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具備超載保護USB 供電ISM無線通訊 (2024.02.28)
本文以具有超載保護功能的USB供電 433.92 MHz RF 低雜訊放大器接收器：CN0555為例，說明實際運作的特點及效率。 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展，從而實現更高的效能和更小的尺寸，並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。 |
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鎖定5G先進基地台及行動裝置應用 imec展示高效能矽基氮化鎵 (2023.12.14)
於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了在8吋矽晶圓上製造的氮化鋁（AlN）／氮化鎵（GaN）金屬—絕緣體—半導體（MIS）高電子遷移率電晶體（HEMT），該元件能在28GHz的操作頻率下展現高輸出功率及能源效率 |
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材料創新與測試技術並進 第三代半導體開啟應用新革命 (2023.08.23)
第三代半導體已經在電力能源、電動車、工業市場等領域獲得具體應用。
其高功率密度和高頻率特性，成為現代能源轉換和電動化趨勢的關鍵。
然而開發過程仍然需解決材料、製程、封裝、可靠性測試等挑戰 |
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西門子數位化工業軟體發表新方案 實現設計即正確的IC佈局 (2023.08.02)
西門子數位化工業軟體推出創新解決方案 Calibre DesignEnhancer，能幫助積體電路（IC）、自動佈局佈線（P&R）和全客製化設計團隊在 IC 設計和驗證過程中實現「Calibre 設計即正確」設計佈局修改，從而顯著提高生產力、提升設計品質並加快上市速度 |
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Ansys熱完整性和電源完整性方案通過三星異質晶片封裝認證 (2023.07.03)
Ansys宣佈 Samsung Foundry 認證了Ansys RedHawk 電源完整性和熱驗證平臺，可用於三星的異質多晶片封裝技術系列。透過三星與 Ansys 的合作，更加凸顯電源和熱管理對先進的並排 (2.5D) 和 3D 積體電路 (3D-IC) 系統可靠度和效能的關鍵重要性 |
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西門子提供EDA多項解決方案 通過台積電最新製程認證 (2023.05.10)
身為台積電的長期合作夥伴，西門子數位化工業軟體日前在台積電2023 年北美技術研討會上公布一系列最新認證，展現雙方協力合作的關鍵成果，將進一步實現西門子EDA技術針對台積電最新製程的全面支援 |
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3D 異質整合設計與驗證挑戰 (2023.02.20)
下一代半導體產品越來越依賴垂直整合技術來推動系統密度、速度和產出改善。由於多個物理學之間的耦合效應，對於強大的晶片-封裝-系統設計而言，聯合模擬和聯合分析至關重要 |
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打造6G射頻設計利器 imec推出熱傳模擬架構 (2022.12.06)
本周IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）利用一套蒙地卡羅（Monte Carlo）模型架構，首次展示如何透過微觀尺度的熱載子分佈來進行先進射頻元件的3D熱傳模擬，用於5G與6G無線傳輸應用 |
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新思針對台積電N6RF製程 推出最新RF設計流程 (2022.06.23)
因應日益複雜的RFIC設計要求，新思科技(Synopsys)宣佈針對台積公司N6RF製程推出最新的RF設計流程，此乃新思科技與安矽斯科技(Ansys)和是德科技(Keysight)共同開發的最先進RF CMOS技術，可大幅提升效能與功耗效率 |
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新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵（AlGaN）的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場，結合HEMT的電晶體結構，就能打造新一代的元件與晶片。 |
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Ampleon發佈增強效能的第3代GaN-on-SiC電晶體 (2022.02.23)
埃賦隆半導體（Ampleon）推出兩款新型寬頻碳化矽基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率電晶體（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度元件是最近通過認證並投入生產的第3代GaN-SiC HEMT制程的首發產品 |
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意法半導體推出高效節能且更纖薄的首款PowerGaN產品 (2022.01.12)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出了屬於STPOWER產品組合的新系列GaN功率半導體產品，能大幅降低各種電子產品的能量消耗並縮小尺寸。主要應用於消費性電子產品，例如，充電器、PC外接電源適配器、LED照明驅動器、電視機等家電內部電源 |
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Microchip擴大氮化鎵（GaN）射頻功率元件產品組合 (2021.12.02)
Microchip今日宣佈擴大其氮化鎵（GaN）射頻（RF）功率元件產品組合，推出頻率最高可達20 GHz的新款單晶微波積體電路（MMIC）和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率（PAE）和高線性度，為5G、電子作戰、衛星通訊、商業和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的效能水準 |
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Ansys獲台積電2021年度開放創新平台（OIP）合作夥伴獎 (2021.11.28)
Ansys宣布，獲兩項台積電（TSMC）2021年度開放創新平台（Open Integration Platform；OIP）合作夥伴獎，包括共同開發4奈米（nm）設計基礎架構和共同開發3DFabric設計解決方案。
年度共同夥伴獎肯定台積電開放創新平台 (OIP) 生態系統合作夥伴在過去一年對支援新世代設計的卓越貢獻 |
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工研院攜手英商牛津儀器 共同研究化合物半導體 (2021.09.27)
在經濟部技術處的見證下，工研院攜手英商牛津儀器，簽署研究計劃共同合作，將鏈結雙方研發能量，建構臺灣化合物半導體產業鏈發展，搶攻全球市場。
經濟部技術處表示 |
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意法半導體收購Norstel AB 強化碳化矽產業供應鏈 (2021.09.03)
碳化矽（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產業鏈相關企業的關注，國際間碳化矽晶圓的開發，驅使SiC爭奪戰正一觸即發。 |
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ST和Exagan攜手開啟GaN發展新章節 (2021.08.17)
GaN的固有特性，讓元件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，亦即相較於同尺寸的矽基元件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。 |
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Cree謀轉型發展碳化矽 獨霸SiC晶圓市場 (2021.07.14)
相較於第一代半導體材料的矽（Si）與第二代半導體材料的砷化鎵（GaAs），碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等第三代寬能隙半導體材料擁有高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性 |
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碳化矽基板及磊晶成長領域 環球晶布局掌握關鍵技術 (2021.06.18)
在化合物半導體材料領域，環球晶在碳化矽晶片領域的專利佈局，著重碳化矽晶片的表面加工方法以及磊晶技術。唯有掌握關鍵技術、強化供應鏈及提升半導體晶圓地位，才能夠在國際市場上脫穎而出 |
