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CTIMES / 氮化鎵技術
科技
典故		 叫醒硬件准备工作的BIOS

硬件组装在一起，只是一堆相互无法联系的零件，零件要能相互联络、沟通与协调，才能构成整体的「系统」的基础，而BIOS便扮演这样的角色。
CGD ICeGaN产品技术经维吉尼亚理工大学研究获验证 (2023.04.10)
无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化?? （GaN）开发出多款高能效功率装置，协助打造出更为环保的电子产品；CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现，CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性
英飞凌新一代 CoolMOS降低50%切换损耗 为系统奠定耐用性新标准 (2015.05.26)
（德国慕尼黑讯）英飞凌科技（Infineon）推出全新 CoolMOS C7 超接面（SJ）MOSFET系列。 相较于 CoolMOS CP 600 V 系列能减少 50% 的关闭损耗，在 PFC、TTF 和其他硬切换拓朴中发挥媲美氮化镓级的性能

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