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挥别续航里程焦虑 打造电动车最隹化充电策略 (2024.04.29)
随着电动车持续发展，300英里成为标准，续航里程焦虑开始消散。
各国已制定不同的电动车标准，以因应不同的需求和应用。
透过实验室模拟，才是验证电动车和充电桩互通性的最隹方法 |
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筑波科技x美商泰瑞达分享交流化合物半导体材料与测试技术 (2024.04.18)
因应高效能运算和AI趋势对於创新材料的需求，筑波科技携手美商泰瑞达Teradyne於17日举办首场「化合物半导体材料与测试技术研讨会」，此次研讨会聚焦於各种测试挑战与解决方案，邀请产官学界菁英分享如氧化??、石墨烯等新兴材料应用，探究化合物半导体在矽光子的应用 |
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英飞凌携手Worksport 以氮化??降低可携式发电站重量和成本 (2024.03.13)
英飞凌科技宣布与 Worksport合作，共同利用氮化??（GaN）降低可携式发电站的重量和成本。Worksport 将在其可携式发电站转换器中使用英飞凌的 GaN 功率半导体 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
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英飞凌全新 CoolMOS S7T系列整合温度感测器性能 (2024.01.11)
英飞凌科技（Infineon）推出整合温度感测器的全新 CoolMOS S7T 产品系列，具有出色的导通电阻和高精度嵌入式感测器，能够提高功率电晶体接面温度感测的精度，适用於提高固态继电器（SSR）应用的性能和可靠性 |
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意法半导体碳化矽协助理想汽车加速进军高压纯电动车市场 (2024.01.05)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）与中国新能源汽车商理想汽车签立一项碳化矽（SiC）长期供货协议，而意法半导体将为理想汽车提供碳化矽MOSFET，支援理想汽车进军高压电池纯电动车市场的策略 |
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意法半导体GaN驱动器整合电流隔离功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出首款具有电流隔离功能的氮化??（GaN）电晶体闸极驱动器，新款STGAP2GS缩小了晶片尺寸，同时降低物料清单成本，能够满足应用对宽能隙晶片的效能以及安全性和电气保护的更高需求 |
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CGD的GaN单晶片 获台积电欧洲创新区最隹展示奖 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系统单晶片 (SoC) 在台积电( TSMC) 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获「最隹展示」奖。
CGD是一家无晶圆厂洁净技术半导体公司，专门开发多种节能GaN型功率装置，旨在实现更环保的电子元件 |
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宜普：氮化??将取代650伏特以下MOFEST市场 市场规模约数十亿美元 (2023.09.04)
随着氮化?? （GaN）技术在各产业中扮演起重要的角色，中国政府已积极透过资助计画、研发补助以及激励政策等方式来支持氮化??技术在中国的发展。此外，中国近年来出现了许多专注於研发氮化??的公司，并且包括复旦大学、南京大学、浙江大学及中国科学院等大学或研究机构也积极地投入氮化??相关领域的研究及发展 |
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ST：提供全面系统解决方案 为工业激发智慧并永续创新 (2023.07.17)
利用意法半导体2023年工业巡??论坛的机会，CTIMES零组件杂志也特别专访了意法半导体亚太区功率离散和类比产品部行销和应用??总裁 Francesco Muggeri，详细阐述ST在工业领域的技术创新 |
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意法半导体ST-ONE系列USD PD控制器提升功率至140W (2023.07.12)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）率先推出通过USB-IF之USB Power Delivery Extended Power Range（USB PD 3.1 EPR）规范认证的整合化数位控制器晶片ST-ONEHP。
ST-ONEHP为ST-ONE系列中的第三款控制器，其输出电压为28V，可简化最高额定功率140W的充电器和电源转接器的开发设计 |
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意法半导体新款隔离式降压转换器晶片灵活可变 (2023.06.06)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出新款10W隔离降压转换器晶片L6983i，具备高效能、小包装，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。
L6983i采用隔离降压拓扑结构，需要的外部元件相较传统隔离式返驰式转换器少，并且不需要光耦合器，进一步节省物料清单成本和PCB面积，适合於需要隔离式DC-DC转换器应用 |
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意法半导体100W和65W VIPerGaN功率转换晶片 可节省空间 (2023.05.26)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）之高压宽能隙功率转换晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关准谐振（Quasi-Resonant，QR）返驰式转换器 |
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电气化趋势不可逆 宽能隙技术助电动车市场跃升 (2023.04.17)
汽车动力系统正从内燃机转向电动机，这是一个不可阻挡的趋势。
宽能隙半导体材料在功率利用和开关频率方面具有独特的优势。
只有宽能隙半导体能够实现电动车的目标，协助汽车向永续出行的发展 |
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意法半导体ST-ONEMP数位控制器 简化高效能双埠USB-PD转接器设计 (2023.02.10)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）的高整合度、高效能ST-ONE系列USB供电（USB-PD）数位控制器新增一个支援双埠的ST-ONEMP晶片。
ST-ONEMP数位控制器采用市面第一个ST-ONE架构，在一个封装内整合ArmR CortexR-M0+微控制器、高效能非互补有源钳位返驰式控制器和USB-PD 3.1介面 |
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ST推出碳化矽功率模组 提升电动汽车性能及续航里程 (2022.12.19)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出了可提升电动汽车性能和续航里程之大功率模组。意法半导体的新碳化矽（SiC）功率模组已被用於现代汽车（Hyundai）的E-GMP电动汽车平台，以及共用该平台的起亚汽车（KIA） EV6等多种车款 |
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节能降耗势在必行 宽能隙半导体发展加速 (2022.07.27)
宽能隙半导体拥有许多优势，其节能效果非常出色。
碳化矽和氮化??两种技术各有特点，各自的应用情境也有所不同。
宽能隙技术已经催生出一系列相关应用，协助达成碳中和的企业目标 |
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ST为赛米控eMPack电动汽车电源模组提供碳化矽技术 (2022.06.21)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）宣布，为世界电源模组系统领导制造商赛米控（Semikron）的eMPack电动汽车电源模组提供碳化矽（SiC）技术。
该供货协议为两家公司为期四年之技术合作的成果，其采用意法半导体先进SiC功率半导体，双方致力於在高功率密度的系统中达到卓越的效能，并提升成为产业标杆 |
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ST与MACOM射频矽基氮化??原型晶片达成技术和性能里程碑 (2022.06.14)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。
射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力 |
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新一代单片式整合氮化??晶片 (2022.05.05)
氮化??或氮化铝??（AlGaN）的复合材料能提供更高的电子迁移率与临界电场，结合HEMT的电晶体结构，就能打造新一代的元件与晶片。 |
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ST VIPerGaN50功率电源转换器 优化效能与小型化 (2022.04.12)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）新款VIPerGaN50能简化最高50W的单开关反激式功率电源转换器设计，并整合一个650V氮化??（GaN）功率电晶体，优化电源的效能与小型化。
VIPerGaN50采用单开关拓扑和高整合度，包括内建电流感应和保护电路，并以低成本的5mm x 6mm小型封装 |
