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海力士计划减少明年的设备投资并延缓中国计划 (2008.12.28)
外电消息报导，韩国内存供货商海力士计划减少韩国本土投资，并延迟与Numonyx B.V在中国的2.6亿美元合资案。
报导指出，由于内存价格大幅的下滑，在市场供需失衡与经济情况不佳的情况下，海力士已蒙受了巨大的损失，因此该公司计划将升级韩国厂的6460亿韩元（4.91亿美元）投资降低，减少到4910亿韩元（3.677亿美元） |
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美国SRAM反垄断调查结束 海力士声称无违法 (2008.12.25)
外电消息报导，美国司法部日前宣布，已结束自2006年10月份开始的SRAM反垄断法违法行为调查，而所有的结果也已寄交给接受调查的半导体公司。其中海力士即刻发布声明表示，该公司并未涉及任何的不法 |
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海力士可能考虑融资贷款来因应亏损 (2008.12.03)
外电消息报导，由于内存芯片价格持续滑落，加上全球景气衰退的因素，全球第二大内存芯片供货商海力士，正在考虑采取融资筹款的方式，来因应未见好转的亏损状况。
据报导，海力士受库存过剩导致内存芯片价格不振的拖累，目前已蒙受7年来最大亏损 |
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iSuppli公布2008年全球前20大半导体商排名 (2008.12.02)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli公布了2008年全球前20大半导体商排名。其中英特尔以12.8%的市占率稳坐第一，其次为三星电子的6.7%，第三为德州仪器的4.3%。而在前20大半导体供货商中，内存IC供货商的营收下滑幅度最大，海力士半导体则是表现最差的厂商，其排名下降了三个位置，来到第九名 |
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Numonyx暂缓意大利Catania 12吋厂计划 (2008.11.18)
外电消息报导，非挥发性内存供货商恒忆(Numonyx)日前表示，由于受全球经济成长趋缓的影响，原订在意大利Catania兴建12吋晶圆厂的计划将暂缓实施，最快要到2010年以后才会定案 |
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革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能，短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守，长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力（Scalability）、储存覆写次数耐久性（Endurance）和数据保存能力（Data Retention）的局限，使其面临技术上和经济上必须革新的关键 |
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08年上半年10大半导体商 英特尔续坐龙头 (2008.10.21)
外电消息报导，市场研究公司IC Insights，日前公布了2008年上半年的半导体市场排名，根据统计数据，英特尔仍排名第一，其次是三星电子，德州仪器则位居第三。、
根据IC Insights的统计数据，前十大的排名顺序为，英特尔、三星电子、德州仪器、东芝、台积电、意法半导体、瑞萨、海力士、新力及高通 |
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力晶与尔必达率先减少每月一成DRAM产量 (2008.09.11)
内存产量过剩，DRAM大厂力晶决定减产一成。此外，尔必达也传出将跟进减产一成的消息。据了解，这将有效减缓第四季DRAM产量过剩的状况，但对于长期效益来看，仍须持续观察 |
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記憶體發展走在十字路口，有什麼值得期待的應用可以帶動市場景氣？ (2008.09.08)
記憶體發展走在十字路口，有什麼值得期待的應用可以帶動市場景氣？ |
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海力士选用Blue Coat作网际安全网关的策略控管 (2008.09.03)
广域网应用传输与门道安全维护厂商Blue Coat，日前宣布海力士半导体（Hynix Semiconductor）选择部署Blue Coat ProxySG设备，来维护Web安全、策略控制、并防范有心人士藉由SSL加密信道外泄信息 |
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海力士清洲新NAND内存厂正式投产 (2008.08.31)
外电消息报导，韩国内存芯片制造商海力士（Hynix）日前表示，其在韩国清洲新建的新一代NAND闪存厂将正式投产，预计月产能将达到30万片。
Hynix表示，新的清州内存厂，预计月产量将可达到30万片，而依据进度来看，将有望在几个月之后，把产能提高到50万片左右 |
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恒忆与海力士将延长5年NAND Flash合作计划 (2008.08.19)
恒忆（Numonyx B.V.）和海力士半导体（Hynix Semiconductor）日前宣布，将延长两公司在NAND闪存升级产品和技术开发的合作计划。据了解，两公司未来将扩大NAND闪存产品和技术的合作开发范围，并将为加快开发速度而进行经营资源的一体化 |
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08年Q2全球内存销售 三星依旧称王 (2008.08.11)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli日前表示，根据统计数据，今年第二季三星电子在全球内存市场上依旧表现抢眼，市场占有率已超过了30%，持续维持第一大内存厂的龙头地位 |
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NAND闪存芯片销售额成长率下滑至12% (2008.07.02)
外电消息报导，市场研究公司Semico日前表示，尽管苹果即将开卖3G版iPhone，并在MacBook Air中采用固态硬盘，但过去所仰赖的「苹果效应」却未出现，今年NAND内存芯片销售额将出现衰退 |
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三星与海力士共同研发次世代内存技术 (2008.06.26)
外电消息报导，三星电子与海力士半导体于周三（6/25）共同宣布，将合作发展下一代的半导体芯片，并推动450mm的18吋晶圆厂标准。
据报导，三星与海力士共同表示，双方将合作进行旋转力矩转移-磁性随机内存(STT-MRAM)芯片的研发工作，并将致力于使其成为下一代450毫米晶圆的行业标准 |
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SPMT工作小组 推动新一代内存接口标准 (2008.05.02)
美商晶像、英商安谋、韩国海力士半导体、索尼爱立信行动通讯及法商意法半导体在4月30日宣布组织工作小组，为新世代内存接口技术，建立开放式标准。这项首创的内存标准乃针对动态随机存取内存（dynamic random access memory；DRAM） |
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Gartner:2007年十大半导体厂商排名出炉 (2007.12.16)
外电消息报导，市场研究公司Gartner日前公布最新的全球半导体营收统计资报告，报告中指出，2007年全球半导体营收达到2703亿美元，较去年同期成长2.9%。
而在全球半导体厂排名上，英特尔（Intel）仍为全球最大的半导体厂，市场占有率上升至12.2﹪ |
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第二季10大半导体厂排名公布 高通首次挤进 (2007.08.26)
外电消息报导，市场研究机构iSuppli日前公布了2007年第二季十大半导体厂商名单。其中英特尔(Intel)与三星电子(Samsung)仍高居第一、二名，而没有建置半导体生产工厂的高通（Qualcomm）则首次挤进前10名，成为第二季中意外的黑马 |
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韩系大厂将NAND Flash移至海外生产 (2007.04.19)
根据外电报导，海力士、三星电子计划将分别于今年第3季、第4季将NAND Flash移至中国无锡厂及美国奥斯汀厂生产。
三星电子计划将NAND Flash移至美国奥斯汀厂生产，以改善与当地国的贸易关系，并做好当地客户管理 |
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Hynix宣布首款Fusion Memory产品已可量产 (2007.04.14)
南韩海力士半导体（Hynix Semiconductor）正式发表首款DOC（Disk On Chip）H3产品并开始量产。该公司宣布计划到2010年能将该产品销售额提升到10亿美元。而Hynix的竞争对手包括三星电子的One NAND产品正在瓜分市场 |
IETF是Internet Engineering Task Force (国际网络工程研究团队)是一个开放性的国际组织，其作用在于汇集网络设计师、网络操作员、网络厂商，以及研究人员共同研发改进网络的工程架构与建立起一个平稳的网络环境。
