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筑波科技x美商泰瑞達分享交流化合物半導體材料與測試技術 (2024.04.18)
因應高效能運算和AI趨勢對於創新材料的需求，筑波科技攜手美商泰瑞達Teradyne於17日舉辦首場「化合物半導體材料與測試技術研討會」，此次研討會聚焦於各種測試挑戰與解決方案，邀請產官學界菁英分享如氧化鎵、石墨烯等新興材料應用，探究化合物半導體在矽光子的應用 |
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英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
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英飛凌全新 CoolMOS S7T系列整合溫度感測器性能 (2024.01.11)
英飛凌科技（Infineon）推出整合溫度感測器的全新 CoolMOS S7T 產品系列，具有出色的導通電阻和高精度嵌入式感測器，能夠提高功率電晶體接面溫度感測的精度，適用於提高固態繼電器（SSR）應用的性能和可靠性 |
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意法半導體碳化矽協助理想汽車加速進軍高壓純電動車市場 (2024.01.05)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與中國新能源汽車商理想汽車簽立一項碳化矽（SiC）長期供貨協議，而意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET，支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略 |
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意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵（GaN）電晶體閘極驅動器，新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸，同時降低物料清單成本，能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求 |
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CGD的GaN單晶片 獲台積電歐洲創新區最佳展示獎 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系統單晶片 (SoC) 在台積電( TSMC) 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲「最佳展示」獎。
CGD是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能GaN型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件 |
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宜普：氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵 （GaN）技術在各產業中扮演起重要的角色，中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外，中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司，並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展 |
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ST：提供全面系統解決方案 為工業激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
利用意法半導體2023年工業巡迴論壇的機會，CTIMES零組件雜誌也特別專訪了意法半導體亞太區功率離散和類比產品部行銷和應用副總裁 Francesco Muggeri，詳細闡述ST在工業領域的技術創新 |
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意法半導體ST-ONE系列USD PD控制器提升功率至140W (2023.07.12)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）率先推出通過USB-IF之USB Power Delivery Extended Power Range（USB PD 3.1 EPR）規範認證的整合化數位控制器晶片ST-ONEHP。
ST-ONEHP為ST-ONE系列中的第三款控制器，其輸出電壓為28V，可簡化最高額定功率140W的充電器和電源轉接器的開發設計 |
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意法半導體新款隔離式降壓轉換器晶片靈活可變 (2023.06.06)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出新款10W隔離降壓轉換器晶片L6983i，具備高效能、小包裝，以及低靜態電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優勢。
L6983i採用隔離降壓拓撲結構，需要的外部元件相較傳統隔離式返馳式轉換器少，並且不需要光耦合器，進一步節省物料清單成本和PCB面積，適合於需要隔離式DC-DC轉換器應用 |
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意法半導體100W和65W VIPerGaN功率轉換晶片 可節省空間 (2023.05.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之高壓寬能隙功率轉換晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關準諧振（Quasi-Resonant，QR）返馳式轉換器 |
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電氣化趨勢不可逆 寬能隙技術助電動車市場躍升 (2023.04.17)
汽車動力系統正從內燃機轉向電動機，這是一個不可阻擋的趨勢。
寬能隙半導體材料在功率利用和開關頻率方面具有獨特的優勢。
只有寬能隙半導體能夠實現電動車的目標，協助汽車向永續出行的發展 |
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意法半導體ST-ONEMP數位控制器 簡化高效能雙埠USB-PD轉接器設計 (2023.02.10)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）的高整合度、高效能ST-ONE系列USB供電（USB-PD）數位控制器新增一個支援雙埠的ST-ONEMP晶片。
ST-ONEMP數位控制器採用市面第一個ST-ONE架構，在一個封裝內整合ArmR CortexR-M0+微控制器、高效能非互補有源鉗位返馳式控制器和USB-PD 3.1介面 |
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ST推出碳化矽功率模組 提升電動汽車性能及續航里程 (2022.12.19)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出了可提升電動汽車性能和續航里程之大功率模組。意法半導體的新碳化矽（SiC）功率模組已被用於現代汽車（Hyundai）的E-GMP電動汽車平台，以及共用該平台的起亞汽車（KIA） EV6等多種車款 |
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節能降耗勢在必行 寬能隙半導體發展加速 (2022.07.27)
寬能隙半導體擁有許多優勢，其節能效果非常出色。
碳化矽和氮化鎵兩種技術各有特點，各自的應用情境也有所不同。
寬能隙技術已經催生出一系列相關應用，協助達成碳中和的企業目標 |
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ST為賽米控eMPack電動汽車電源模組提供碳化矽技術 (2022.06.21)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布，為世界電源模組系統領導製造商賽米控（Semikron）的eMPack電動汽車電源模組提供碳化矽（SiC）技術。
該供貨協議為兩家公司為期四年之技術合作的成果，其採用意法半導體先進SiC功率半導體，雙方致力於在高功率密度的系統中達到卓越的效能，並提升成為產業標杆 |
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ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力 |
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新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。 |
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ST VIPerGaN50功率電源轉換器 優化效能與小型化 (2022.04.12)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新款VIPerGaN50能簡化最高50W的單開關反激式功率電源轉換器設計，並整合一個650V氮化鎵（GaN）功率電晶體，優化電源的效能與小型化 |
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EPC新350V氮化鎵功率電晶體 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普電源轉換公司（EPC）推出 EPC2050，這是一款 350 V GaN 電晶體，最大 RDS(on) 為 80 mΩ，?衝輸出電流? 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比，基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍 |
