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Agilent发表储存网络用的光纤信道控制器 (2004.09.15)
安捷伦科技（Agilent Technologies）宣布4 Gb/s光纤信道控制器IC采用了新的PCI Express系统总线。这个组件是安捷伦Tachyon系列光纤信道控制器产品中的最新成员，它以单芯片的形式，为储存设备OEM提供了突破性的效能和埠密度 |
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如何量测并消弭记忆体元件中的软错？ (2004.09.03)
当记忆体元件被使用于支援各种关键任务的应用，尤其是负责控制系统运作时，软错（Soft Errors）可能会产生严重的影响，不但造成资料的毁损，更可能导致功能与系统的故障；本文将探讨这些软错的成因、不同的量测技术以及克服这些软错的方法 |
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Cypress扩增FLEx72系列高带宽双埠RAM产品 (2004.08.20)
Cypress日前发表两款新组件，4-Mbit(CYD04S72V)与9-Mbit(CYD09S72V)的产品样本，扩增FLEx72系列高带宽双埠RAM的产品系列阵容。Cypress并针对x72-bit-wide多埠内存增添一款18-Mbit FLEx72组件，目前已开始量产 |
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美国国家半导体推出雷射二极管驱动器 (2004.08.18)
美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation)推出一款适用于光学拾讯器 (Optical Pickup Units；OPU) 而设的全新雷射二极管驱动器。这款型号为 LMH6533 的芯片具有极快开关速度、极低输出电流噪声以及低功耗等优点 |
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英飞凌推出DDR2内存模块 (2004.08.12)
英飞凌(Infineon Technologies AG)推出使用在Sub-Notebook的DDR-Micro-DIMM模块 (Dual In-line 内存模块)，此款符合JEDEC规范的Micro-DIMM只有使用在一般笔记本电脑相同容量的SO-DIMM (Small Outline DIMM)的65%之大小 |
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M-Systems的DiskOnKey增加2GB容量 (2004.08.02)
Smart DiskOnKey平台的创造者M-Systems，已经将DiskOnKey装置的容量增至2GB。新增的储存容量，结合了DOK T5处理器的卓越速度，让新装置成为多种工作的理想解决方案，包括传输大型档案、修复数据与备份、档案暂存与管理操作系统 |
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IC Insights调降Flash市场成长率预估 (2004.05.31)
因市场平均价格（ASP）下降，市调机构IC Insights宣布调降对闪存（Flash）市场的整体预测值，该机构认为，2004年闪存市场将比2003年成长45％，略低于该机构原先所预期的48％ |
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Flash双雄率先降价 宣战意味浓厚 (2004.05.25)
主宰全球NAND型闪存（Flash）市场的三星电子（Samsung）与东芝（Toshiba），日前不约而同采取降价行动，对此市场意见皆认为，两大厂的降价动作似乎是为了对后来加入的竞争者宣战，包括英飞凌（Infineon）、海力士（Hynix）、意法微电子（STMicroelectronics）与美光（Micron）等计划在近期投入NAND型Flash生产的业者 |
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加强产品差异化 摆脱景气循环漩涡 (2004.04.08)
由于DRAM产业的景气循环特性，多数生产标准型DRAM的厂商，皆有过像坐云霄飞车的经验，这对于公司的长远发展当然不是好事。不过近几年，由于消费性电子市场的成长，非标准型内存的应用越见广泛，也带动此一市场的成长，全球第二大内存厂商Micron（美光）也藉此机会，致力于发展非标准型的内存市场 |
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东芝将推出4Gb NAND Flash (2004.04.06)
路透社消息指出，东芝（Toshiba）表示将推出全球储存量最大的闪存，以期在竞争日益激烈的可重复读写内存市场上抵挡竞争。
容量4Gb的NAND闪存将在4月稍晚开始推出，售价为12000日圆(114美元)，预计2004年第三季可量产 |
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神达智能型手机采用M-Systems内存解决方案 (2004.04.05)
M-Systems表示，该公司的Mobile DiskOnChip闪存，成为神达计算机Mio 8390智能型手机的内建多媒体内存解决方案。Mio 8390三频式手机，采用微软Windows Mobile操作系统(Smart Phone 2003)，并支持GSM、GPRS 900、1800与1900 MHz，因此该手机实际上能与全球各地的行动网络兼容 |
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Hynix将与意法在中国合资兴建12吋晶圆厂 (2004.03.23)
据路透社报导，韩国DRAM大厂Hynix半导体日前表示，该公司计划与欧洲最大半导体厂商意法微电子（STMicroelectronics）进行合作，双方将在中国大陆无锡合资兴建生产DRAM与闪存（Flash）的12吋晶圆厂 |
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MCP内存将成手机应用大宗 (2004.03.11)
市调机构iSuppli最新报告指出，MCP（multichip package memory；多重芯片封装）内存渐成为手机内存标准，目前全球手机已有半数以上使用MCP内存，分析师预估，未来4年全球MCP内存年复合成长率将可高达37.6％ |
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英特尔指Flash至少可再维持五年荣景 (2004.03.10)
英特尔（Intel）技术及制造事业群（Technology & Manufacturing Group）副总Stefan Lai，日前在参加一场科技论坛时指出，若业者能顺利进阶到45奈米以下制程，NAND型及ETOX型闪存（Flash）至少可继续维持5年荣景 |
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离职员工向东芝索赔闪存权利金 (2004.03.04)
据彭博信息（Bloomberg）报导，前东芝员工舛冈富士雄日前向东京地裁所提出申请，要求东芝以10亿日圆（约为910万美元）代价，买下闪存（Flash）专利权。到目前为止，东芝尚未对此发表任何意见 |
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三星近期调降NAND芯片现货价 (2004.02.26)
掌控全球六成NAND闪存市场的南韩三星电子，近期开始下调NAND芯片现货价格，据模块业者指出，三星此举除反映产出增加的供需情况，刺激更多需求外，也希望藉此打压Hynix、英飞凌等新进供货商 |
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英特尔推出90奈米无线闪存 (2004.02.23)
工商时报报导，英特尔于美国旧金山举行的英特尔开发者论坛（IDF）中，发表全球第一套采用90奈米制程、NOR规格的英特尔无线闪存（Intel Wireless Flash Memory），该产品是英特尔利用第9世代的技术生产，芯片尺寸大小比前一世代缩小约50％，有助于降低成本并让英特尔的产能增加2倍 |
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常忆科技闪存产品符合环保标准 (2004.02.19)
电子零组件代理商益登科技所代理的常忆科技（PMC）日前宣布，它的闪存产品系列已超越无铅封装的环保要求，完全未使用任何含铅材料；在某些特定条件下，这些含铅材料可能会对环境造成伤害 |
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NAND与NOR型Flash将在手机市场出现竞争 (2004.02.16)
网站Silicon Strategies引述市调机构iSuppli报告指出，过去在不同领域各擅胜场的NAND型与NOR型闪存（Flash），将随着手机发展愈趋先进而在手机市场上正面遭遇竞争，而NOR型芯片的市场地位将遭到NAND型的挑战 |
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三星将支出3亿美元扩充DRAM产能 (2004.02.05)
网站Silicon Strategies消息指出，为因应DRAM需求攀升，南韩三星（Samsung）电子2004年度将支出3597亿韩元（约3.07亿美元），用来扩充DRAM产能。分析师认为，三星在致力于Flash市场维持竞争力的同时，也将尽力守住DRAM市场霸主地位，因此有必要持续针对这些重点内存产品加码投资 |
总的来说，一系列与时俱进的Bus规格标准，便是不断提升在计算机主机与接口设备之间，数据传输速度、容量与质量的应用过程。下面我们就简介几个重要的总线应用规格标准。
