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ROHM EcoGaN产品被台达电子45W输出AC适配器采用 (2024.02.27)
半导体制造商ROHM推出的650V GaN元件（EcoGaN），被台湾台达电子（Delta Electronics）的45W输出AC适配器「Innergie C4 Duo」 采用。该产品透过搭载可提高电源系统效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件，在提高产品性能和可靠性的同时，更实现了小型化 |
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锁定5G先进基地台及行动装置应用 imec展示高效能矽基氮化?? (2023.12.14)
於本周举行的2023年IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了在8寸矽晶圆上制造的氮化铝（AlN）／氮化??（GaN）金属绝缘体半导体（MIS）高电子迁移率电晶体（HEMT），该元件能在28GHz的操作频率下展现高输出功率及能源效率 |
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Transphorm新款TOLT封装形式的SuperGaN FET提供更灵活的热管理 (2023.11.29)
Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧，为采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件 |
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Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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CGD、群光电能与剑桥大学技术服务部共组GaN生态系统 (2023.11.06)
英商剑桥氮化??元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家专注於研发高效能氮化??（GaN）功率元件的半导体公司，致力於打造更环保的电子元件。近日与台湾的电力电子系统整合方案供应商群光电能（Chicony Power Technology）、英国剑桥大学技术服务部（CUTS）签署一项三方协议 |
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ROHM推出LiDAR用120W高输出功率雷射二极体 (2023.10.31)
半导体制造商ROHM推出一款高输出功率半导体雷射二极体「RLD90QZW8」， 非常适用於搭载测距和空间识别用LiDAR的工控设备领域的AGV（Automated Guided Vehicle/无人搬运车） 和服务机器人、消费性电子领域的扫地机器人等应用 |
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Transphorm最新技术白皮书： 常闭型D-Mode与增强型E-Mode氮化??电晶体平台关键优势 (2023.10.19)
氮化??功率半导体产品的先锋企业Transphorm今（19）日发布《Normally-off D-Mode 氮化??电晶体的根本优势》最新白皮书。该技术白皮书科普了共源共栅 （常闭） d-mode氮化??平台固有的优势 |
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ROHM超高速奈秒级闸极驱动器IC可大幅发挥GaN元件性能 (2023.10.19)
近年来在伺服器系统等应用领域，由於物联网（IoT）设备的需求渐增，关於电源部分的功率转换效率提升和设备小型化已成为重要课题，要求功率元件需不断进行优化。另外，不仅在自动驾驶、工控设备和社会基础建设监控等应用领域中也非常广泛的LiDAR，也需要透过高速脉冲雷射光照射来进一步提高辨识精度 |
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CGD的GaN单晶片 获台积电欧洲创新区最隹展示奖 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系统单晶片 (SoC) 在台积电( TSMC) 2023 年欧洲技术研讨会创新区荣获「最隹展示」奖。
CGD是一家无晶圆厂洁净技术半导体公司，专门开发多种节能GaN型功率装置，旨在实现更环保的电子元件 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI应用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管（FET），导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案 |
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ROHM推出EcoGaN Power Stage IC 可助减少应用损耗及实现小型化 (2023.09.04)
近年来消费性电子和工控设备的电源在节能方面的要求升高，以期实现永续发展，因而能够帮助提高功率转换效率和实现元件小型化的GaN HEMT受到关注。但与Si MOSFET比较之下，GaN HEMT的闸极处理较为困难，必须与驱动闸极用的驱动器结合使用 |
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DigiKey於2023年新增逾175,000项产品SKU (2023.07.14)
DigiKey提供最丰富的技术元件与自动化产品品项，而且备妥现货可立即出货；DigiKey宣布，在2023年大幅扩增产品组合，今年至今已新增超过175,000项库存零件，包括在核心业务上新增将近40,000项新推出的产品SKU |
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ROHM高性能650V耐压GaN HEMT开始量产 (2023.05.18)
半导体制造商ROHM已开始650V耐压氮化??（GaN）HEMT
「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量产，此二款产品适用於伺服器和AC适配器等各类型电源系统。
据悉电源和马达的用电量占全世界用电量的一半，为实现无碳社会，如何提高其效率已成为全球性的重要课题 |
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CGD推出ICeGaN 650 V氮化??HEMT系列产品 (2023.05.12)
Cambridge GaN Devices（CGD）今日宣布推出第二代的 ICeGaN 650 V氮化?? HEMT 系列产品，提供领先业界的耐用性、易於使用及最高效率等特色。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 的智慧闸极介面，几??消除一般 E 模式 GaN 的各种弱点，大幅加强过电压耐用性、提供更高的抗杂讯??值，以及提升 dV/dt 抑制和 ESD 保护效果 |
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CGD ICeGaN产品技术经维吉尼亚理工大学研究获验证 (2023.04.10)
无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化?? （GaN）开发出多款高能效功率装置，协助打造出更为环保的电子产品；CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现，CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性 |
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打造6G射频设计利器 imec推出热传模拟架构 (2022.12.06)
本周IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）利用一套蒙地卡罗（Monte Carlo）模型架构，首次展示如何透过微观尺度的热载子分布来进行先进射频元件的3D热传模拟，用於5G与6G无线传输应用 |
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节能降耗势在必行 宽能隙半导体发展加速 (2022.07.27)
宽能隙半导体拥有许多优势，其节能效果非常出色。
碳化矽和氮化??两种技术各有特点，各自的应用情境也有所不同。
宽能隙技术已经催生出一系列相关应用，协助达成碳中和的企业目标 |
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英飞凌携手台达 以宽能隙元件抢攻伺服器及电竞市场 (2022.07.08)
数位化、低碳等全球大趋势推升了采用宽能隙（WBG）元件碳化矽/氮化??（SiC/GaN）的需求。这类元件具备独特的技术特性，能够助力电源产品优化性能和能源效率。
英飞凌科技股份有限公司与台达电子工业股份有限公司两家全球电子大厂 |
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新一代单片式整合氮化??晶片 (2022.05.05)
氮化??或氮化铝??（AlGaN）的复合材料能提供更高的电子迁移率与临界电场，结合HEMT的电晶体结构，就能打造新一代的元件与晶片。 |
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ROHM与台达缔结战略合作夥伴关系 实现GaN功率元件量产 (2022.04.27)
罗姆半导体集团（ROHM Semiconductor）宣布与台达电子（Delta Electronics, Inc.）在第三代半导体GaN（氮化??）功率元件的研发、量产上缔结战略合作夥伴关系。
具体合作内容乃结合台达长年累积的先端电源研发技术，与ROHM的功率元件研发、制造技术，共同研发电源系统中运用范围极为广泛的GaN功率元件（600V） |
