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VR與文物保護結合 運用虛擬技術強化沉浸式體驗 (2026.03.15)
虛擬實境(VR)技術正迅速進入教育與文化遺產保護領域。根據「Nature」最新研究指出,將VR應用於非物質文化遺產(ICH)傳播,能有效突破時空限制,讓使用者如親臨現場般感受傳統文化精髓
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科技活化人文 VR技術讓福建土樓文化認知準確率達92% (2026.01.18)
一項針對中國福建土樓的最新研究指出,透過虛擬實境(VR)技術建構的元宇宙展廳,能讓受試者的空間認知準確率達到92%。該研究提出的「文化視覺化(CV)」評估模型,成功驗證了沉浸式技術在文化細節保留與傳播上,其效果顯著優於圖片、影片等傳統媒體,為瀕危文化遺產的活化開闢了科學路徑
科技活化人文 VR技術讓福建土樓文化認知準確率達92% (2026.01.18)
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貿澤電子與Analog Devices和Molex攜手推出全新電子書,分享微型電子元件領域的專家觀點 (2025.11.21)
全球最新電子元件和工業自動化產品的授權代理商Mouser Electronics(貿澤電子)宣佈與Analog Devices, Inc. (ADI) 及Molex合作出版全新電子書,聚焦於引領未來的微型化趨勢,探索最前沿的應用發展
貿澤電子與Analog Devices和Molex攜手推出全新電子書,分享微型電子元件領域的專家觀點 (2025.11.21)
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亞灣展現智慧科技產業聚落成效 吸引23家企業投資95億元落地 (2025.11.18)
經濟部產發署今(18)日發表亞灣智慧科技產業聚落成果,展示自2024年推動亞灣2.0方案項下招商引資工作,挹注新台幣13億元政策資源,已成功吸引23家資通訊科技企業落地,累計帶動投資金額達95億元,展現其推動亞灣成為跨足半導體晶片設計、AI算力與智慧應用的科技產業聚落與國際輸出具體成果
陽明交大研發全球首款可量產液晶眼鏡 革新近視老花治療 (2025.09.01)
國立陽明交通大學光電系特聘教授林怡欣的跨國團隊,攜手群創光電,成功開發出全球第一款可量產的「梯度折射率液晶眼鏡」,為光學科技帶來重大突破。此款眼鏡能以電池電力自由調整焦距,讓使用者告別傳統多焦點眼鏡需要移動視角的限制
陽明交大研發全球首款可量產液晶眼鏡 革新近視老花治療 (2025.09.01)
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生產力再進化!虛實整合讓協作機器人戰力翻倍 (2025.08.18)
在通用型人形機器人普及並大規模應用於產線之前,當下真正引領製造業與服務業變革、串連數位與物理世界的關鍵,則是「協作機器人」。
告別靜態展覽 AI與VR技術聯手打造個人化智慧博物館 (2025.07.28)
新研究指出,透過整合人工智慧(AI)、虛擬實境(VR)與電腦視覺(CV)等尖端技術,未來的博物館將不再是單純的靜態展示場所,而是能提供沉浸式、個人化體驗的動態智慧空間
告別靜態展覽 AI與VR技術聯手打造個人化智慧博物館 (2025.07.28)
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美國半導體新創開發奈米磁處理晶片 大幅降低AI運算功耗 (2025.07.26)
根據外媒報導,美國西雅圖的一家新創公司TriMagnetix正開發一種革命性的奈米磁處理晶片,其能源效率預計將比現有半導體高出數個數量級,且能與現有運算基礎設施無縫整合
美國半導體新創開發奈米磁處理晶片 大幅降低AI運算功耗 (2025.07.26)
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Anritsu安立知推出先進5G裝置測試方案 推動高速大容量通訊發展 (2025.07.22)
Anritsu 安立知成功開發並推出用於其無線通訊綜合測試平台 MT8000A 的全新軟體選項,專為評估智慧型手機等 5G 裝置的射頻 (RF) 性能而設計。這些選項支援 3GPP Release 17 規範中的關鍵技術
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工研院創新顯示技術助攻達擎 推動AI虛實融合技術落地應用 (2025.06.18)
為推動顯示產業的數位轉型與高值化應用,工研院今(18)日宣布與友達光電旗下子公司達擎攜手合作,運用自主開發的AI虛實融合技術及新興顯示產品,包括:智慧育樂、智慧零售與智慧移動商業應用情境,打造差異化市場,創造超越虛擬實境VR的嶄新價值體驗
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英國突破GaN電晶體技術 為6G通訊開創新視野 (2025.06.16)
根據外媒報導,英國布里斯托大學(University of Bristol)的研究團隊成功開發出「超晶格櫛形場效電晶體」(Superlattice Castellated Field Effect Transistors, SLCFETs),透過創新的氮化鎵(GaN)材料中的「閂鎖效應」(latch effect)
英國突破GaN電晶體技術 為6G通訊開創新視野 (2025.06.16)
根據外媒報導,英國布里斯托大學(University of Bristol)的研究團隊成功開發出「超晶格櫛形場效電晶體」(Superlattice Castellated Field Effect Transistors, SLCFETs),透過創新的氮化鎵(GaN)材料中的「閂鎖效應」(latch effect)


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