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Intermolecular与尔必达合作研发次世代内存技术 (2008.08.19)
Intermolecular与尔必达宣布了一项新的合作发展计划（ CDP）和授权协议，以加速尔必达次世代IC新材料与制程技术的发展。这项合作发展计划将采用Intermolecular物理气相沉积（ PVD）与原子层沉积（ ALD ）的工作流程和应用方案 |
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尔必达将投资苏州DRAM新厂 (2008.08.13)
尔必达将继广岛和台湾之后，在中国苏州工业园区新设支持12吋晶圆的DRAM厂，这将是尔必达全球第三个生产基地。据了解，该DRAM厂主要用于应付中国市场快速成长的个人计算机等需求 |
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08年Q2全球内存销售 三星依旧称王 (2008.08.11)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli日前表示，根据统计数据，今年第二季三星电子在全球内存市场上依旧表现抢眼，市场占有率已超过了30%，持续维持第一大内存厂的龙头地位 |
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尔必达与奇梦达将合作开发新一代DRAM (2008.04.29)
DRAM产业将有一番重组了。据了解，全球第三大厂德国奇梦达与第四大厂商尔必达内存将就合作开发DRAM技术签署备忘录，并将在近期正式签订协议。备忘录内容将包括：合作开发40nm制程以下的DRAM产品、并包括设计和制程技术在内的IP交叉授权，未来并将成立合资工厂，共同生产产品并统合经营策略等 |
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联电技术授权尔必达 广岛厂产能将用于代工 (2008.03.20)
尔必达与联电（UMC）就合作发展日本的芯片代工业务达成协议。据了解，尔必达将获得联电的IP内核与先进逻辑技术，在广岛尔必达内存的12吋晶圆厂（E300 Fab）进行晶圆生产 |
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Rambus XDR内存架构荣获DesignVision大奖 (2008.02.25)
Rambus宣布国际工程协会（International Engineering Consortium，IEC）评选Rambus的XDR内存架构为2008年半导体与集成电路（知识产权）类别的DesignVision大奖得主。国际工程协会DesignVision大奖评赏奖励业界最独特、受益性最高的技术、应用、产品和服务 |
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联电跨足内存 与尔必达交互授权技术 (2007.10.25)
联电积极布局内存市场，将与日本尔必达（Elpida）合作进行交互授权，由尔必达提供联电SOC内嵌DRAM所需的技术，联电则提供尔必达发展先进制程所需的低介电质铜导线（low-k/Cu）专利 |
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尔必达与中芯将成为合资伙伴 (2007.04.10)
尔必达将在近期宣布以设备与技术作价，来取得中芯成都厂八吋厂成芯，以及武汉十二吋厂新芯的股权，也就是尔必达与中芯将正式成为合资伙伴，这也是尔必达继宣布与力晶合资设立瑞晶后，另一项海外的重大投资计划 |
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日本尔必达将在明年初决定新厂落脚何处 (2006.08.01)
根据路透社消息指出，全球第五大动态随机存取内存（DRAM）芯片制造商－日本尔必达内存（Elpida Memory）于2006年8月1号表示，将在明年初以前决定新芯片厂，在海外选择方面，考虑过税率和补贴事宜后，目标缩小到三个地方，考虑的建厂地点包括台湾、中国和新加坡 |
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尔必达考虑于台湾设立DRAM新厂 (2006.07.20)
根据报导，日本DRAM制造厂尔必达（Elpida）考虑将计划中的先进工厂设在台湾。该公司将和在日本国内设厂的优劣进行比较之后，再作出最后决定。
据了解，尔必达计划的新厂设备可制造加工宽度只有70奈米的DRAM半导体回路线，预定月产10万片，同时也计划生产下一代的半导体PRAM |
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完成90奈米认证 中芯将为尔必达代工DRAM (2006.06.20)
日本DRAM厂尔必达及中国晶圆代工厂中芯国际共同宣布，中芯北京十二吋厂已经完成了尔必达90奈米制程认证，将开始为尔必达代工512Mb DDR2产品。中芯国际总裁暨执行长张汝京说，中芯北京厂已开始进入为尔必达量产DRAM的代工工程，未来与尔必达间亦会针对先进制程继续合作 |
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DRAM厂锁定发展高毛利之利基型产品 (2006.06.15)
从2005年第四季起，全球前五大DRAM厂三星、美光、奇梦达（Qimonda）、海力士与尔必达等，已经明确对外表示，未来DRAM事业着重重点，将不再是标准型DRAM，而是锁定高毛利的利基型DRAM |
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尔必达提高委外代工量 力晶、中芯受惠 (2006.01.25)
日本DRAM厂尔必达看好应用在消费性电子产品、服务器等的利基型DRAM市场，宣布「首要DRAM事业」（PremierDRAM Business）策略，本身十二吋厂虽然在一月开出5万4000片月产能，但会以利基型DRAM为投片主力 |
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尔必达12吋新厂启用 目标全球前三大DRAM厂 (2005.12.02)
日本DRAM大厂尔必达（Elpida）宣布，位于日本广岛的十二吋厂E300新建生产线正式落成启用，除了明年第一季月产能可达5万4000片外，十二吋厂也将全线导入90奈米制程量产512Mb DDR2及游戏机用XDR内存等高阶产品 |
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9月份全球DRAM产出量 尔必达成长率夺魁 (2003.10.13)
根据集邦科技（DRAMeXchange）所公布最新全球DRAM厂9月份产出量，总产出已达2.703亿颗（256Mb计算），与8月份全球产出量相较，成长幅度仅达1.27％，显示出全球各大DRAM颗粒厂在投片量及产出良率，并未出现重大突破，估计要到11月全球DRAM产出量才有机会出现明显增长 |
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尔必达社长呼吁日本IT业者团结求胜 (2003.09.30)
日本厂商在此次IT需求荣景下表现特别出色，但日本DRAM业者尔必达社长在在接受日本经济新闻访问，对日系IT厂商能否一举从败部再度复活发表看法时却表示，日本IT厂商仍需进一步选择与集中事业，并加强国内厂商间的合作，才能与国际大厂共同竞争 |
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尔必达亦将日政府提出反Hynix倾销DRAM案 (2003.08.21)
据工商时报报导，继欧美等国控诉南韩DRAM业者Hynix接受南韩政府不当补助、违反市场公平交易原则的控告之后，为防止Hynix在日本市场进行倾销，日本DRAM业者尔必达（Elpida）也已经向日本政府提出对Hynix之控告 |
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12吋厂产能陆续开出DRAM供过于求现象恐难避免 (2003.03.21)
英飞凌（Infineon）、美光（Micron）等国际DRAM大厂，日前在美林科技论坛中表示，DRAM厂今年新增产能主要来自于制程微缩，但预估供给量成长幅度仍高达40％左右，市场恐要到第四季才有供需平衡机会，而包括三星、美光、尔必达（Elpida）等业者的12吋晶圆厂产能将在明年大幅开出，恐将使市场落入供给过剩的情况 |
IEEE1394是一种能让计算机与接口设备之间相互链接沟通的共同接口标准。如此迅速有效率的传输速度，便时常应用在连接讯号传输密度高、传输量大的接口设备。
