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DRAM現貨價上漲 合約價維持跌勢 (2005.12.21)
雖然DRAM現貨價在近一週內出現反彈，但是十二月下旬合約價卻未因此而止跌。由於OEM電腦大廠的採購補貨動作多於十二月上旬告一段落，在需求量明顯較上旬冷清情況下 |
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iSuppli：明年DRAM市場將出現負成長 (2005.12.16)
儘管市場分析師看壞明年DRAM市場，但實際上今年第四季價格大跌，部份DRAM廠獲利大幅縮減，對明年的擴產動作已轉為謹慎保守，所以明年全球DRAM市場景氣是好是壞，台灣業者的動作將是重要關鍵 |
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下半年DRAM產量充裕 影響市場行情 (2005.12.14)
根據統計，今年11月份全球DRAM總產出量，已經正式突破7億顆256Mb約當顆粒大關，約來到7億400萬顆，若分析11月各地區的產出量成長情況，此次主要成長動力來自於日本爾必達（Elpida），產能月成長率約達14％，其它地區則有1～3％不等的成長幅度 |
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爾必達12吋新廠啟用 目標全球前三大DRAM廠 (2005.12.02)
日本DRAM大廠爾必達（Elpida）宣布，位於日本廣島的十二吋廠E300新建生產線正式落成啟用，除了明年第一季月產能可達5萬4000片外，十二吋廠也將全線導入90奈米製程量產512Mb DDR2及遊戲機用XDR記憶體等高階產品 |
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DRAM廠第四季毛利率將下滑至10～15％ (2005.11.24)
第四季以來，國內DRAM廠看好年底歐美傳統旺季需求，認為主流產品256Mb DDR現貨價可望維持在2.5美元，不過十月份主機板廠或筆記型電腦（NB）廠出貨雖再創新高，但DRAM卻由十月初的2.6美元，一路跌至的2.1美元 |
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市場競爭加劇 各廠商提升NAND Flash產能 (2005.11.22)
記憶晶片產業的競爭加劇在即，東芝和三星皆傳出調整記憶晶片生產線的消息。日經產業新聞報導指出，東芝試圖使該公司NAND晶片的讀寫速度於明年提高一倍，用以增強東芝與龍頭廠商三星電子競爭的實力，而三星電子同日對外宣布，擬斥資6370億韓元（約合新台幣208億元）擴張包括NAND在內的記憶晶片產能 |
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茂德第二座十二吋晶圓廠落成啟用 (2005.11.20)
茂德科技於中部科學工業園區舉行第二座十二吋晶圓廠──晶圓三廠落成啟用典禮，宣示茂德正式跨越90奈米製程量產世代。茂德董事長曁總經理陳民良表示，全新啟用的十二吋晶圓三廠為台灣第一家有能力以90奈米製程技術量產的十二吋DRAM晶圓廠，其產能規模於2006年第三季時，將達每月三萬片，推升茂德2006年的位元成長率達80% |
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十二吋晶圓廠群聚中科 (2005.11.14)
茂德近日將為台中科學園區的十二吋DRAM晶圓廠舉行落成啟用典禮，這是中科第一座量產的十二吋廠。另一家投產DRAM的華邦十二吋廠，也將於2006年第一季進行量產。此外，茂德還計畫2006年下半年動土興建第四座十二吋廠，力晶亦計畫至中科后里基地申請十二吋建廠用地，台中科學園區已然成為十二吋DRAM晶圓廠群聚之處 |
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512Mb DDR2總產量超越256Mb DDR (2005.10.13)
根據集邦科技全球DRAM產出統計，九月份512Mb DDR2佔全球DRAM總產出量比重已達35％，首度超越256Mb DDR的34％比重，所以若說DDR2已成為DRAM廠出貨主流產品其實並不為過。如今國內DRAM廠看第四季景氣還是樂觀，但來自韓國、日本、台灣三地的十二吋DRAM廠產能仍全速開出，第四季不論是DDR或DDR2，供給過剩的壓力將較第三季更大 |
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TSIA：DRAM製程獎勵應維持0.18微米 (2005.10.03)
經濟部日前正進行兩年一次「新興重要策略性產業屬於製造業及技術服務業部分獎勵辦法」之檢討，其中DRAM部份，擬將獎勵範圍修訂為「DRAM(設計以製程0.13微米以下技術)」 |
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工研院研究DRAM材料獲重大突破 (2005.09.21)
工研院電子所繼日前與國內DRAM大廠力晶、茂德、華邦與南亞等共組「新世代相變化記憶體」技術研發聯盟後，近日則再宣佈DRAM技術獲得關鍵性突破。工研院電子所成功研發出以高介電係數（high-k）材料為主的金屬－絕緣層－金屬（Metal-Insulator-Metal；MIM）電容結構 |
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期許台灣四大DRAM場共同落實研發PCM (2005.07.13)
台灣四大DRAM廠12日在工研院力邀下，簽署一份未來三年內為次世代記憶體技術共同出資新台幣1.2億元的合約，不過歷來所有DRAM大廠每年研發費用動輒數10億元，這樣的資金對於台灣DRAM而言，有如九牛一毛，更何況各家DRAM廠均有其各自的合作夥伴，要達成共同研發次世代記憶體技術的機率，可說是微乎其微 |
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英飛凌將提供業界DDR3裝置及模組 (2005.06.16)
記憶體產品領導廠商英飛凌宣佈將為PC產業之發展廠商提供業界首次採用的DDR3裝置以及模組，與現今市場上最快速的記憶體產品相比較，速度要快上一倍。第一批採用DDR3記憶體技術的系統預計將在2006年的後期推出 |
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12吋廠大幅擴產 DRAM跌價壓力重 (2005.05.25)
根據工商時報報導，DRAM主流規格由256Mb DDR轉換至512Mb DDR2，八吋廠的生產成本優勢已失，十二吋廠成為各家DRAM廠卡位市佔率的重要籌碼，因此雖然今年DRAM價位不佳，但各家業者仍積極擴建十二吋廠生產線 |
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茂德與Hynix合作開發奈米級DRAM製程 (2005.05.24)
根據工商時報消息，儘管茂德90奈米製程仍是向韓國DRAM大廠Hynix以技轉方式取得，但茂德仍希望能開發出自有技術，所以茂德已向竹科管理局提出申請，將在篤行園區內建立茂德的研發設計中心，與Hynix共同開發次世代堆疊式DRAM製程技術 |
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勁永國際將在Computex展舉辦新產品發表會 (2005.05.12)
勁永國際自結94年4月份營業收入為新台幣11.32億元，相較93年同期之新台幣9.07億元，成長24.8%。勁永國際兩大主力產品為DRAM和FLASH，其中FLASH產品佔銷售比例為51%，DRAM產品佔銷售比例為49% |
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PQI研發記憶體模組產品已有重大突破 (2005.05.11)
PQI勁永國際繼四月初發表PQI TurboMemory DDR2-900桌上型電腦專用高效能記憶體模組之後，10日再度推出PQI TurboMemory DDR2-1000桌上型電腦專用高效能記憶體模組。PQI TurboMemory DDR2-1000桌上型電腦專用高效能記憶體模組採用的是DDR2-667原廠顆粒 |
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業者預估第二季DRAM市場價格走軟 (2005.04.29)
據外電消息，DRAM大廠Hynix預測DRAM第二季現貨價會比第一季下跌逾10％，但透過削減成本應仍能讓Hynix維持獲利。另一家DRAM業者星電子亦曾於稍早前做出DRAM價格走軟的預期
Hynix亦表示，該公司降低生產成本的速度比DRAM平均價格的下跌快得多，應能讓Hynix在市場淡季中保持獲利；該公司目前為全球第二大DRAM供應商，銷售排名僅次於三星 |
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花旗認為DRAM價格跌勢將有所減緩 (2005.04.26)
根據彭博資訊（Bloomberg），證券業者花旗集團旗下半導體分析師，宣布將DRAM業者包括美光科技（Micron）、英飛凌（Infineon）與南亞科技等的股票投資評等調高，理由是認為DRAM價格下跌的狀況將開始減緩 |
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DRAM市場競爭激烈 爾必達獲利欠佳 (2005.04.26)
據外電消息，日本DRAM業者爾必達（Elpida）2004年度第四季（2005年1～3月）獲利狀況不佳，由於高階DRAM銷售情況受整體市場不景氣影響，當季稅後虧損達16.8億日圓（約1584.3萬美元），與上一年度同期的稅後盈餘4.9億日圓相較大幅退步 |
