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Cypress 推出业界第一款双埠8 Mb NetRAM (2001.09.10)
全球知名高效能体积电路解决方案供应厂商－美商柏士半导体（Cypress）10日正式宣布发表业界第一款8 Mb NetRAM同步型SRAM，不但针对各种储存局域网络（SAN）服务器与网络交换器（network switch）等市场 |
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Cypress推出新款4 Mbit双埠内存 (2001.06.19)
美商柏士半导体(Cypress Semiconductor)19日宣布推出全新FLEx36系列的4Mbit双埠内存(Dual-port Memory)，专为满足高阶储存网络(High-end Storage Networks)、高速广域网(WAN)、以及无线基础等网络应用市场的高效能专属内存，这项新产品从设计仿真到推出实体产品的时间不到一个月 |
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Cypress 推出9 Mbit QDR内存样品 (2001.04.18)
美商柏士半导体(Cypress)日前宣布开始供应9 Mbit QDR(Quad Data Rate) SRAM样本，数据传输率高达333MHz。这些同步SRAM将为各种网络与通讯装置提供更高效能的带宽速度，同时支持Cypress在广域网（WAN）、储存局域网络（SAN）、无线基础建设（WIN）及无线终端设备（WIT）等高速成长市场的发展 |
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Dataquest公布全球内存销售排名 (2001.04.13)
根据Dataquest日前公布的数据显示，2000年全球内存销售约较1999年成长53%，达到544亿美元，其中三星电子分别以市占率的20.9%及20.6%，拿下DRAM及SRAM市场的双料冠军，表现优异 |
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三星电子加入QDR内存发展联盟 (2001.04.13)
美商柏士半导体(Cypress)公司宣布，南韩三星加入四倍数据传输率(QDR)内存发展联盟，未来柏士、三星、美光、艾迪特、NEC等将共同主导新一代静态随机存取内存(SRAM)的规格 |
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国内存储器厂商纷纷发展逻辑产品 (2001.04.10)
内存设计商表示，从今年初以来，跌幅近三成的静态随机存取内存(SRAM)等利基型内存价格应已在3月落底，可望于第二季开始将逐渐回温。
动态随机存取内存(DRAM)去年下半年开始走弱，利基型内存市场表现也不好 |
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OEM大厂采用DDR时程可望提前 (2001.03.13)
英特尔宣布大幅裁员，所主导的RDRAM(Rambus DRAM)前景雪上加霜，国内三芯片组设计商威盛、硅统、扬智加紧挺进倍速数据传输内存(DDR)市场。据了解，OEM大厂已开始和威盛接触，并将其DDR芯片组设计入产品(design in)，OEM大厂采用DDR时程可望提前 |
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设计公司今年DRAM产品难获利 (2001.03.06)
DRAM价格直直落，台湾内存设计公司除少数外，一、二月DRAM产品线多面临亏损一至二成窘境，连利基型规格都无法幸免，设计公司认为今年DRAM产品获利机会不大，目前多将焦点转往毛利仍有二成的SRAM，并持续压缩DRAM 产品比重因应 |
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力晶半导体0.18微米制程256Mb SDRAM试产成功 (2001.03.02)
力晶半导体公司昨日表示，该公司已试产成功0.18微米制程的256Mb SDRAM，且同步推出256Mb DDR内存产品，正进行验证，预计第二季开始正式投产，初估至年底月出货量将可接近百万颗 |
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威盛宣布取得茂硅1T-SRAM专利授权 (2001.01.10)
威盛电子10日宣布正式取得茂硅电子1T-SRAM的专利授权，为新世代的系统单芯片产品，导入超高集积度、高效能及低耗电的先进SRAM技术，并可望广泛应用于日渐蓬勃的因特网装置、信息家电产品线 |
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硅成领先推出8奈秒 4M及2M异步SRAM (2001.01.03)
硅成(ICSI)日前发表三款为目前市场上最快速-效能可达8奈秒的2M 及4M 的异步SRAM： IS61LV12816, IS61LV25616 及 IS61LV5128。这是硅成集成电路继去年第二季领先研发出8奈秒1M异步SRAM后，再度将内存容量成功地往上提升，推出具更高容量的8奈秒异步SRAM |
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台晶加紧低功率SRAM产品线齐备计划 (2000.10.26)
台晶记忆体一Ｍ低功率将于年底供货，明年二Ｍ至八Ｍ低功率SRAM产品线均将齐备，台晶总经理吴亮中表示，明年低功率SRAM与DRAM、高速（high speed）SRAM将三分台晶营运比重 |
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各产品SRAM价格呈现差异性 (2000.10.23)
SRAM跟随应用产品趋势，近日出现涨跌不同调走势，手机用低功率（low power）二Mb SR AM估计价格将持续下滑至明年首季，而明年第二季将会因手机景气逐步复苏，价格可望上扬﹔而ADSL与缆线数据机（cable modem）用的一Mb高速（high speed）SRAM则因缺货，近期价格上扬约三成 |
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钰创手机用低功率SRAM创下佳绩 (2000.09.28)
钰创科技董事长卢超群表示，除今年可达成财务预测外，明年因手机用低功率（low power）SSRAM出货给包括英特尔在内的三家公司，且DDR绘图卡用记忆体出货倍增，营运绩效将较今年至少成长四成，预估将落在五十亿元上下 |
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联电率光推出0.13微米2M SRAM (2000.05.21)
就当台积电5月16日即将于美国矽谷举办年度技术论坛研讨会，并陆续发布0.15微米的多项产品成功于近日量产之际，台积电头号竞争对手联华电子5月15日宣布，已成功采用0.13微米逻辑制程产出2M SRAM晶片，并于五月初产出，良率达到一定水准，成为业界宣布最早量产0.13微米的产品 |
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钰创可望从0.15微米SRAM中获利 (2000.05.12)
钰创科技与台积电共同宣布，台积在钰创委托下，以最先进的制程产出0.15微米的SRAM，该颗800万(M)位的低功率SRAM，不但是全世界最小的一颗，且兼具高速的特性。由于台积电生产该颗产品的良率相当高，若市场接受度高，钰创将因此获利丰沛，预估该最产品将可在第四季大量出货 |
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硅成积电ICSI第二季开始供应低耗电SRAM (2000.04.10)
硅成积电为了因应通讯、手机、PDA等各种可携式产品市场对于低耗电SRAM需求日趋强烈，已可提供1Mb Low Low Power SRAM-128Kx8-3.3V 55ns/70ns给予相关市场需求交货生产，并于第二季初即可大量供应，届时硅成积电将是该市场台湾最大Fabless供货商 |
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日立将试产全球最高速SRAM (1999.06.21)
日立制作所宣布试产全世界最高速的静态随机存取内存(SRAM)。日晶产业新闻报导，日立制作所开发的新内存，记忆容量为一兆位(Mb)，访问时间为550微微秒，预定今年内推出的下一代大型主机 |
总的来说，一系列与时俱进的Bus规格标准，便是不断提升在计算机主机与接口设备之间，数据传输速度、容量与质量的应用过程。下面我们就简介几个重要的总线应用规格标准。
