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聯電推55奈米BCD平台 提升智慧手機、消費電子與車用電源效率 (2025.10.22)
聯華電子（UMC）推出55奈米Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）平台，以滿足次世代行動裝置、消費電子、汽車及工業應用對高效能與低功耗電源管理晶片的需求。該平台整合類比、數位與電源功能於單一晶片上，可實現更小晶片面積、更低功耗與更佳抗雜訊表現，大幅提升電源電路設計的靈活性與可靠性 |
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聯電推55奈米BCD平台 提升智慧手機、消費電子與車用電源效率 (2025.10.22)
聯華電子（UMC）推出55奈米Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）平台，以滿足次世代行動裝置、消費電子、汽車及工業應用對高效能與低功耗電源管理晶片的需求。該平台整合類比、數位與電源功能於單一晶片上，可實現更小晶片面積、更低功耗與更佳抗雜訊表現，大幅提升電源電路設計的靈活性與可靠性 |
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Weebit Nano授權ReRAM技術給安森美半導體 (2025.01.02)
以色列記憶體技術開發商Weebit Nano Limited宣布，已將其電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 技術授權給安森美半導體。
根據協議條款，Weebit ReRAM IP將整合到安森美半導體的Treo平台中，以提供嵌入式非揮發性記憶體 (NVM) |
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Weebit Nano授權ReRAM技術給安森美半導體 (2025.01.02)
以色列記憶體技術開發商Weebit Nano Limited宣布，已將其電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 技術授權給安森美半導體。
根據協議條款，Weebit ReRAM IP將整合到安森美半導體的Treo平台中，以提供嵌入式非揮發性記憶體 (NVM) |
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攜手格芯 Microchip開始量產28奈米SuperFlash嵌入式快閃記憶體 (2023.09.28)
GlobalFoundries、Microchip及其旗下子公司冠捷半導體（SST）今（28）日宣佈，採用GF 28SLPe製程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM解決方案即將投產。
(圖一)採用GlobalFoundries 28SLPe 製程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM 解決方案即將投產 |
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攜手格芯 Microchip開始量產28奈米SuperFlash嵌入式快閃記憶體 (2023.09.28)
GlobalFoundries、Microchip及其旗下子公司冠捷半導體（SST）今（28）日宣佈，採用GF 28SLPe製程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM解決方案即將投產。
隨著邊緣智慧化水準的不斷提高，嵌入式快閃記憶體的應用也呈爆炸式增長 |
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ST：內部擴產與製造外包並進 全盤掌控半導體供應鏈 (2023.05.18)
技術研發和製造策略是ST達成營收目標的關鍵要素之一。透過不斷投資具有競爭力的專利技術，擴大內部產能，輔之以外包加工。這是ST在半導體策略上的致勝關鍵。 |
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力旺和聯電合作22奈米RRAM可靠度驗證 對應AIoT與行動通訊市場 (2023.03.28)
力旺電子與聯華電子今（28）日宣布，力旺的可變電阻式記憶體（RRAM）矽智財已通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證，為聯電的AIoT與行動通訊應用平台提供更多元的嵌入式記憶體解決方案 |
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力旺和聯電合作22奈米RRAM可靠度驗證 對應AIoT與行動通訊市場 (2023.03.28)
力旺電子與聯華電子今（28）日宣布，力旺的可變電阻式記憶體（RRAM）矽智財已通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證，為聯電的AIoT與行動通訊應用平台提供更多元的嵌入式記憶體解決方案 |
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下一個自動化時代 新網宇實體系統正面影響力 (2022.05.25)
工業發展的驅動力為何？ ST突破感測器、人工智慧、通訊等領域的技術，以創新的網宇實體系統開啟下一個自動化時代。 |
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西門子與聯華電子合作開發BCD技術平台製程設計套件 (2022.02.17)
西門子數位化工業軟體與聯華電子（UMC）近日達成合作，共同開發適用於聯華電子110nm和180nm BCD技術平台的製程設計套件（PDK）。
聯華電子為全球半導體晶圓專工業的領導者，專注於邏輯和特殊技術 |
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西門子與聯華電子合作開發BCD技術平台製程設計套件 (2022.02.17)
西門子數位化工業軟體與聯華電子（UMC）近日達成合作，共同開發適用於聯華電子110nm和180nm BCD技術平台的製程設計套件（PDK）。
(圖一)BCD技術平台的製程設計套件PDK
聯華電子為全球半導體晶圓專工業的領導者，專注於邏輯和特殊技術 |
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意法半導體：回顧2021年與展望2022年 (2021.12.30)
本文為意法半導體（ST）總裁暨執行長Mr Jean-Marc 於訪談中回顧2021年與對於2022年的展望， |
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ST：LBS是實現AR眼鏡應用的最佳技術 (2021.12.06)
關於擴增實境（AR），大家很清楚「實境」有不同的含義。第一個是虛擬實境，即個人完全沉浸在虛擬世界的體驗中。接著是擴增實境，即把簡單的數位內容覆蓋顯示在現實世界中 |
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ST：LBS是實現AR眼鏡應用的最佳技術 (2021.12.06)
關於擴增實境（AR），大家很清楚「實境」有不同的含義。第一個是虛擬實境，即個人完全沉浸在虛擬世界的體驗中。接著是擴增實境，即把簡單的數位內容覆蓋顯示在現實世界中 |
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ST：LBS是開發AR眼鏡應用的最佳技術 (2021.12.06)
智慧眼鏡是擴增實境使用案例。至於混合實境，介於虛擬實境和擴增實境之間。因此有必要進一步瞭解擴增實境，特別是智慧眼鏡，以及ST技術如何讓智慧眼鏡能更快速地導入市場 |
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力旺攜手聯電推出新興非揮發記憶體ReRAM矽智財 (2021.11.04)
力旺電子與聯電(UMC)今日宣布，力旺電子的可變電阻式記憶體（ReRAM）矽智財已成功通過聯電40奈米認證，支援消費性與工業規格之應用。
力旺電子的ReRAM矽智財於聯電40奈米製程驗證成功，充分顯示力旺不但在傳統非揮發記憶體矽智財產品線穩居領先地位，也在新興非揮發記憶體技術研發佈局有成 |
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力旺攜手聯電推出新興非揮發記憶體ReRAM矽智財 (2021.11.04)
力旺電子與聯電(UMC)今日宣布，力旺電子的可變電阻式記憶體（ReRAM）矽智財已成功通過聯電40奈米認證，支援消費性與工業規格之應用。
力旺電子的ReRAM矽智財於聯電40奈米製程驗證成功，充分顯示力旺不但在傳統非揮發記憶體矽智財產品線穩居領先地位，也在新興非揮發記憶體技術研發佈局有成 |
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第二季晶圓代工受惠價漲量增 產值季增6%創歷史新高 (2021.08.31)
根據TrendForce調查顯示，後疫情需求、通訊世代轉換、及地緣政治風險和長期缺貨引發的恐慌性備貨潮在第二季度持續延燒，受到晶圓代工產能限制而無法滿足出貨目標的各項終端產品備貨力道不墜，加上第一季漲價晶圓陸續產出的帶動下，第二季晶圓代工產值達244.07億美元，季增6.2%，自2019年第三季以來已連續八個季度創下歷史新高 |
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第二季晶圓代工受惠價漲量增 產值季增6%創歷史新高 (2021.08.31)
根據TrendForce調查顯示，後疫情需求、通訊世代轉換、及地緣政治風險和長期缺貨引發的恐慌性備貨潮在第二季度持續延燒，受到晶圓代工產能限制而無法滿足出貨目標的各項終端產品備貨力道不墜，加上第一季漲價晶圓陸續產出的帶動下，第二季晶圓代工產值達244.07億美元，季增6.2%，自2019年第三季以來已連續八個季度創下歷史新高 |
