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高突波電流耐受量SiC蕭特基二極體能大幅度改善運轉時效 (2016.06.28)
SiC元件的材料物性好，已經逐漸為上述應用裝置所採用。尤其是伺服器等須提升電源效率的裝置，電源上使用SiC-SBD產品，就能充分發揮該產品的高速回復特性，運用在PFC電路後，可望進一步提升裝置的效率 |
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Littelfuse將於2016年PCIM Europe展示市場應用解決方案 (2016.05.10)
全球電路保護領域的企業 Littelfuse公司，將出席2016年5月10-12日在德國紐倫堡舉行的2016年PCIM Europe展。該展會是展示電力電子領域最新發展的世界盛會之一。 本次展會上，Littelfuse將在7-140展臺（7廳）展示兩個全新的電源半導體系列：碳化矽（SiC）肖特基二極體和矽IGBT技術 |
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羅姆量產溝槽式SiC 導通電阻降低再下一城 (2015.08.14)
在全球功率半導體市場，SiC（碳化矽）元件的發展，一直是主要業者所十分在意的重點，理由在於它與傳統的MOSFET或是IGBT元件相較，SiC可以同時兼顧高開關頻率或高操作電壓，反觀MOSFET與IGBT只能各自顧及開關頻率與操作電壓，顯然地SiC元件相對地較有技術優勢 |
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意法半導體新款碳化矽二極體支援新能源汽車等應用 (2014.12.17)
因應逆變器小型化的挑戰和強勁需求，意法半導體（ST）推出新款車規碳化矽（SiC）二極體，以滿足電動汽車和插電式混合動力車（Plug-in Hybrids；PHEVs）等新能源汽車對車載充電器（on-board battery chargers；OBCs）在有限空間內處理大功率的苛刻要求 |
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散熱表現將成功率半導體業者決勝關鍵 (2014.12.08)
隨著英飛凌宣布併購IR之後，使得全球功率半導體市場的氛圍更顯緊張，但儘管如此，既有的高功率應用仍然有著相當高度的進入門檻，相關的功率半導體業者仍然持續推動新技術到市場上，快捷半導體（Fairchild）即是一例 |
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科銳開創性SC5技術平台實現雙倍光輸出 (2014.11.11)
重新定義大功率LED！科銳公司（CREE）推出開創性的SC5技術平臺，在照明級LED性能方面再次實現重大突破，科銳以此新型技術平臺為基礎，推出超大功率（XHP）LED元件系列產品，推動下一代照明應用 |
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微逆變器技術突破 SiC粉墨登場 (2014.08.06)
儘管前一段時間，太陽能被台灣媒體戲稱為「四大慘業」之一，但隨著供需狀況趨於健康化之下，台灣太陽能業者終於能見到一絲曙光。但就目前國內媒體對於太陽能產業的討論並不如預期般的熱絡 |
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EDA不再是EDA 明導國際進攻功率系統測試領域 (2014.05.15)
儘管近期科技產業的目光都聚焦在穿戴式電子或智慧型手機的身上，但其他應用領域也不能等閒視之，許多再生能源或是高功率應用等，也是諸多科技業者所注意的關鍵領域，即便這些市場的規模不夠大，但是相對的進入門檻相對較高，毛利率也遠高於智慧型手機或是消費性電子產品 |
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建構完整產業鏈 工研院設亞洲首座功率實驗室 (2014.01.22)
我們都知道，綠能或是電機產業都很需要大功率的電力來驅動系統運作，像是風力與太陽能發電或是馬達控制等都是相當常見的例子。再加上近年來節能減碳已成為全球勢不可免的浪潮，從政府乃至於產業界都投入了不少資源 |
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歐洲高能效功率晶片專案成果斐然 (2013.05.28)
歐洲奈米電子行動顧問委員會（ENIAC）聯盟（JU）日前公佈為期三年的LAST POWER專案開發成果。此專案於2010年4月啟動，目標在於研發高成本效益且高可靠性的功率電子技術，聚集了寬能隙功率半導體元件（Wide Bandgap Power Semiconductor）領域的民營企業、大學和公共研究中心 |
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Tektronix：提高能源效率是數位時代的趨勢與挑戰 (2013.03.20)
隨著數位時代極速的更迭，無線技術已經充斥應用在我們日常生活之中，市場預估2020年網路的行動裝置數量將達到500億台，而全球無線配件市場更將從2011的340億美元，於2015年可望成長到502億美元 |
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英飛淩推出第三代SiC蕭特基二極體 (2009.02.20)
功率半導體暨碳化矽（SiC）蕭特基二極體供應商英飛凌科技在美國華盛頓特區舉辦之應用電力電子研討會暨展覽會（APEC）上宣佈推出第三代thinQ! SiC蕭特基二極體。全新thinQ!二極體擁有低裝置電容，適用於所有電流額定值，在更高的切換頻率以及輕負載的情況下，更能提升整體系統效率，有助於降低整體電源轉換的系統成本 |
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2015年SiC市場規模將達2.7億美元 (2007.11.13)
日本矢野經濟研究所發表了SiC（碳化矽）及GaN等電子元件單晶片市調報告。該單位指出，wide gap半導體用單晶片以及非線形光學晶體，多未達到實用和量產水準。往後市場可望增加的是SiC以及GaN等 |
