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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文叙述思考下一代SiC元件将如何发展，从而实现更高的效能和更小的尺寸，并讨论建立稳健的供应链对转用SiC技术的公司的重要性。 |
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模拟工具可预防各种车用情境中的严重问题 (2024.02.07)
在设计和部署因应严峻车用环境的先进解决方案时，设计人员需要使用者友善、快速而且对硬体要求较低的互动式模拟工具。采用分散式智慧能够释放系统性能，然而会产生系统韧性和即时回??能力的需求 |
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博格华纳采用ST碳化矽技术为Volvo新一代电动车设计Viper功率模组 (2023.09.08)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）将与博格华纳（BWA）合作，为其专有的Viper功率模组提供最新的第三代750V碳化矽（SiC）功率MOSFET晶片。该功率模组用於博格华纳为Volvo现有和未来多款电动车型设计的电驱逆变器平台 |
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落实工业4.0 为移动机器人部署无线充电技术 (2023.07.21)
对於工业工厂来说，移动机器人必须定期充电的挑战日益严峻。无线充电空间做出的改进，能够让机器人变得更灵活，进而提高了工厂的制造能力和效率；无线充电技术正日益成为制造业的关键因素 |
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STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET 质量因数提升40% (2023.06.15)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）之新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET拥有极低的闸极━漏极电荷（QGD）和导通电阻RDS（on），质量因数（Figure of Merit，FoM）相较上一代同类产品提升40% |
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英飞凌推出新双通道电气隔离EiceDRIVER闸极驱动器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的开关式电源（SMPS）透过采用图腾柱PFC级中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能够满足高压DC-DC功率转换要求的氮化??（GaN）功率开关等最新技术，使得功率密度可以达到100 W/inch3 |
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马达控制驱动器提升高整合度、最大化灵活性 (2023.02.19)
本文叙述三相永磁无刷直流（BLDC）马达的工作原理，并介绍两种换向方法在复杂性、力矩波动和效率方面的特点、优点和缺点。 |
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台湾团队创新研发隹绩 2023 ISSCC入选23篇论文抢先发表 (2022.11.15)
国际固态电路研讨会（International Solid-State Circuits Conference；ISSCC）向来有IC设计领域奥林匹克大会之称，将於2023年2月19日至23日在美国旧金山举行。台湾共有23篇论文入选，不仅较2022年多8篇获选，同时创下近五年来获选论文数量最多的隹绩！展现台湾先进半导体与固态电路领域技术研发的实力斐然 |
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以碳化矽技术牵引逆变器 延展电动车行驶里程 (2022.11.14)
半导体技术革命催生了新的宽能隙元件，例如碳化矽（SiC）MOSFET功率开关，使得消费者对电动车行驶里程的期??，与OEM在成本架构下实现缩小里程之间的差距。 |
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意法半导体推出适合安全系统的快速启动负载开关 (2022.09.16)
意法半导体（STMicroelectronics：ST）推出了IPS1025HF快速启动高边功率开关，目标应用是有极短上电延迟时间需求的安全系统。
考量到Vcc电源通断情况，为了确保安全保护系统能够达到指定之安全完整性等级（SIL），IPS1025HF的通断回应时间仍低於60μs |
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电路保护巧设计：使用比较器实现欠压／过压闭锁设计 (2022.06.02)
本文详细探讨如何使用比较器来实现电路保护中的欠压／过压闭锁，并利用电阻分压器调整电源欠压和过压闭锁??值，同时透过导入迟滞设计来提高整个电路抗杂讯能力。 |
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安森美将於2022 PCIM Europe展示高能效电源方案 (2022.04.28)
安森美（onsemi），将在2022年5月10日至12日於德国纽伦堡举行的PCIM Europe推出一系列全新的电源方案。
安森美於PCIM Europe的展示摊位将有不同最新技术的现场展示，展示这些技术如何赋能开发领先市场的电动车、能量储存、智能电源等解决方案 |
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大联大品隹推出Microchip 4KW图腾柱PFC数位电源方案 (2022.04.20)
大联大控股宣布，其旗下品隹推出基於微芯科技（Microchip）dsPIC33CK256MP506晶片的4KW图腾柱PFC数位电源方案。
近年来，在电源研发领域，无桥PFC凭藉着自身独特的优势，受到了广泛的应用 |
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英飞凌推出EiceDRIVER 2EDN闸极驱动器晶片 提升功率性能 (2022.03.31)
英飞凌科技股份有限公司近日推出新一代EiceDRIVER 2EDN闸极驱动器晶片系列。新元件是对现有2EDN驱动器晶片产品线的补充，可减少外接元件的数量，并节省设计空间，从而实现更高的系统效率、卓越的功率密度和持续的系统稳健性 |
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英飞凌推出EiceDRIVER F3增强型系列闸极驱动器 提供全面短路保护 (2022.03.11)
英飞凌科技股份有限公司宣布推出EiceDRIVER F3（1ED332x）增强型系列闸极驱动器，进一步壮大其EiceDRIVER增强型隔离闸极驱动器的产品阵容。
该系列闸极驱动器能够提供可靠且全面的保护，防止短路故障的发生，让包括IGBT在内的传统功率开关以及CoolSIC宽能隙元件得到有效保护 |
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伟诠推出采用高频多模准谐振式反激式控制晶片 (2022.03.07)
为了加速超小型化USB PD充电器的设计，伟诠电子日前推出采用WT7162Rx高频多模准谐振式反激式控制晶片搭配氮化??的超小型化USB PD充电器叁考设计。
WT7162Rx PWM控制系列晶片是一款高度整合的高频/多模式反激式PWM控制晶片，具备准谐振模式切换和波谷切换的非连续导通模式 |
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ST隔离式SiC闸极驱动器问世 采用窄型SO-8封装节省空间 (2021.11.04)
意法半导体（STMicroelectronics）新推出之STGAP2SiCSN是为控制碳化矽MOSFET而优化的单通道闸极驱动器，其采用了节省空间的窄体SO-8封装，具备稳定的效能和精准的PWM控制。
SiC功率技术被广泛使用于提升功率转换效率，而STGAP2SiCSN SiC驱动器可简化节能型电源系统、驱动和控制电路设计以节省空间，并加强稳定性和可靠性 |
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从原理到实例：详解SiC MOSFET如何提高电源转换效率 (2021.10.12)
本文以Cree/Wolfspeed的第三代SiC MOSFET为例，分析其效率和散热能力方面的优势，并说明如何使用此类元件进行设计。 |
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意法半导体推出单晶片 GaN 闸极驱动器 (2021.09.10)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出STDRIVEG600半桥闸极驱动器输出电流大，上下桥输出讯号传播延迟为45ns，能够驱动GaN加强型 FET 高频开关。
STDRIVEG600的驱动电源电压最高20V，还适用于驱动N沟道矽基MOSFET，在驱动GaN元件时，可以灵活地施加最高6V闸极－源极电压（Gate-Source Voltage；VGS），确保导通电阻Rds(on)保持在较低水准 |
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拓展碳化矽实力 安森美将收购GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生产商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 于美国时间8月25日宣布已达成最终协定，根据该协定，安森美将以4.15亿美元现金收购GTAT。
GTAT 成立于 1994 年，在包括 SiC 在内的晶体成长方面拥有丰富的经验 |
