帳號:
密碼:
CTIMES / Z箔電阻
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻 (2008.08.06)
Vishay推出新型VPR220Z超高精度Z箔電阻。這款新型器件在0°C~+60°C的溫度範圍內具有±0.05 ppm/°C的工業級絕對TCR、在−55°C~+125°C(+25°C 參考溫度)的範圍內具有±0.2ppm/°C的絕對TCR、在+25°C時具有8W的額定功率(按照 MIL-PRF-39009規範,在自由空氣中為1
Vishay推出小型超高精度Z202系列Z箔電阻 (2008.02.12)
Vishay宣佈推出小型超高精度Z202系列Z箔電阻,當溫度範圍在0°C至+60°C時,該電阻具有±0.05 ppm/°C的典型TCR、±5 ppm的PCR(自身散熱產生的∆R)(額定功率下)、±0.01%的容差和±0.01%的負載壽命穩定性,在5Ω至30kΩ的標準阻抗範圍內的任何容差下,可調整為任一特定值

  十大熱門新聞

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw