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Fairchild与Infineon达成创新型汽车MOSFET无铅封装技术许可协议 (2012.04.20)
快捷半导体(Fairchild)和英飞凌科技(Infineon)日前宣布已就英飞凌的H-PSOF (附散热片之小形扁平接脚塑料封装) 先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。H-PSOF是符合JEDEC标准的TO无铅(TO-LL) 封装 (MO-299) |
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Fairchild与Infineon签订车用MOSFET 封装技术协议 (2012.04.11)
英飞凌 (Infineon) 和快捷半导体 (Fairchild)日前宣布，针对英飞凌先进的车用 MOSFET 封装技术 H-PSOF（带散热器的塑料小型扁平引脚封装）签订授权协议，该技术是符合 JEDEC 标准的 TO 无导线封装 (MO-299) |
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IR授予英飞凌科技DirectFET封装技术授权同意书 (2007.09.28)
英飞凌科技与美商国际整流器公司（International Rectifier，IR）共同宣布，英飞凌将取得国际整流器公司授权使用该公司获得专利的先进功率管理封装技术DirectFET。
DirectFET的设计专门运用在计算机、笔记本电脑、通讯及消费性电子装置的AC-DC及DC-DC功率转换应用上 |
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IR推出两款新型DirectFET功率MOSFET (2005.10.14)
功率半导体及管理方案领导厂商–国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出两款新型的DirectFET功率MOSFET。相比常用于网络及通讯系统的中功率200W DC-DC总线转换器应用中的增强式SO-8组件，它们可以把系统层面的功率损耗减少10% |
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ST与Siliconix就双面冷却型MOSFET封装技术达成授权 (2005.03.14)
ST与Siliconix宣布达成一项合作协议，ST将由Siliconix获得最新功率MOSFET封装技术的授权，这项技术使用强制性空气冷却方法，透过组件顶端与底部的散热路径供了更优良的热效能 |
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新一代MOSFET封装的热力计算 (2004.12.04)
新一代DirectFET功率元件具备小体积、低高度及回路单纯等特点，其中最重要的是拥有电子与散热优势；本文将介绍DirectFET的稳态热传效应，并说明如何利用特别设计的功率计算表，来让此类元件的应用达到最佳效能 |
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Fairchild在PCIM China 2004重申其Power Franchise策略重点 (2004.03.30)
快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor）借着最近于中国上海举行的PCIM China展览会，再次强调其企业策略Power Franchise的重点；并宣布授权GEM Services使用下一代MOSFET封装技术；以及推出业界首个以BGA（球栅数组）封装带有晶体管输出的单信道光耦合器 Microcoupler |
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解析新世代MOSFET 封装技术 (2003.10.05)
除了以IC设计方法实现高整合度之电源管理设计，目前也有先进的封装技术可让电源组件体积更小、散热表现更高，达成节省电子产品内部空间的效果。本文将介绍最新的MOSFET封装技术，为读者剖析其优势所在 |
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IR推出双面冷却封装方案 (2002.01.30)
全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司（IR）于近日推出一套突破性的表面附着功率MOSFET封装技术─DirectFET功率封装。DirectFET是第一套采用SO-8规格的表面附着封装技术，能提供高效率顶层冷却(top-side cooling) |
