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羅姆集團馬來西亞工廠新廠房竣工強化類比IC產能 (2023.10.25)
半導體製造商ROHM為了加強類比IC的產能，在其馬來西亞製造子公司ROHM-Wako Electronics（Malaysia）Sdn. Bhd.（以下稱 RWEM）投建了新廠房，已經於近日竣工並舉行了竣工儀式。 RWEM之前主要生產二極體和LED等小訊號產品，新廠房建成後則計畫生產絕緣閘極驅動器（類比IC的重點產品之一）

格棋化合物半導體掌握碳化矽晶體成長技術完成A輪募資新台幣15億元整 (2023.10.24)
掌握碳化矽（SiC）單晶晶體成長技術、同時具備6吋和8吋晶體製程能力的新創公司格棋化合物半導體股份有限公司（GCCS）宣佈，近期成功完成新台幣15億元的A輪募資，並將持續投資先進晶體研發與製程優化技術

PI以IC顛峰效率為aCentauri太陽能賽車隊執行關鍵任務功能 (2023.10.23)
Power Integrations這家節能功率轉換之高壓積體電路領域的領導廠商，將為 aCentauri 車隊提供先進的 PowiGaN 氮化鎵 (GaN) 技術、專家設計支援和財務贊助，協助他們參加本月下旬舉辦的 3,000 公里普利司通世界太陽能車挑戰賽

英飛凌與英飛源合作拓展新能源汽車充電市場 (2023.09.25)
基於碳化矽（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢，為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日，英飛凌科技宣佈與中國的新能源汽車充電市場相關企業英飛源 (INFY) 達成合作

英飛凌擴展1200V 62mm IGBT7產品組合推出全新電流額定值模組 (2023.09.18)
英飛凌科技推出搭載1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半橋和共發射極模組產品組合。模組的最大電流規格高達 800A ，擴展了英飛凌採用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優秀的電氣性能

宜普：氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵（GaN）技術在各產業中扮演起重要的角色，中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外，中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司，並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展

英飛凌於馬來西亞興建全球最大8吋SiC晶圓廠 2030年貢獻70億歐元 (2023.08.03)
英飛凌科技宣布，將大幅擴建馬來西亞居林 (Kulim) 晶圓廠，繼之前於 2022 年 2 月宣布的投資計劃之外，將打造全球最大的8 吋碳化矽（SiC）功率晶圓廠。支持這項擴建計畫的動能，包含了約 50億歐元在汽車與工業應用的design-win案件，以及約10億歐元的預付款

安森美和麥格納簽署策略協議投資碳化矽生產 (2023.07.30)
安森美（onsemi）和麥格納（Magna）達成一項長期供貨協議，麥格納將在其電驅動（eDrive）系統中，整合安森美的EliteSiC智能電源方案。麥格納是一家行動科技公司，也是全球最大的汽車零組件供應商之一

ST：以全面解決方案為工業市場激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
意法半導體透過2023年工業巡迴論壇，更進一步在不同城市，為不同客戶延伸和展現工業解決方案、技術和產品。透過「激發智慧永續創新」的主軸，與會者能透過各種技術和產品以及解決方案的介紹，親身體驗前沿技術和激發智慧的應用

英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展 (2023.07.05)
英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，並顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本

ROHM與Vitesco簽署SiC功率元件長期供貨合作協定 (2023.06.20)
SiC（碳化矽）功率元件領域的領先企業ROHM（羅姆半導體）與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型製造商Vitesco Technologies（緯湃科技）簽署SiC功率元件的長期供貨合作協定

Tektronix發布雙脈衝測試解決方案加速SiC和GaN驗證時間 (2023.06.08)
Tektronix今日宣布推出新版雙脈衝測試解決方案（WBG-DPT解決方案）。各種新型的寬能隙切換裝置正不斷推動電動汽車、太陽能和工業控制等領域快速發展，Tektronix WBG-DPT解決方案能夠對SiC和GaN MOSFET等寬能隙裝置提供自動化、可重複和高準確的量測

ST攜手三安光電在中國重慶建立8吋SiC元件合資製造廠 (2023.06.08)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST），和涵蓋LED、碳化矽、光通訊、RF、濾波器和氮化鎵等產品之中國化合物半導體領導企業三安光電宣布，雙方已簽署協定，將在中國重慶建立一個新的8吋碳化矽元件合資製造廠

緯湃科技和安森美簽署SiC長期供應協定投資碳化矽擴產 (2023.06.01)
緯湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）宣佈了一項價值19億美元（17.5億歐元）的碳化矽（SiC）產品10年期供應協定，以實現緯湃科技在電氣化技術方面的提升。緯湃科技是國際領先的現代驅動技術和電氣化解決方案製造商，將向安森美提供2

投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模組 (2023.05.19)
隨著2021年全球政府激勵政策和需求上升，正推動亞太、北美和歐洲地區的電動車市場穩步擴大。作為電能轉換的關鍵核心，IGBT和SiC模組極具市場潛力。

ROHM發佈2022年度財報營業額續創新高 (2023.05.11)
半導體製造商ROHM公佈2022年度（2022年4月-2023年3月）財報， 2022年度營業額達到5,078億日幣，連續二年刷新歷史記錄。SiC累計投資達5,100億日幣，產能提高35倍。在車電和工控設備兩大核心領域進一步成長，加上有利的匯率環境，全年營業額同期比成長12.3%

PI新型3300V IGBT模組閘極驅動器可實現可預測性維護 (2023.05.09)
Power Integrations推出全新的單通道隨插即用閘極驅動器，該產品適用於高達 3300 V 的 190mm x 140mm IHM 和 IHV IGBT 模組。1SP0635V2A0D 結合了 Power Integrations 成熟的 SCALE-2 切換效能和保護功能，具有可配置的隔離串列輸出介面，增?了驅動器的可程式性，並提供了全面的遙測報告，以實現準確的使用壽命預估

ROHM 1200V IGBT成功導入SEMIKRON-Danfoss功率模組 (2023.04.26)
SEMIKRON-Danfoss和半導體製造商ROHM在開發SiC（碳化矽）功率模組方面，已有十多年的良好合作關係。此次，SEMIKRON-Danfoss向低功率領域推出的功率模組中，採用了ROHM新產品—1200V IGBT「RGA系列」

TI與光寶合作以GaN技術和即時MCU打造高效伺服電源供應器 (2023.03.02)
德州儀器（TI）宣布攜手光寶科技（光寶）正式在北美市場推出搭載 TI 高整合式氮化鎵（GaN、Gallium nitride）與 C2000TM 即時微控制器（MCU）的商用化伺服器電源供應器（PSU）

安森美與大眾汽車集團就電動車SiC技術達成策略協議 (2023.01.31)
安森美（onsemi）宣佈與德國大眾汽車集團 (VW)簽署策略協定，為大眾汽車集團的下一代平台系列提供模組和半導體元件，以實現完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統最佳化的一部分，形成能夠支援大眾車型前軸和後軸主驅逆變器的解決方案