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CTIMES / 碳化矽
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獨霸編碼,笑傲江湖──ASCII與Unicode間的分分合合

為了整合電子位元資訊交換的共同標準,統一全球各國分歧殊異的文字符號,獨霸全球字元編碼標準,ASCII與Unicode的分分合合就此展開........
英飛淩推出分離式CoolSiC MOSFET模組化評估平台 助碳化矽成為主流 (2020.05.25)
雙脈衝測試是設計人員要瞭解功率裝置切換特性的標準程序。為方便測試1200V CoolSiC MOSFET採用TO247 3針腳和4針腳封裝的驅動選項,英飛凌科技推出模組化評估平台,其核心包含一個主板與可互換的驅動器卡板,驅動器選項包括米勒鉗制和雙極供電卡;其他版本將於近期內推出
GTAT和安森美半導體簽署SiC材料供應協議 提高寬能隙材料供應 (2020.03.19)
GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導體(ON Semiconductor),宣佈執行一項為期五年的協議,總價值可達5,000萬美元。根據該協定,GTAT將向高能效創新的全球領袖之一的安森美半導體生產和供應CrystX 碳化矽(SiC)材料,用於高增長市場和應用
Microchip擴展碳化矽電源晶片產品線 提升能源效率、尺寸和可靠性 (2020.03.17)
業界希望基於碳化矽(SiC)的系統能大幅提升效率、減小尺寸和重量,協助工程師研發創新的電源解決方案;這一需求正在持續、快速地增長。SiC技術的應用場景包括電動汽車、充電站、智慧電網、工業電力系統、飛機電力系統等
羅姆子公司SiCrystal和意法半導體宣布碳化矽晶圓長期供應協議 (2020.01.16)
羅姆和半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics;ST)宣布與羅姆集團旗下在歐洲SiC晶圓市佔率第一的SiCrystal公司簽署一項碳化矽(SiC)晶圓長期供應協議。協定規定,SiCrystal向意法半導體提供總價超過1.2億美元之先進150mm碳化矽晶片,滿足時下市場對碳化矽功率元件日益成長的需求
ROHM旗下SiCrystal與ST達成碳化矽晶圓長期供貨協議 (2020.01.15)
半導體製造商ROHM和意法半導體(ST)宣佈,雙方已就羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH(SiCrystal)長期供應碳化矽(SiC)晶圓事宜達成協定。 在SiC功率元件快速發展及其需求急速增長的背景下,雙方達成價值超過1.2億美元的協議,由擁有歐洲最大SiC晶圓產能的SiCrystal,針對為多樣電子設備供貨的全球半導體廠ST,提供先進的150mm SiC晶圓
Cree和ST擴大現有SiC晶圓供貨協定 並延長協定期限 (2019.11.22)
Cree和半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,ST)宣布,雙方將現有碳化矽(SiC)晶圓多年長期供貨協定總價提升至5億美元以上,並延長協定有效期限。這份延長供貨協議相較原合約總價提升一倍
科銳與采埃孚推進電驅動領域合作 (2019.11.06)
全球碳化矽(SiC)半導體企業科銳(Cree, Inc.)與德國采埃孚(ZF Friedrichshafen AG)宣佈達成戰略合作,開發業界領先的高效率電傳動設備。 通過此次戰略合作,科銳與采埃孚將強化現有的合作
博世聚焦SiC晶片應用 強化電動交通科技往 (2019.10.25)
現今汽車已大量使用半導體。實際上,每一台新車使用超過50顆半導體。博世開發的新型碳化矽(SiC)晶片,將讓電動交通再向前邁進一大步。未來此種特殊材料所製造的晶片將會引領電動車與油電混合車控制器的電力電子技術的發展
Cree和意法半導體宣布碳化矽晶圓長期供貨協議 (2019.01.10)
Cree宣布簽署一份長期供貨協議,為橫跨多重電子應用領域的全球領先半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics,簡稱ST)生產和供應Wolfspeed 碳化矽(SiC)晶圓。按照該協議規定,在目前碳化矽功率元件市場需求明顯成長的期間,Cree將向意法半導體提供價值2.5億美元之150mm先進碳化矽裸晶圓與磊晶晶圓
英飛凌收購Siltectra 碳化矽晶片產能將倍增 (2018.11.19)
英飛凌科技宣布收購位於德國德勒斯登的新創公司 Siltectra 。該新創公司開發一種創新的冷切割技術 ( Cold Split ),可有效處理晶體材料,並可大幅減少材料損耗。英飛凌將採用此 Cold Split 技術分割碳化矽 (SiC) 晶圓,使晶圓產出雙倍的晶片數量
UnitedSiC發布全新UF3C FAST碳化矽FET系列產品 (2018.11.06)
碳化矽(SiC)功率半導體製造商UnitedSiC宣布推出採用標準TO-247-3L封裝之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相較現有UJC3系列,FAST系列具有更快的切換速度和更高的效率水準
Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充碳化矽MOSFET器件組合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET產品的重要補充,也是Littelfuse公司已發佈的1200V碳化矽MOSFET和蕭特基二極體的強有力補充
碳化矽晶圓全球產能有限 市場仍處於短缺中 (2018.10.07)
相較於矽(Si),採用碳化矽(SiC)基材的元件性能優勢十分的顯著,尤其是在高壓與高頻的性能上,然而,這些優勢卻始終未能轉換成市場規模,主要的原因就出在碳化矽晶圓的製造和產能的不順暢
低耗能、小型化 碳化矽的時代新使命 (2018.10.03)
為了讓電子產品能朝低耗能、高效率與小型化等三大主流趨勢發展,便需要效率更高、性能更好且要能小型化的新一代功率元件。碳化矽獨特的物理特性,正適合用於滿足這些需求
碳化矽元件的市場發展關鍵:晶圓製造 (2018.10.03)
碳化矽有很高的硬度,僅次於金剛石,需要在極高溫才能燒熔,再加上生產條件的控制難度大,導致碳化矽晶圓量產不易,直接影響了終端晶片與應用的發展。
貿澤供應Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化鎵電晶體 適合航空電子應用 (2018.05.31)
貿澤電子即日起開始供應Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 電晶體。 QPD1025在65V的運作功率達1.8 kW,為業界功率最高的碳化矽基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻電晶體,擁有高訊號完整度和延伸的涵蓋範圍,適合L波段航空電子和敵我識別 (IFF) 應用
APEC 2018—Littelfuse推出超低導通電阻1200V碳化矽MOSFET (2018.03.16)
Littelfuse公司與從事碳化矽技術開發的美商Monolith Semiconductor推出兩款1200V碳化矽(SiC) n通道增強型MOSFET,進而擴展第一代電源半導體元件組合。Littelfuse與Monolith在2015年結成戰略合作關係,旨在為工業和汽車市場開發電源半導體
安森美推出碳化矽二極體 提供高能效、高功率密度 (2018.03.01)
安森美半導體(ON Semiconductor)推出最新650 V碳化矽(SiC)肖特基二極體(Schottky diode)系列產品,擴展SiC二極體產品組合。這些二極體的先進碳化矽技術提供更高的開關效能、更低的功率損耗,並輕鬆實現元件並聯
Littelfuse推出經擴展的碳化矽肖特基二極體產品系列 (2018.01.24)
Littelfuse, Inc.推出四個隸屬於其第2代產品家族的1200V碳化矽(SiC)肖特基二極體系列產品,該產品家族最初於2017年5月發佈。 LSIC2SD120A08系列、LSIC2SD120A15系列和LSIC2SD120A20系列的額定電流分別為8A、15A、20A,並採用主流的TO-220-2L封裝
羅姆期待與台灣產業攜手走進物聯網時代 (2017.12.19)
1987年,羅姆半導體(ROHM Semiconductor)選擇落腳台灣,然後一待就是30年。

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2 博世聚焦SiC晶片應用 強化電動交通科技往
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