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ROHM榮獲EcoVadis的2021年永續發展最高評價「白金獎」 (2022.01.10)
半導體製造商ROHM在 EcoVadis（總部位於法國）的2021年永續發展調查中，獲得最高評價「白金獎」，這是ROHM首次榮獲該獎項。「白金獎」是針對約80,000家評價對象中排名前1%企業所頒發的獎項 |
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Microchip擴大氮化鎵（GaN）射頻功率元件產品組合 (2021.12.02)
Microchip今日宣佈擴大其氮化鎵（GaN）射頻（RF）功率元件產品組合，推出頻率最高可達20 GHz的新款單晶微波積體電路（MMIC）和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率（PAE）和高線性度，為5G、電子作戰、衛星通訊、商業和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的效能水準 |
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ST隔離式SiC閘極驅動器問世 採用窄型SO-8封裝節省空間 (2021.11.04)
意法半導體（STMicroelectronics）新推出之STGAP2SiCSN是為控制碳化矽MOSFET而優化的單通道閘極驅動器，其採用了節省空間的窄體SO-8封裝，具備穩定的效能和精準的PWM控制。
SiC功率技術被廣泛使用於提升功率轉換效率，而STGAP2SiCSN SiC驅動器可簡化節能型電源系統、驅動和控制電路設計以節省空間，並加強穩定性和可靠性 |
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「2021電源管理與電力設計研討會」特別報導 (2021.10.27)
愛德克斯：高整合電驅系統當道 電機與電池模擬測試是關鍵
電動車產業正如火如荼的發展，包含台灣在內，各國政府也透過法令與補貼政策，全力推動電動車市場的成形 |
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ROHM榮獲UAES SiC功率解決方案優先供應商殊榮 (2021.10.27)
半導體製造商ROHM榮獲中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司（UAES）的SiC功率解決方案優先供應商殊榮。
UAES和ROHM自2015年開始技術交流以來，雙方在採用SiC功率元件的車電應用產品開發方面建立了合作夥伴關係 |
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2021年全球GaN功率廠出貨排名預測 納微半導體以29%居冠 (2021.09.30)
根據TrendForce研究顯示，受惠於消費性快充產品需求快速上升，如手機品牌小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭，憑藉高散熱效能與體積小的產品優勢獲得消費者青睞，截至目前筆電廠商也有意跟進，使GaN功率市場成為第三代半導體產業中產值上升最快速的類別，預估2021年營收將達8,300萬美元，年增率高達73% |
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中央大學攜手是德 建立第三代半導體研發暨測試開放實驗室 (2021.09.28)
是德科技（Keysight）攜手國立中央大學光電科學研究中心（National Central University Optical Sciences Center），共同合作提高了GaN、SiC應用研發及測試驗證之效率，並加速5G基建及電動車創新之步伐 |
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TI推出最新GaN技術 攜手台達打造高效能伺服器電源供應器 (2021.09.26)
德州儀器（TI）宣佈，其氮化鎵（GaN）技術和 C2000 即時微控制器（MCU），輔以台達的電力電子核心技術，為資料中心開發設計高效、高功率的企業用伺服器電源供應器（PSU） |
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意法半導體推出單晶片 GaN 閘極驅動器 (2021.09.10)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出STDRIVEG600半橋閘極驅動器輸出電流大，上下橋輸出訊號傳播延遲為45ns，能夠驅動GaN加強型 FET 高頻開關。
STDRIVEG600的驅動電源電壓最高20V，還適用於驅動N溝道矽基MOSFET，在驅動GaN元件時，可以靈活地施加最高6V閘極－源極電壓（Gate-Source Voltage；VGS），確保導通電阻Rds(on)保持在較低水準 |
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英飛凌攜手Panasonic 共同加速650 V GaN功率裝置技術發展 (2021.09.06)
英飛凌科技和 Panasonic 公司，已針對共同開發及生產第二代 (Gen2) 氮化鎵 (GaN) 技術簽訂合約，基於已獲認可接受的GaN技術，Gen2技術將提供更高效率和功率密度水準。
為了因應市場需求，Gen2 將會開發為 650 V GaN HEMT |
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聯華電子與頎邦科技 經股份交換建立策略合作關係 (2021.09.06)
聯華電子、宏誠創投(聯電持股100%子公司)及頎邦科技董事會今日分別通過股份交換案，聯華電子及頎邦科技兩家公司將建立長期策略合作關係。
聯電以先進製程技術提供晶圓製造服務，為IC產業各項應用產品生產晶片，並且持續推出尖端製程技術及完整的解決方案，以符合客戶的晶片設計需求，所提供方案橫跨14奈米到0 |
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新能源車需求助攻 2025年GaN功率元件年CAGR達78% (2021.09.05)
TrendForce表示，2021年隨著各國於5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使如基地台、能源轉換器（Converter）及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁 |
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盛美發佈首台晶圓級封裝和電鍍應用電鍍設備 (2021.08.31)
盛美半導體設備發佈了新產品—Ultra ECP GIII電鍍設備，以支援化合物半導體(SiC, GaN)和砷化鎵(GaAs) 晶圓級封裝。該系列設備還能將金（Au）鍍到背面深孔制程中，具有更好的均勻性和臺階覆蓋率 |
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拓展碳化矽實力 安森美將收購GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生產商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 於美國時間8月25日宣佈已達成最終協定，根據該協定，安森美將以4.15億美元現金收購GTAT。
GTAT 成立於 1994 年，在包括 SiC 在內的晶體成長方面擁有豐富的經驗 |
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邊緣運算推升伺服器需求 英飛凌讓電源供應器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的數據量正在加速爆走中，尤其是物聯網和邊緣運算應用被逐步導入市場之後，各種機器與設備的資料和數據，就日夜不停地被記錄與傳送到雲端資料中心與伺服器之中，直接推升了各個領域對於伺服器的建置需求 |
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意法半導體製造首批8吋碳化矽晶圓 (2021.08.13)
意法半導體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠製造出首批8吋（200mm）碳化矽（SiC）晶圓，這些晶圓將用於生產下一代功率電子晶片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得重要階段性的成功 |
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科銳攜手邁凌科技 實現新型超寬頻5G技術 (2021.07.14)
科銳 (Cree, Inc.,)宣佈，與美商邁凌科技(MaxLinea)成功合作，結合科銳 Wolfspeed碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)中頻功率放大器，和美商邁凌科技超寬頻線性化解決方案(MaxLin)，增加了 5G 基地台的無線容量，可支援更多人同時使用，並且提高了資料傳輸速度 |
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恩智浦將氮化鎵應用於5G多晶片模組 (2021.07.07)
降低能源消耗（energy consumption）為電信基礎設施的主要目標之一，其中每一點效率都至關重要。在多晶片模組中使用氮化鎵可在2.6 GHz頻率下將產品組合效率提高至 52%，比公司上一代模組高出8% |
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ST車規GaN產品新系列 整合車載充電器、自駕LiDAR等智慧電路 (2021.05.26)
意法半導體（ST）推出了 STi2GaN系列智慧整合氮化鎵（GaN）解決方案。STi2GaN在高功率配置的高性能解決方案內整合功率級和智慧電路，滿足汽車電動化趨勢下的創新需求。
透過意法半導體於車用電子應用研發的豐富經驗、在智慧功率技術、寬能隙半導體材料和封裝技術的優勢和創新成果 |
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PI推新款GaN返馳式切換開關IC 用於超小型行動充電器 (2021.05.25)
節能型電源轉換高壓IC大廠Power Integrations（PI）今日宣佈推出InnoSwitch 4-CZ系列的高頻率、零電壓切換(ZVS)返馳式切換開關IC。InnoSwitch4-CZ裝置結合了採用Power Integrations PowiGaN技術的750V主開關和高頻主動箝位返馳式控制器，適用於手機、平板電腦和筆記型電腦的超小型充電器 |
