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具备超载保护USB 供电ISM无线通讯 (2024.02.28)
本文以具有超载保护功能的USB供电 433.92 MHz RF 低杂讯放大器接收器：CN0555为例，说明实际运作的特点及效率。 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文叙述思考下一代SiC元件将如何发展，从而实现更高的效能和更小的尺寸，并讨论建立稳健的供应链对转用SiC技术的公司的重要性。 |
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锁定5G先进基地台及行动装置应用 imec展示高效能矽基氮化?? (2023.12.14)
於本周举行的2023年IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了在8寸矽晶圆上制造的氮化铝（AlN）／氮化??（GaN）金属绝缘体半导体（MIS）高电子迁移率电晶体（HEMT），该元件能在28GHz的操作频率下展现高输出功率及能源效率 |
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材料创新与测试技术并进 第三代半导体开启应用新革命 (2023.08.23)
第三代半导体已经在电力能源、电动车、工业市场等领域获得具体应用。
其高功率密度和高频率特性，成为现代能源转换和电动化趋势的关键。
然而开发过程仍然需解决材料、制程、封装、可靠性测试等挑战 |
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西门子Calibre DesignEnhancer实现「Calibre设计即正确」IC布局最隹化 (2023.08.02)
西门子数位化工业软体推出创新解决方案 Calibre DesignEnhancer，能帮助积体电路（IC）、自动布局布线（P&R）和全客制化设计团队在 IC 设计和验证过程中实现「Calibre 设计即正确」设计布局修改，从而显着提高生产力、提升设计品质并加快上市速度 |
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Ansys热完整性和电源完整性解决方案通过三星多晶片封装技术认证 (2023.07.03)
Ansys宣布 Samsung Foundry 认证了 Ansys RedHawk 电源完整性和热验证平台，可用於三星的异质多晶片封装技术系列。透过三星与 Ansys 的合作，更加凸显电源和热管理对先进的并排 (2.5D) 和 3D 积体电路 (3D-IC) 系统可靠度和效能的关键重要性 |
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西门子提供EDA多项解决方案 通过台积电最新制程认证 (2023.05.10)
身为台积电的长期合作夥伴，西门子数位化工业软体日前在台积电2023 年北美技术研讨会上公布一系列最新认证，展现双方协力合作的关键成果，将进一步实现西门子EDA技术针对台积电最新制程的全面支援 |
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3D 异质整合设计与验证挑战 (2023.02.20)
下一代半导体产品越来越依赖垂直整合技术来推动系统密度、速度和产出改善。由於多个物理学之间的耦合效应，对於强大的晶片-封装-系统设计而言，联合模拟和联合分析至关重要 |
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打造6G射频设计利器 imec推出热传模拟架构 (2022.12.06)
本周IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）利用一套蒙地卡罗（Monte Carlo）模型架构，首次展示如何透过微观尺度的热载子分布来进行先进射频元件的3D热传模拟，用於5G与6G无线传输应用 |
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新思针对台积电N6RF制程 推出最新RF设计流程 (2022.06.23)
因应日益复杂的RFIC设计要求，新思科技(Synopsys)宣布针对台积公司N6RF制程推出最新的RF设计流程，此乃新思科技与安矽斯科技(Ansys)和是德科技(Keysight)共同开发的最先进RF CMOS技术，可大幅提升效能与功耗效率 |
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新一代单片式整合氮化??晶片 (2022.05.05)
氮化??或氮化铝??（AlGaN）的复合材料能提供更高的电子迁移率与临界电场，结合HEMT的电晶体结构，就能打造新一代的元件与晶片。 |
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Ampleon发布增强效能的第3代碳化矽基氮化??电晶体 (2022.02.23)
埃赋隆半导体（Ampleon）推出两款新型宽频碳化矽基氮化??（GaN-on-SiC）高电子迁移率电晶体（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度元件是最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT制程的首发产品 |
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意法半导体推出高效节能且更纤薄的首款PowerGaN产品 (2022.01.12)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出了属於STPOWER产品组合的新系列GaN功率半导体产品，能大幅降低各种电子产品的能量消耗并缩小尺寸。主要应用於消费性电子产品，例如，充电器、PC外接电源适配器、LED照明驱动器、电视机等家电内部电源 |
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Microchip扩大氮化镓（GaN）射频功率元件产品组合 (2021.12.02)
Microchip今日宣布扩大其氮化镓（GaN）射频（RF）功率元件产品组合，推出频率最高可达20 GHz的新款单晶微波积体电路（MMIC）和分离电晶体。这些元件同时具备高功率附加效率（PAE）和高线性度，为5G、电子作战、卫星通讯、商业和国防雷达系统及测试设备等应用提供了新的效能水准 |
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Ansys获台积电2021年度开放创新平台（OIP）合作伙伴奖 (2021.11.28)
Ansys宣布，获两项台积电（TSMC）2021年度开放创新平台（Open Integration Platform；OIP）合作伙伴奖，包括共同开发4奈米（nm）设计基础架构和共同开发3DFabric设计解决方案。
年度共同伙伴奖肯定台积电开放创新平台 (OIP) 生态系统合作伙伴在过去一年对支援新世代设计的卓越贡献 |
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工研院携手英商牛津仪器 共同研究化合物半导体 (2021.09.27)
在经济部技术处的见证下，工研院携手英商牛津仪器，签署研究计划共同合作，将链结双方研发能量，建构台湾化合物半导体产业链发展，抢攻全球市场。
经济部技术处表示 |
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意法半导体收购Norstel AB 强化碳化矽产业供应链 (2021.09.03)
碳化矽（SiC）功率半导体市场需求激增，吸引产业链相关企业的关注，国际间碳化矽晶圆的开发，驱使SiC争夺战正一触即发。 |
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ST和Exagan携手开启GaN发展新章节 (2021.08.17)
GaN的固有特性，让元件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，亦即相较于同尺寸的矽基元件，GaN可处理更大的负载、效能更高，而且物料清单成本更低。 |
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Cree谋转型发展碳化矽 独霸SiC晶圆市场 (2021.07.14)
相较于第一代半导体材料的矽（Si）与第二代半导体材料的砷化镓（GaAs），碳化矽（SiC）与氮化镓（GaN）等第三代宽能隙半导体材料拥有高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性 |
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碳化矽基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术 (2021.06.18)
在化合物半导体材料领域，环球晶在碳化矽晶片领域的专利布局，着重碳化矽晶片的表面加工方法以及磊晶技术。唯有掌握关键技术、强化供应链及提升半导体晶圆地位，才能够在国际市场上脱颖而出 |
