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CTIMES / Transphorm
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網路通訊協定 - SOAP

SOAP的全名為Simple Object Access Protocol(簡易物件通訊協定),是一種以XML為基礎的通訊協定,其作用是編譯網路服務所需的要求或回應後,再將編譯後的訊息送出到網路,簡單來說就是應用程式和用戶之間傳輸資料的一種機制。
Transphorm新型SuperGaN器件採用4引腳TO-247封裝 (2024.01.18)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm推出兩款採用4引腳TO-247封裝的新型SuperGaN器件—TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET,各別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻,並配有一個開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能,因應高功率伺服器、可再生能源、工業電力轉換領域的需求
Transphorm與偉詮電子合作開發氮化鎵系統級封裝元件 (2023.12.28)
Transphorm與Weltrend Semiconductor(偉詮電子)合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路採用兩家公司合作開發的系統級封裝(SiP)SuperGaN電源控制晶片WT7162RHUG24A,在准諧振反激式(QRF)拓撲中可實現92.2%的效率
Transphorm全新參考設計應用於兩輪和三輪電動車電池充電器 (2023.12.21)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm推出兩款針對電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓(CC/CV)電池充電器採用Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN元件,以成本實現高效的AC-DC 功率轉換和高功率密度
Transphorm與Allegro合作 提升大功率應用中氮化鎵電源系統性能 (2023.12.08)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm與為運動控制和節能系統提供電源及感測半導體技術的Allegro MicroSystems合作,使用Transphorm的SuperGaN場效應電晶體和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅動器,針對大功率應用擴展氮化鎵電源系統設計
Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後,推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET,新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐,為採用JEDEC標準(MO-332)TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件
Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET,導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準,可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件
Transphorm:normally-off d-mode氮化鎵性能更高、高功率應用更容易 (2023.10.19)
氮化鎵功率半導體產品的先鋒企業Transphorm今(19)日發佈《Normally-off D-Mode 氮化鎵電晶體的根本優勢》最新白皮書。該技術白皮書科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平台固有的優勢
Transphorm氮化鎵元件助力DAH Solar微型逆變器光伏系統 (2023.10.12)
世界首個整合型光伏(PV)系統採用Transphorm氮化鎵平台,DAH Solar是安徽大恆新能源技術公司子公司。該整合型光伏系統已應用在大恆能源的最新SolarUnit 產品。DAH Solar認為系統中所使用的Transphorm的GaN FET元件
Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI應用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管(FET),導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準,意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解決方案
Transphorm發佈首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模擬模型 (2023.06.19)
全球高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品供應商Transphorm推出新款1200伏功率管模擬模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今業界可見推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體
Transphorm新款SuperGaN FET驅動器方案適合中低功率應用 (2023.06.16)
全球氮化鎵(GaN)功率轉換產品供應商Transphorm 發佈一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案針對中低功率的應用,適用於LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電競電腦,強化公司在此30億美元電力市場客戶的價值主張
Transphorm攜手偉詮推出GaN SiP電源控制晶片 (2023.03.22)
Transphorm, Inc.與偉詮電子(Weltrend Semiconductor Inc.)今天宣佈雙方合作推出首款系統級封裝(SiP)的氮化鎵電源控制晶片。 偉詮電子新推出的WT7162RHUG24A電源轉換器控制晶片,設計用於為智慧手機、平板電腦、筆記型電腦和其它智慧設備充電的45至100瓦USB-C PD電源適配器
Transphorm 240瓦電源適配器參考設計使用TO-220封裝氮化鎵功率管 (2023.01.13)
氮化鎵(GAN)電源轉換產品供應商Transphorm公司推出新的240瓦電源適配器參考設計。TDAIO-TPH-ON-240W-RD設計方案採用CCM升壓PFC+半橋LLC拓撲結構,功率密度高達30W/in3,最大功率轉換效率超過96%
Transphorm按功率段發佈氮化鎵功率管可靠性評估資料 (2022.12.16)
Transphorm發佈了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估資料。評估可靠性使用的失效率(FIT)是分析客戶現場應用中失效的器件數。迄今為止,基於超過850億小時的現場應用資料,該公司全系列產品的平均失效率(FIT)小於0.1
飛宏新款65W配接器採用Transphorm氮化鎵技術 (2022.08.02)
全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏(Phihong)新推出65W 2C1A USB PD配接器,其中採用Transphorm公司的氮化鎵(GaN)技術。這款配接器採用Transphorm的SuperGaN第四代技術,這是一種氮化鎵場效應管(FET)平台,具有系統設計簡單,元件數量少,高性能,高可靠等優點
Transphorm推出參考設計 加速氮化鎵電源配接器開發 (2022.06.27)
Transphorm推出七款參考設計,旨在加快採用氮化鎵的USB-C PD電源配接器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項,涵蓋多種拓撲結構、輸出和功率(45W至140W)
Nayuta LEMURIA鋰離子電池電源採用Transphorm氮化鎵FET (2022.06.06)
醫療應用必須具有高可靠性、準確性,電源電流的穩定及順暢對其效能有重要的影響。全球高可靠性、高性能的氮化鎵(GaN)電源轉換產品供應商Transphorm宣布,日本Nayuta Power Energy公司在其LEMURIA交流逆變器ME3000中,採用Transphorm的氮化鎵場效應管(FET),從而在無風扇系統中達到99%效率

  十大熱門新聞
1 Transphorm與偉詮電子合作開發氮化鎵系統級封裝元件
2 Transphorm全新參考設計應用於兩輪和三輪電動車電池充電器
3 Transphorm與Allegro合作 提升大功率應用中氮化鎵電源系統性能
4 Transphorm:normally-off d-mode氮化鎵性能更高、高功率應用更容易

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