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CTIMES / 台晶
科技
典故
第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期,贝尔实验室开始一项研究计划,目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日,由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管,优点是体积更小、更可靠、且成本低廉,不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业,同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
内存IC设计业业绩回流 (2001.10.11)
由于日系订单近来明显回流,加上利基型内存市场价格亦出现落底反弹迹象,三家上柜内存IC设计公司九月营收呈现逐步回温现象,钰创营收达二亿五千万元,较八月微增三‧八%;硅成则为一亿六千五百万元,较上月成长一一%;台晶则仍维持在六千万元水平
钰创、硅成、台晶转进利基市场 (2001.10.08)
动态随机存取内存 (DRAM)市场低迷,钰创、硅成及台晶等内存IC设计厂商纷纷转进利基市场,其中钰创转进低功率静态随机存取内存市场 (LPSRAM)及绘图卡内存有成,台晶则准备量产LCD驱动IC,库存压力逐步缩减
台晶跨足逻辑IC领域卓然有成 (2001.05.31)
台晶内存跨足逻辑IC计划近日将有具体成果。台晶总经理吴亮中昨(30)日表示,台晶STN-LCD驱动IC及以太网络控制IC将自在第三季开始出货。吴亮中说,台晶在不景气时才跨入这块领域,没有库存压力,且生产成本较具优势,因此将以低价取胜
国内存储器厂商纷纷发展逻辑产品 (2001.04.10)
内存设计商表示,从今年初以来,跌幅近三成的静态随机存取内存(SRAM)等利基型内存价格应已在3月落底,可望于第二季开始将逐渐回温。 动态随机存取内存(DRAM)去年下半年开始走弱,利基型内存市场表现也不好
内存IC设计业者纷纷转战其他领域 (2001.03.14)
内存市场不景气,国内三家内存IC设计商钰创、台晶及硅成纷纷转战不同领域,寻求利基。硅成将在下月开始在台积电以0.18微米制程试产蓝芽基频组件,第三季试产射频(RF)组件,并利用先进的硅锗(SiGe)制程生产;钰创、台晶也分别投身LCD控制IC和LCD驱动IC市场
台晶加紧低功率SRAM产品线齐备计划 (2000.10.26)
台晶记忆体一M低功率将于年底供货,明年二M至八M低功率SRAM产品线均将齐备,台晶总经理吴亮中表示,明年低功率SRAM与DRAM、高速(high speed)SRAM将三分台晶营运比重

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