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台積電攜手半導體中心 培育碩博士實作研究高階人才 (2024.04.02)
為協助半導體領域產學接軌無落差，台積電（TSMC）捐贈量產等級高階半導體設備給國研院半導體中心持續進行研究，協助中心培育碩博士實作研究高階人才，雙方共同推動前瞻科學技術發展，為高科技產業注入更多新動能 |
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高階晶片異常點無所遁形 C-AFM一針見內鬼 (2024.03.21)
從電性量測中發現晶片故障亮點，逐層觀察到底層仍抓不到異常？即使在電子顯微鏡（SEM）影像中偵測到異常電壓對比（VC）時，也無法得知異常點是發生在P接面還是N接面？本文為電性異常四大模式（開路、短路、漏電和高阻值）快速判讀大解析 |
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Imec展示高數值孔徑EUV生態系統進展 率先導入ASML曝光機 (2024.02.26)
於本周舉行的2024年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）將呈現在極紫外光（EUV）製程、光罩和量測技術方面取得的進展，這些技術都在為實現高數值孔徑（high-NA）EUV微影應用而籌備 |
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顯微鏡解決方案助力台灣半導體研發技術力 (2023.09.06)
蔡司在顯微鏡製造領域為各行各業提供啟發靈感的專業解決方案，不僅限於顯微鏡本身，還包含完整的分析軟體及客製化服務，協助客戶達成卓越的成就。 |
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晶背供電技術的DTCO設計方案 (2023.08.11)
比利時微電子研究中心（imec）於本文攜手矽智財公司Arm，介紹一種展示特定晶背供電網路設計的設計技術協同優化（DTCO）方案，其中採用了奈米矽穿孔及埋入式電源軌來進行晶背佈線 |
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掌握失效分析技術關鍵 應對SiP微小化產品多樣需求 (2023.04.21)
失效分析的一般程式分為三個關鍵步驟：失效模式確認、分析失效機理、驗證失效機理和原因，再進一步就是要提出改進措施。失效分析在積體電路（IC）產業鏈中發揮的重要性越來越大 |
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應材推出電子束量測系統 提升High-NA EUV製程的控制與良率 (2023.03.08)
由於包含極紫外光（EUV）和新興高數值孔徑（High-NA）的光阻越來越薄，量測半導體元件特徵的關鍵尺寸變得愈來愈具挑戰性。應用材料公司最新推出新的電子束（eBeam）量測系統，則強調專門用來精確量測由EUV和High-NA EUV微影技術所定義半導體元件的關鍵尺寸（critical dimension） |
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Fractilia將隨機性誤差量測導入晶圓廠 提升EUV管控與良率 (2023.02.22)
Fractilia宣布Fractilia Automation Metrology Environment（FAME）產品組合推出最新生力軍：FAME 300。專為量產（HVM）晶圓廠製造環境所設計的FAME 300，可針對先進節點之微影圖案化誤差最大來源隨機效應（stochastics effects），提供即時測量、檢測與監控 |
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低壓射出成型的蠟型關鍵尺寸 (2022.08.25)
為了改善運用環氧樹脂製作具有異形冷卻水路的矽膠模具時的熱傳導率，本文敘述以快速模具技術來開發射出成型模具，能夠提升射出成型件品質與減少冷卻時間。 |
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非銅金屬半鑲嵌製程 實現窄間距雙層結構互連 (2022.08.05)
imec展示全球首次實驗示範採用18nm導線間距的雙金屬層半鑲嵌模組，強調窄間距自對準通孔的重要性，同時分析並公開該模組的關鍵性能參數，包含通孔與導線的電阻與可靠度 |
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imec最新High-NA EUV技術進展 加速微影生態系統開發 (2022.04.26)
比利時微電子研究中心（imec）於本周國際光學工程學會（SPIE）舉行的先進微影成形技術會議（2022 SPIE Advanced Lithography and Patterning Conference）上展示其High-NA微影技術的重大進展，包含顯影與蝕刻製程開發、新興光阻劑與塗底材料測試，以及量測與光罩技術優化 |
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評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程，並展望其新世代架構，包含叉型片（forksheet）與互補式場效電晶體（CFET）。 |
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感測光的聲音：以醫用光聲成像技術 解析人體組織 (2022.03.08)
光聲學結合光波和聲波，導入醫學成像應用，可以發揮高解析度與偵測深度的雙重優勢，成為新興生醫應用的焦點技術。 |
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運用光學量測技術開發低成本精密蠟型鑄造 (2022.02.16)
本文描述結合ATOS 3D光學量測技術、快速模具技術以及低壓射出成型技術的研究方法，如何在運用低製作成本條件下，開發具備經濟效益精密蠟型之批量生產技術。 |
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運用3D光學量測於金屬3D列印射出成型模具 (2021.10.22)
射出成型模具可以藉由設置異形冷卻水路來縮短冷卻時間。本研究運用金屬3D列印機台，以麻時效鋼粉末製作具有輪廓異形冷卻水路，以及圓形冷卻水路之射出成型模具，. |
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應用材料加速半導體產業實現異質整合技術藍圖 (2021.09.13)
應用材料發布新技術與能力，幫助客戶加速實現異質晶片設計與整合的技術藍圖。應用材料結合先進封裝與大面積基板技術，與產業合作夥伴攜手開發新解決方案，大幅改善晶片功率、效能、單位面積成本與上市時間(PPACt) |
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產學合作創新有成 國研院研發服務平台亮點成果頒獎 (2021.08.30)
為表彰產官學研各界使用國研院的研發服務平台做出頂尖的科研成果，國家實驗研究院（簡稱國研院）今年首度徵選「研發服務平台亮點成果獎」。特優獎係使用台灣儀器 |
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宜特IC電路修補能力 突破5奈米製程 (2021.07.06)
宜特今(7/6)宣佈，其IC晶片FIB電路修補技術達5奈米(nm)製程。這是從2018年首度完成7奈米(nm)製程的樣品後，再次挑戰更先進製程的電路修補，並成功的完成挑戰，協助客戶進行晶片性能優化，加速產品上市 |
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加速導入二維材料 突圍先進邏輯元件的開發瓶頸 (2021.05.10)
二維材料是備受全球矚目的新興開發選擇，各界尤其看好這類材料在延續邏輯元件微縮進展方面的潛力。 |
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超越5G時代的射頻前端模組 (2021.01.05)
透過整合深寬比捕捉（ART）技術與奈米脊型工程，愛美科成功在300mm矽基板上成長出砷化鎵或磷化銦鎵的異質接面雙極電晶體，實現5G毫米波頻段的功率放大應用。 |
