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安森美推出TOLL封裝SiC MOSFET 小尺寸封裝高性能低損耗 (2022.05.11)
安森美（onsemi）， 在PCIM Europe展會發佈全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化矽（SiC）MOSFET。該電晶體滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關元件迅速增長的需求。直到最近，SiC元件一直採用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝 |
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UnitedSiC推出最小導通電阻6mΩ SiC FET 耗損僅競品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的應用正快速且廣泛的成長中，尤其是電動車相關的市場，而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC（聯合碳化矽），今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品，該元件的導通電阻（RDS on）僅有6mΩ，僅有競爭對手SiC MOSFET產品的一半，並提供了5μs額定短路耐受時間 |
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EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可實現優異冷藏效率 (2018.10.25)
本文說明閘極驅動器電路有效設計的基本考量，以及結合運用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所帶來的效益。 |
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Nexperia推出尺寸減小80%的汽車用功率MOSFET封裝 (2017.03.17)
Nexperia前身為恩智浦(NXP)的標準產品部門，該公司推出採用新型LFPAK33熱增強型無損耗封裝的汽車用功率MOSFET，與業界標準元件相比，尺寸減小80%以上。如今的汽車產業要求在減小汽車內模組尺寸的同時，持續提高能源效率和可靠性，而LFPAK33元件具備顯著降低的電阻，可有效因應這一日益增加的產業壓力 |
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深入解析新型Power Clip 33 Dual MOSFET (2013.10.07)
若干因素（包括矽材料的選擇、IC 佈局、功率電路組態）推動 Dual Power MOSET 的發展，使其在更小封裝內實現更高功率密度。 |
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快捷半導體 20V 單一 P 通道 PowerTrench® MOSFET (2012.08.10)
為了幫助手機及其他可攜式應用設計人員改善電池充電和負載開關， 快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)擴大其 P 通道 PowerTrench® MOSFET 產品線。
FDMA910PZ 和 FDME910PZT 具備 MicroFET™ MOSFET 封裝，並提供以他們的尺寸大小（2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm）而言，卓越的散熱性能，令他們完全匹配開關和線性模式應用 |
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Fairchild與Infineon達成創新型汽車MOSFET無鉛封裝技術授權合約 (2012.04.20)
快捷半導體(Fairchild)和英飛凌科技(Infineon)日前宣佈已就英飛凌的H-PSOF (附散熱片之小形扁平接腳塑料封裝) 先進汽車MOSFET封裝技術達成授權合約。H-PSOF是符合JEDEC標準的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299) |
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Fairchild與Infineon簽訂車用MOSFET 封裝技術協議 (2012.04.11)
英飛凌 (Infineon) 和快捷半導體 (Fairchild)日前宣佈，針對英飛凌先進的車用 MOSFET 封裝技術 H-PSOF（帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝）簽訂授權協議，該技術是符合 JEDEC 標準的 TO 無導線封裝 (MO-299) |
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瑞薩電子新高壓電源MOSFET 可減少52%導通損失 (2011.02.01)
瑞薩電子近日宣佈，推出能為電源供應器提供超高效率的高壓N-channel電源金屬氧化半導體場效電晶體（MOSFET）產品--RJK60S5DPK。新的電源MOSFET能減少PC伺服器、通訊基地台以及太陽能發電系統的耗電量 |
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快捷推出超緊湊薄型MicroFET MOSFET產品系列 (2010.05.24)
快捷半導體（Fairchild）為滿足可攜式產品設計人員不斷追尋效率更高、外形更小更薄的解決方案的需求，推出採用超緊湊薄型（1.6mm x 1.6mm x 0.55mm）封裝的高性能MicroFET MOSFET產品系列 |
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Diodes推出新型MOSFET H橋元件 (2009.07.02)
Diodes公司推出四款H橋MOSFET封裝，為空間有限的應用減少元件數量和PCB尺寸，顯著簡化DC散熱扇和CCFL反相器電路的設計。
Diodes亞太區技術市場總監梁後權指出，ZXMHC零件採用SO8封裝，設有兩對互補型N和P通道MOSFET，可以取代四個分立的SOT23封裝MOSFET或兩個SO8互補型MOSFET封裝 |
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Fairchild新款MicroFET MOSFET可延長電池壽命 (2009.03.24)
快捷半導體（Fairchild Semiconductor）推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N通道和單N通道MOSFET元件，可延長手機、電動牙刷和刮鬍刀等應用中的電池壽命。
這兩款產品採用具有高熱效的2mm x 2mm x 0 |
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Vishay推出新款p通道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出採用PowerPAK SC-75封裝的p通道功率MOSFET系列，該系列包括額定電壓介於8V～30V的多個器件，這些是採用此封裝類型的首批具有上述額定電壓的器件。
日前推出的這些器件包括首款採用PowerPAK SC-75封裝的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)單p通道功率MOSFET |
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Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET (2008.04.10)
日前，為滿足對可攜式設備中更小元件的需求，Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET，該元件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有此類元件中最薄厚度及最低導通電阻。
Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面積 |
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IR授予英飛凌科技DirectFET封裝技術授權同意書 (2007.09.28)
英飛凌科技與美商國際整流器公司（International Rectifier，IR）共同宣佈，英飛凌將取得國際整流器公司授權使用該公司獲得專利的先進功率管理封裝技術DirectFET。
DirectFET的設計專門運用在電腦、筆記型電腦、通訊及消費性電子裝置的AC-DC及DC-DC功率轉換應用上 |
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Vishay推出N信道功率MOSFET (2007.01.16)
Vishay宣布推出八款採用創新型PowerPAK ChipFET封裝的N信道功率MOSFET，該封裝可提供熱性能，其占位面積僅為3毫米×1.8毫米。這些元件採用各種配置和電壓，可使設計人員輕鬆替換廣泛功率轉換應用中的較大型功率MOSFET |
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IR推出高效率150V DirectFET MOSFET (2006.12.21)
國際整流器公司(IR)推出最新150V DirectFET MOSFET–IRF6643PbF，適用於包括36V至75V通用電訊輸入及48V固定輸入系統等多種運作環境的隔離式DC-DC轉換器。新DirectFET元件結合了IR的DirectFET封裝技術及新一代HEXFET功率MOSFET矽晶體 |
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IR推出全新30V同步降壓轉換器晶片組 (2006.07.28)
IR推出由IRF6631控制MOSFET及IRF6638同步MOSFET組成的全新30V同步降壓轉換器晶片組；這個組合備有IR的基準DirectFET封裝及雙面冷卻功能，並具備最新的HEXFET MOSFET技術，能在中電流水平(低於18安培)達致高效率及散熱效能 |
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Vishay推出創新型PolarPAK封裝兩款功率MOSFET (2005.12.23)
Vishay宣佈，該公司正推出率先採用其創新型PolarPAK封裝的兩款功率MOSFET，該封裝使用雙面冷卻，可降低熱阻、封裝電阻及封裝電感，從而實現更高效、更快速的開關功率MOSFET |
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IR推出兩款新型DirectFET功率MOSFET (2005.10.14)
功率半導體及管理方案領導廠商–國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出兩款新型的DirectFET功率MOSFET。相比常用於網路及通訊系統的中功率200W DC-DC匯流排轉換器應用中的增強式SO-8元件，它們可以把系統層面的功率損耗減少10% |
