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英飛凌在台發表氮化鎵功率元件新品搶佔GaN市場龍頭 (2018.12.04)
英飛凌（Infineon）今日在台北舉行氮化鎵（GaN）方案CoolGaN新品發表會，宣布推出新一代GoolGaN 600 V增強型HEMT方案，以及專為其氮化鎵晶片所設計的驅動IC EiceDRIVER產品，能為電源產品帶來更佳的電源效率與功率密度，同時也能縮小裝置的體積，並進一步降低整體的設計成本

UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin連接器件 (2018.12.04)
Sic功率半島製造商UnitedSiC宣布擴展UF3C FAST產品系列，並推出採用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化矽FET器件，新產品基於高效的共源共柵配置，可為設計人員提供非常快的開關速度和較高的功率，並且其封裝能夠滿足高功率應用的散熱要求

兼具高效能與可靠性英飛凌打造新一代SiC元件 (2018.10.04)
隨著能源議題逐漸被重視，碳化矽絕對是能源產業的明日之星。英飛凌專注於發展碳化矽溝槽式架構，兼顧可靠性與高效能，並不斷精進產能與良率，讓碳化矽功率元件可以進一步普及

看準SiC低耗能、高效率羅姆將其用於賽車逆變器 (2018.10.04)
羅姆於碳化矽製程以有18年的經驗，除了常見的將碳化矽元件使用於新能源及電動車上之外，羅姆於2016年也與Venturi Formula E團隊合作，將SiC功率元件使用於賽車的逆變器中

意法半導體電隔離柵極驅動器控制並保護SiC、MOSGET、IGBT (2018.08.15)
意法半導體（STMicroelectronics）的STGAP2S單路隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，能讓使用者選擇獨立的導通／關斷輸出或內部主動米勒鉗位功能，其可使用於各種開關拓撲控制碳化矽（SiC）或矽MOSFET和IGBT功率電晶體

Wolfspeed推出首個滿足汽車AEC-Q101標準的SiC器件系列 (2018.08.09)
科銳旗下Wolfspeed宣佈推出E-系列碳化矽（SiC）半導體器件，這一新型產品家族針對電動汽車EV和可再生能源市場，能夠為車載汽車功率轉換系統、非車載充電、太陽能逆變器和其它戶外應用提供目前最高的功率密度和長期可靠性

英飛凌發表CoolSiC MOSFET產品兼具高性能與可靠度 (2018.07.24)
德國半導體元件商英飛凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭載CoolSiC技術的MOSFET系列產品，透過其獨特的碳化矽 (SiC) 溝槽式 (Trench) 技術，提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的電源解決方案

Littelfuse SiC蕭特基二極體降低能源成本和空間要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247蕭特基二極體和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263蕭特基二極體，擴充其碳化矽電源半導體產品組合。相比矽二極體，GEN2碳化矽蕭特基二極體可顯著降低開關損耗，並大幅提高電力電子系統的效率和可靠性

Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促進電動車市場發展 (2018.06.26)
科銳旗下Wolfspeed於近日宣佈推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，為電動汽車動力傳動系統帶來性能突破。這一開關元件能夠實現高電壓功率轉換，進一步鞏固Wolfspeed在電動汽車生態系統解決方案領域的領先地位

英飛凌推出車用CoolSiC肖特基二極體結合效能與耐用性 (2018.06.19)
英飛凌科技股份有限公司首款車用碳化矽系列CoolSiC肖特基二極體系列於日前PCIM展會上亮相，該款肖特基二極體已準備就緒，可用於目前和未來油電混合車和電動車中的車載充電器 (OBC) 應用

美高森美推出專門用於SiC MOSFET的極低電感SP6LI封裝 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 發佈專門用於高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模組的極低電感封裝。這款全新封裝專為用於其SP6LI 產品系列而開發，提供適用於SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率

美高森美下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二極體產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 蕭特基勢壘二極體(SBD)和相應的裸晶片

ROHM於福岡增建新廠房擴大SiC功率元件產能 (2018.04.19)
半導體製造商ROHM決定在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣）的筑後工廠增建新廠房，以因應日漸升高的SiC功率元件生產需求。該新廠房為地上3層建築，總建築面積約11,000平方米

ADI與Microsemi推出用於 SiC功率模組的高功率隔離閘極驅動器板 (2018.03.07)
亞德諾(ADI)與Microsemi Corporation近日共同推出首款用於半橋SiC功率模組的高功率評估板，該評估板在200kHz開關頻率時可提供最高1200V電壓及50A電流。隔離板旨在提高設計可靠性，同時減少創建額外原型的需求，為電源轉換和儲能客戶節省時間、降低成本並縮短上市時程

化合物半導體技術升級打造次世代通訊願景 (2017.08.24)
2016 年至 2020 年 GaN 射頻元件市場複合年增長率將達到4%，如何積極因應此一趨勢，善用本身優勢布局市場，將是台灣半導體產業這幾年的重要課題。

擴增全碳化矽功率模組陣容協助高功率應用程序 (2017.05.17)
ROHM使用新研究封裝在IGBT模組市場中成功擴增涵蓋100A到600A等主要額定電流範圍的全SiC模組陣容，可望進一步擴大需求。

東芝推出第二代650V碳化矽蕭特基位障二極體 (2017.01.23)
東芝半導體與儲存產品公司宣布推出第二代650V碳化矽(SiC)蕭特基位障二極體(SBDs)，該產品提升了公司現行產品的湧浪順向電流(IFSM)約70%。8個碳化矽蕭特基位障二極體的新產品線也即將出貨

東芝推出第二代650V碳化矽肖特基勢壘二極體 (2017.01.13)
東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基勢壘二極體(SBD)，該二極體將該公司現有產品所提供的順向浪湧電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化矽肖特基勢壘二極體出貨即日啟動

[專欄]GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界 (2016.08.10)
眾人皆知，由於半導體製程的不斷精進，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板

英飛凌以 8.5 億美元現金收購 Wolfspeed (2016.07.18)
英飛凌科技（Infineon）與Cree公司宣佈英飛凌已簽訂最終協議，將收購 Cree 旗下的 Wolfspeed 功率與射頻部門 (「Wolfspeed」)，此收購包括功率與射頻功率的 SiC 晶圓基板事業。此全額現金支付的交易的收購金額為 8.5 億美元 (約 7.4 億歐元)