 |
飛宏新款65W配接器採用Transphorm氮化鎵技術 (2022.08.02)
全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏（Phihong）新推出65W 2C1A USB PD配接器，其中採用Transphorm公司的氮化鎵（GaN）技術。這款配接器採用Transphorm的SuperGaN第四代技術，這是一種氮化鎵場效應管（FET）平台，具有系統設計簡單，元件數量少，高性能，高可靠等優點 |
 |
EPC推出高功率密度100V抗輻射電晶體 滿足嚴格航太應用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其總劑量等級大於1 Mrad，線性能量轉移的單一事件效應抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝，這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）和IC相同 |
 |
EPC推出高功率密度100V抗輻射電晶體 滿足嚴格航太應用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其總劑量等級大於1 Mrad，線性能量轉移的單一事件效應抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝，這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）和IC相同 |
|
ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力 |
|
ST攜手MACOM 達成射頻矽基氮化鎵原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力 |
|
[COMPUTEX] 德儀：運用GaN技術可提升資料中心的能源效率 (2022.05.26)
德州儀器(TI)副總裁暨台灣、韓國與南亞總裁李原榮，今（26）日於2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協助客戶充分發揮氮化鎵（GaN）技術的潛力，以實現更高的功率密度和效率 |
|
[COMPUTEX] 德儀：運用GaN技術可提升資料中心的能源效率 (2022.05.26)
德州儀器(TI)副總裁暨台灣、韓國與南亞總裁李原榮，今（26）日於2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協助客戶充分發揮氮化鎵（GaN）技術的潛力，以實現更高的功率密度和效率 |
|
EPC積極發展光達應用的車規認證積體電路 (2022.04.29)
EPC公司宣佈推出 額定電壓?100 V、58 mΩ 和脈衝電流為20 A 的共源雙路氮化鎵場效應電晶體EPC2221，可用於機器人、監控系統、無人機、自動駕駛車輛和吸塵器的光達系統。
(圖一)EPC新推面向光達應用、通過車規認證的積體電路
EPC2221採用低電感、低電容設計，允許快速開關 (100 MHz) 和窄脈衝寬度 (2 ns)，從而實現高解析度和高效率 |
|
EPC積極發展光達應用的車規認證積體電路 (2022.04.29)
EPC公司宣佈推出 額定電壓?100 V、58 mΩ 和脈衝電流為20 A 的共源雙路氮化鎵場效應電晶體EPC2221，可用於機器人、監控系統、無人機、自動駕駛車輛和吸塵器的光達系統。
EPC2221採用低電感、低電容設計，允許快速開關 (100 MHz) 和窄脈衝寬度 (2 ns)，從而實現高解析度和高效率 |
|
羅姆集團旗下SiCrystal紀念成立25周年 (2022.04.28)
半導體製造商羅姆集團旗下的 SiCrystal GmbH（以下簡稱SiCrystal）迎來了成立25周年紀念日。SiCrystal是一家總部位於德國紐倫堡的SiC（碳化矽）晶圓製造商，經過了25年的發展，目前已將業務範圍擴展到全世界，並擁有200多名員工 |
|
羅姆集團旗下SiCrystal紀念成立25周年 (2022.04.28)
半導體製造商羅姆集團旗下的 SiCrystal GmbH（以下簡稱SiCrystal）迎來了成立25周年紀念日。SiCrystal是一家總部位於德國紐倫堡的SiC（碳化矽）晶圓製造商，經過了25年的發展，目前已將業務範圍擴展到全世界，並擁有200多名員工 |
|
EPC新350V氮化鎵功率電晶體 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普電源轉換公司（EPC）推出 EPC2050，這是一款 350 V GaN 電晶體，最大 RDS(on) 為 80 mΩ，?衝輸出電流? 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比，基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍 |
|
EPC新350V氮化鎵功率電晶體 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普電源轉換公司（EPC）推出 EPC2050，這是一款 350 V GaN 電晶體，最大 RDS(on) 為 80 mΩ，?衝輸出電流? 26 A。 EPC2050 的尺寸僅為 1.95 mm x 1.95 mm。與採用等效矽元件的解決方案相比，基於EPC2050的解決方案的佔板面積小十倍 |
|
宏光半導體以GaN核心力 全方位建構實現策略性轉型 (2022.04.01)
宏光半導體專注經營發光二極管（LED）燈珠業務，持續追尋多元化發展，於年內正式投身第三代半導體氮化鎵（「GaN」）行業。集團憑藉其在LED製造方面的行業專業知識，將業務擴展至第三代半導體晶片設計製造及系統應用解決方案 |
|
宏光半導體以GaN核心力 全方位建構實現策略性轉型 (2022.04.01)
宏光半導體專注經營發光二極管（LED）燈珠業務，持續追尋多元化發展，於年內正式投身第三代半導體氮化鎵（「GaN」）行業。集團憑藉其在LED製造方面的行業專業知識，將業務擴展至第三代半導體晶片設計製造及系統應用解決方案 |
|
ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制 (2022.03.29)
半導體製造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用於基地台、資料中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路 |
|
ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制 (2022.03.29)
半導體製造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用於基地台、資料中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路 |
|
ST：發展碳化矽技術 關鍵在掌控整套產業鏈 (2022.03.14)
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散元件產品部（ADG）執行副總裁暨功率電晶體事業部總經理Edoardo MERLI指出，由於全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，並將氣溫上升控制在1 |
|
ST：發展碳化矽技術 關鍵在掌控整套產業鏈 (2022.03.14)
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散元件產品部（ADG）執行副總裁暨功率電晶體事業部總經理Edoardo MERLI指出，由於全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，並將氣溫上升控制在1 |
|
ST第三代碳化矽技術問世 瞄準汽車與工業市場應用 (2022.03.14)
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要，由於全球能源需求正在不斷成長，因此必須控制碳排放，並將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現這些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標 |
