CTIMES - 搜尋：功率半導體

GaN與SiC如何解開AI能源封印？ (2026.06.10)
在AI這個由矽晶片與光纖交織成的虛擬未來裡，人類文明的瘋狂演進，最終依賴的依然是我們管理電子的能力。每一分轉換效率的提升，每一微秒的故障隔離，背後都是無數工程師與半導體材料的生死搏鬥

英飛凌再度入選全球永續發展企業領導者 (2026.05.28)
全球領先的功率半導體解決方案供應商英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再度入選道瓊全球及歐洲領先指數 (Best-in-Class)。標普道瓊指數（S&P Dow Jones Indices）於5月1日在紐約公佈了這一項結果

高功率密度DC/DC模組驅動AI電力效率升級 (2026.05.11)
人工智慧與高效能運算推升資料中心功率密度，傳統配電架構面臨效率與擴充瓶頸。800V HVDC透過高壓低流設計，結合高功率密度電源模組，成為高效能電力系統關鍵技術。

定義兆瓦級AI工廠英飛凌以固態電力技術驅動直流微電網革命 (2026.04.30)
在代理式AI發展如火如荼的新時代，全球對算力的需求正以倍速增加，這股力量也直接拉升了資料中心的能耗基準，傳統的電力架構已難以支撐未來的AI算力需求。英飛凌（Infineon）的技術專家們一致指出：要解開這場能源枷鎖

博世推升半導體效率再躍進第三代SiC晶片強調科技優勢與經濟效益 (2026.04.25)
如今碳化矽（silicon carbide, SiC）晶片已是提升電動車效率，並延長續航里程的關鍵，博世正積極布局這個高速成長的市場，不僅正式推出第三代SiC晶片，並開始向全球汽車製造商提供樣品、擴大產能，期盼獲得越來越多電動車採用

英飛凌攜手DG Matrix，以碳化矽技術推動AI資料中心電力基礎設施發展 (2026.04.02)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與全球固態變壓器（SST）解決方案領導者DG Matrix攜手合作，共同提升電力轉換效率，助力AI資料中心和工業電力應用接入公共電網

英飛凌全方位佈局以固態電力技術解決AI供電難題 (2026.03.31)
隨著 AI邁入 Agentic AI 時代，模型的訓練與推理正急速推升算力需求，AI資料中心除了朝向更高電壓、更高功率密度的方向演進，對於能源的高效率轉換與可靠運行，已成為釋放 AI 算力潛能的關鍵

英飛凌與DG Matrix合作推動AI資料中心電力基礎設施發展 (2026.03.30)
英飛凌科技與DG Matrix攜手合作，共同提升電力轉換效率，助力AI資料中心和工業電力應用接入公共電網。在本次合作中，DG Matrix將採用英飛凌最新一代碳化矽（SiC）技術，應用於其Interport多埠固態變壓器平台

意法半導體擴大 800V DC AI 資料中心電源架構布局攜手 NVIDIA 推出 12V 與 6V 架構 (2026.03.24)
服務廣泛電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱 ST，紐約證券交易所代碼：STM）擴大 800V DC 電源架構布局，推出兩項全新進階架構：800V DC 轉 12V 與 800V DC 轉 6V

群光電能採用英飛凌CoolGaN G5電晶體，為一線筆電品牌打造高功率適配器 (2026.03.13)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣佈，全球領先的筆電適配器製造商群光電能已採用英飛凌CoolGaN G5電晶體，為其核心客戶提供多款筆電適配器

英飛凌碳化矽功率半導體成功應用於豐田 bZ4X 新車款 (2026.03.03)
英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣佈，全球最大汽車製造商豐田 (TOYOTA) 已在其新款車型bZ4X中採用了英飛凌CoolSiC MOSFET（碳化矽功率MOSFET）產品

英飛凌：氮化鎵將重塑電力電子 2030年市場上看30億美元 (2026.02.10)
根據英飛凌科技近期發布的《2026年GaN技術展望》，氮化鎵（GaN）正快速從新興材料轉變為主流功率半導體技術，推動電力電子產業進入高效率、高功率密度與小型化的新階段

瞄準AI資料中心與電網建設英飛凌積極加速擴增產能 (2026.02.04)
在整體半導體景氣仍顯保守的背景下，英飛凌科技公布2026會計年度第一季（2025年10月至12月）營運成果，單季營收達36.62億歐元，部門利潤6.55億歐元，部門利潤率為17.9%，顯示在AI相關需求帶動下，公司營運已展開新年度成功的開端