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CTIMES / Coolsic Mosfet
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
英飞??全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列促进汽车和工业发展 (2024.03.29)
英飞凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以满足工业和汽车电源应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级 SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双主动式桥式（DAB）、HERIC、降压/升压和相移全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化
英飞凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 产品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飞凌科技（Infineon）推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V装置，除了能够满足设计人员对更高功率密度的需求，即使面对严格的高电压和开关频率要求，也能够维持系统的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率

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