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CTIMES / Pram
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
联电跨足内存 与尔必达交互授权技术 (2007.10.25)
联电积极布局内存市场，将与日本尔必达（Elpida）合作进行交互授权，由尔必达提供联电SOC内嵌DRAM所需的技术，联电则提供尔必达发展先进制程所需的低介电质铜导线（low-k/Cu）专利
日商开发稳定省电之PRAM内存 (2005.10.07)
根据日经产业新闻报导指出，日立制作所与日本瑞萨（Renesas）就新一代的半导体内存PRAM（Phase Change Random Access Memory；阶段变化随机存取内存）的实用化已取得重大进展。根据了解，日制PRAM比起南韩三星电子开发的产品，消费电力仅为其一半，而且内存的密集化、驱动上的稳定性，有过之而无不及

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