CTIMES - Infineon

英飛凌推出高效能 TVS 二極體 (2013.06.15)
英飛凌科技股份有限公司推出全新瞬態電壓抑制器 (TVS) 二極體系列，保護天線及前端裝置免於受到瞬態電壓的影響。全新 ESD101x 和 ESD103x 二極體可吸收危險的靜電放電 (ESD)，防止天線系統遭受損壞，同時維持訊號的完整性

英飛凌與愛特梅爾就專利訴訟達成和解 (2013.06.15)
德國英飛凌今日宣布與愛特梅爾公司(Atmel Corporation)就專利侵權訴訟達成和解，雙方同意撤回所有審理中的專利侵權案件。英飛凌與其子公司英飛凌科技(北美)公司於2011年4月向美國德拉瓦州地方法院遞狀控告愛特梅爾公司

英飛凌擴展電路保護產品組合 (2013.06.13)
英飛凌科技股份有限公司推出一系列瞬態電壓抑制器 (TVS) 產品，為電子系統提供業界最佳的靜電放電 (ESD) 保護。此 ESD102 TVS 二極體 (單線路及多線路陣列) 擁有非常低的動態電阻 (Rdyn = 0.19Ω) 和超低寄生電容 (C = 0.4pF)，能讓工程師達成嚴格的設計需求，為最新一代智慧型手機和平板電腦使用的高速介面，提供所需的 ESD 耐用性及訊號品質

全新英飛凌 3D 影像感測器晶片系列 (2013.05.30)
英飛凌科技股份有限公司宣佈推出一系列用於非觸控手勢辨識的 3D 影像感測器晶片。這些新晶片由英飛凌與德國 pmdtechnologies 公司合作開發，首次結合具數位轉換的 3D 影像感測像素陣列及控制功能，可用於設計體積非常精巧且準確的單眼系統，應用在電腦及消費性電子裝置的手勢辨識

英飛凌開始供應 EiceDRIVER SIL 和 EiceDRIVER Boost IGBT 驅動器 (2013.05.27)
英飛凌科技股份有限公司今日宣佈推出新一代高電壓 IGBT 閘極驅動器。全新推出的 EiceDRIVER SIL 和 EiceDRIVER Boost 驅動器係針對油電混合車和電動車 (HEV) 的主要變頻器所設計，汽車系統供應商將能以更輕鬆且更符合成本效益的方式，設計遵循 ASIL C/D 功能安全規範 (ISO 26262) 的 HEV 傳動子系統

英飛凌推出高效能低雜訊放大器 (2013.05.27)
英飛凌科技推出適用全球導航衛星系統 (GNSS) 且具高成本效益的低雜訊放大器 (LNA)，BGA825L6S 擁有極低的雜訊指數、高線性度、高增益和低電流消耗，和從 3.6V 低至 1.5V供應電壓範圍極廣的特性

英飛凌針對高達 300A 電流應用推出全新 TO 無接腳封裝 (2013.05.21)
英飛凌科技股份有限公司宣佈推出全新的 TO 無接腳封裝產品，能減少封裝電阻、大幅縮小尺寸，還能改善 EMI 特性。產品包含最新一代的 OptiMOS MOSFET，適用於具有高功率和穩定性需求的應用，像是堆高機、輕型電動車、電子保險絲 (eFuse)、負載點 (PoL) 和電信系統等

英飛凌於 PCIM 展展出 650V TRENCHSTOP 5 (2013.05.17)
英飛凌科技股份有限公司於德國紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2013 展會期間展出 650V TRENCHSTOP 5。自 2012 年秋季推出這款新一代薄晶圓絕緣閘雙極性電晶體 (IGBT) 後，TRENCHSTOP 5 就獲得了廣大的市場矚目，被視為改變遊戲規則的技術

英飛凌針對高達 300A 電流應用推出全新 TO 無鉛封裝 (2013.05.17)
英飛凌科技股份有限公司宣佈推出全新的 TO 無鉛封裝產品，能減少封裝電阻、大幅縮小尺寸，還能改善 EMI 特性。產品包含最新一代的 OptiMOS MOSFET，適用於具有高功率和穩定性需求的應用，像是堆高機、輕型電動車、電子保險絲 (eFuse)、負載點 (PoL) 和電信系統等

英飛凌推出通過汽車級認證的 EconoDUAL 3 功率模組 (2013.05.16)
英飛凌科技股份有限公司於德國紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2013 (2013 年 5月 14 至 16 日) 展會上，推出完全符合汽車級標準的全新 EconoDUAL 3 IGBT 模組。新產品能滿足商業用、營建及農用車輛等高要求應用，對於這些應用而言，提高可靠性是關鍵所在

英飛凌 EiceDRIVER 家族新增 Compact 系列產品 (2013.05.14)
英飛凌科技股份有限公司於今日於德國紐倫堡舉辦之 2013 年 PCIM 展覽中，展出全新的 2EDL EiceDRIVER Compact 半橋式閘極驅動器，適用於阻斷電壓 600 伏特的應用。本系列產品配備非常快速的靴帶式二極體及電阻器

英飛凌推出TO 247-4針腳封裝 CoolMOS MOSFET (2013.05.13)
英飛凌科技股份有限公司今日推出 TO 247-4 針腳封裝的CoolMOSTM MOSFET。新增的第四針腳係做為 Kelvin 源極，能有效減少功率 MOSFET 源極接合線的寄生電感，這可使各種硬式切換拓樸 (例如連續導通模式功率因數控制器 (CCM PFC)、升壓與雙電晶體順向式 (TTF))，達到最佳效率

英飛凌推出 CoolMOS C7 (2013.05.09)
英飛凌科技股份有限公司推出 CoolMOS C7，擴充其高電壓產品組合，推出全新 650V 超接面 MOSFET 技術。新款 C7 產品系列可為所有標準封裝提供同級最佳 RDS(on)，此系列的低切換損耗也提高了全負載時的效率

英飛凌推出TLE496x 霍爾感測器系列 (2013.05.05)
英飛凌科技股份有限公司針對汽車及工業應用推出滿足其對最高精度、最低功耗和最省空間需求的霍爾感測器。全新的 TLE496x 感測器以英飛凌開發的全新 0.35μm 製程技術為基礎，採用目前全球霍爾感測器中體積最精巧的封裝 (SOT23)

英飛凌推出TLE496x 霍爾感測器系列 (2013.05.03)
英飛凌科技股份有限公司針對汽車及工業應用推出滿足其對最高精度、最低功耗和最省空間需求的霍爾感測器。全新的 TLE496x 感測器以英飛凌開發的全新 0.35μm 製程技術為基礎，採用目前全球霍爾感測器中體積最精巧的封裝 (SOT23)

英飛凌與格羅方德共同開發 40nm嵌入式Flash製程 (2013.04.30)
英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開發並合作生產 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術。這項合作案將著重於以英飛凌 eFlash 晶片設計為基礎的技術開發，以及採用 40nm 製程的車用微控制器及安全晶片的製造

英飛凌推出適用於毫米波無線網路回傳的 SiGe 收發器系列 (2013.04.18)
英飛凌科技股份有限公司推出單晶片高整合收發器系列，藉由取代了逾10個分離式元件，可簡化系統設計及生產流程。新款單晶片高整合度收發器低功耗的特性，有助於降低高資料傳輸速率毫米波無線網路回傳通訊系統的固定成本，適用於資料傳輸速率超過每秒 1 GB (Gbps)，用於 LTE/4G 基地台及核心網路之間的無線資料連結

英飛凌與陽光電源強化再生能源領域合作關係 (2013.04.12)
英飛凌科技（亞太）有限公司與中國陽光電源股份有限公司今日共同在安徽省合肥市簽署策略合作備忘錄，強化雙方在再生能源領域的技術合作關係，為再生能源逆變器的關鍵技術供應鏈開啟了新的時代

英飛凌推出 DrBlade：採用創新晶片嵌入式封裝技術的新一代 DrMOS (2013.04.09)
英飛凌科技股份有限公司今日在 2013 應用電力電子研討會暨展覽會 (APEC) 中宣佈推出 DrBlade：全球第一款採用創新晶片嵌入式封裝技術的整合式 DC/DC 驅動器及 MOSFET VR 功率級(power stage)

英飛凌推出 650V Rapid 1 與 Rapid 2 系列進攻高壓超快速矽二極體市場 (2013.04.08)
英飛凌科技股份有限公司今日推出高效率、快速回復的 650V Rapid 1 與 Rapid 2 矽二極體系列。Rapid 二極體結合英飛凌在超薄晶圓製造、低耗損垂直結構的專業知識，加上獨特的元件設計，效能表現卓著