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RAMBUS宣佈TERABYTE頻寬創新技術 (2007.11.28)
高速記憶體架構的主要技術授權公司Rambus，宣佈其創新的一兆位元組頻寬技術（Terabyte Bandwidth Initiative）。此突破性的創新技術包括新發明的記憶體信號的開發，其超高速的傳輸速率達16Gbps，使得未來單一晶片系統（SoC）的記憶體架構能達到空前的每秒一兆位元組（TB/s）（1 terabyte=1,024 gigabyte）記憶體頻寬 |
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iSuppli: 07年Q3全球DRAM市場排名三星持續領先 (2007.11.19)
外電消息報導，市場研究機構iSuppli日前公佈2007年第三季的全球DRAM市場排名報告，報告中指出，三星電子（Samsung）在全球DRAM記憶體市場排名依舊領先，達27.7％，而海力士（Hynix）半導體則逆勢成長，為唯一一家銷售成長的廠商 |
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為提升獲利 DRAM廠紛導入70奈米製程 (2007.11.12)
DRAM以70奈米製程生產時，測試時間將增加40％。據了解，512Mb的DDR2毛利下跌，因此DRAM廠商為了降低生產成本，紛紛將製程導入70奈米，而產品線也開始轉向生產價格較高的1Gb DDR2 |
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奇夢達開始供應GDDR5樣品 (2007.11.02)
奇夢達公司宣布推出GDDR5記憶體樣品，已開始向客戶供應首款512Mb GDDR5（Graphics Double Data Rate 5）的樣品。
奇夢達公司繪圖產品事業部副總裁Robert Feurle表示：「奇夢達很高興推出首款GDDR5樣品，協助客戶開發支援GDDR5的產品，這項重大進程將確保GDDR5能快速推入繪圖市場 |
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DRAM持續下跌 中芯國際第3季虧損2560萬 (2007.11.01)
外電消息報導，中國中芯國際日前公布財報顯示，其第3季虧損達2560萬美元，虧損幅度超過第2季的210萬美元，但仍較去年同期略有好轉。營收僅較比去年小幅增加6.1%，達3.914億美元 |
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Cypress新4-Mbit nvSRAM採0.13微米SONOS製程 (2007.10.26)
Cypress公司發表一款全新4-Mbit非揮發性靜態隨機存取記憶體（non-volatile static random access memory；nvSRAM），具備15奈秒(ns)的存取時間、無限次數的讀寫及記憶週期、還有長達20年的資料維持等產品特色 |
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聯電跨足記憶體 與爾必達交互授權技術 (2007.10.25)
聯電積極佈局記憶體市場，將與日本爾必達（Elpida）合作進行交互授權，由爾必達提供聯電SOC內嵌DRAM所需的技術，聯電則提供爾必達發展先進製程所需的低介電質銅導線（low-k/Cu）專利 |
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非揮發性記憶體的競合市場 (2007.10.24)
記憶體本身就具有通用與中介的性質，所以發展出來的各類記憶體元件，多能通用於不同系統之間。新一代的記憶體為了更通用之故，所發展的都是非揮發性的記憶體，這樣才能既做為系統隨機存取之用，又能組成各類的儲存裝置，例如嵌入在可攜式裝置中的儲存容量、彈性應用的記憶卡或固態硬碟等 |
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Rambus推出DDR3記憶體控制器介面解決方案 (2007.10.17)
Rambus推出DDR3 DRAM所設計之記憶體控制器介面解決方案。這個完全整合的硬體巨集功能晶片單元（hard macro cell）提供控制器邏輯與DDR3或DDR2 DRAM裝置之間之實體層（PHY）介面，資料傳輸率最高可達1600 MHz |
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新力與奇夢達合資成立新高性能DRAM公司 (2007.10.03)
外電消息報導，日本新力（Sony）與德國奇夢達（Qimonda）於週二（10/2）共同宣佈，將合組一個針對消費性裝置與繪圖應用的新DRAM合資公司，以強化雙方在記憶體市場的競爭能力 |
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奇夢達新推出Micro-DIMM 1 GB模組 (2007.09.07)
奇夢達六日推出兩款DDR2 Micro-DIMM（Dual In-Line Memory Module）產品，其中包括針對UMPC（Ultra Mobile PC）“Always-On”模式所設計的最佳化記憶體產品。新款1GB元件符合JEDEC所制定的Micro-DIMM規格標準，其尺寸為同容量SO-DIMM（Small-Outline DIMM）的65% |
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華邦電子參與中國杭州電子信息博覽會 (2007.09.04)
華邦電子將於2007年9月5日至9月8日參加由台灣區電機電子工業同業公會（TEEMA），商務部外貿發展事務局及杭州市人民政府共同舉辦的中國杭州電子信息博覽會，於此會中將展出華邦兩大系列行動記憶體產品－低功耗動態記憶體及虛擬靜態記憶體 |
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短暫的復甦之後 DRAM市場將再度減弱 (2007.09.04)
根據市場研究公司iSuppli發表報告指出，DRAM記憶體市場在今年第2季短暫的反彈後，將在9月再度轉弱，2007年DRAM記憶體市場約可成長1.97％。
iSuppli 認為，DRAM記憶體因生產過剩而造成持續地過度供給，價格將自9月開始下跌 |
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奇夢達GDDR3系列產品全面升級 (2007.08.30)
記憶體供應商奇夢達公司宣佈擴增旗下GDDR3（Graphics Double Data Rate 3）系列產品，推出新款1Gigabit GDDR3記憶體元件。此外，奇夢達亦推出增進效能的高速版本，全面升級現有的GDDR3產品線 |
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IC Insights：2007下半年DRAM景氣將回溫 (2007.08.27)
外電消息報導，市場研究機構IC Insights日前預測，由於學生即將開學，以及固定的假期需求，2007上半年低迷的DRAM景氣，將有望在下半年逐漸回溫。
IC Insights表示，根據預測的結果，2007年DRAM單位出貨成長率約為49%，而位元出貨量則會大幅成長81%，但仍有可能遭遇一些變故 |
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歐盟向Rambus提起反壟斷的訴訟 (2007.08.26)
外電消息報導，歐盟委員會於上週四（8/23）發表一項聲明表示，因動態隨機記憶體（ＤRAM）專利的授權費用過高，將向美國的記憶體公司Rambus提起反壟斷的訴訟。
歐盟在聲明指出，Rambus掌握了多項的動態隨機記憶體專利技術，並以此獲取「不合理」的高額授權費，因而涉及濫用市場優勢，違反了歐盟的反壟斷規定 |
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Qimonda開始供應512Mbit Mobile-RAM樣品 (2007.07.19)
奇夢達（Qimonda）宣佈開始供應新款512Mbit Mobile-RAM（低功耗存取記憶體）75奈米技術的樣品。Mobile-RAM是超低功耗的DRAM記憶體，耗電量比密度相同的標準DRAM減少80%，適合應用於各種行動裝置，包括智慧型與多功能手機、可攜式衛星導航裝置、數位相機，以及MP3隨身聽 |
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PC記憶體飽和 三星Q2獲利創4年最低 (2007.07.15)
外電消息報導，亞洲最大的半導體製造商三星電子於週日（7/15）公佈第2季財報，據財報顯示，三星電子該季的營收為4年來最低，主因為電腦記憶體供過於求，導致市場價格跌至記錄低點 |
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奇夢達推出省電型FB-DIMM產品 (2007.07.10)
記憶體產品供應商奇夢達公司，近日推出首款Quad-Rank的8GB DDR2 Fully-Buffered Dual-In-Line Memory Modules（FB-DIMMs）記憶體模組，這項技術不僅帶來新一代的多核心伺服器效能，且能降低伺服器的耗電量 |
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力晶協同瑞薩共赴中國大陸設廠 (2007.07.02)
2006年底經濟部同意力晶西進中國大陸設立8吋、0.18微米製程晶圓廠後，力晶曾表示將與日商合作夥伴瑞薩合資前往設廠，以邏輯代工為主，並考慮向日商採購或就地購買二手設備 |
