)製程，且其中晶片內建快閃記憶體


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