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CTIMES / 多節電池前端ic
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
瑞萨新型多节电池前端系列适用於高串数、高电压系统 (2021.11.11)
为了电动脚踏车、储能装置、高压电动工具和其他高压装置供电的大型高压电池提升效能，瑞萨电子今(11)日推出用於电池管理系统（BMS）的新系列多节电池前端（BFE）IC，专而设计

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