CTIMES - 搜尋：高功率密度

金屬中心攜手愛知製鋼將「輕稀土磁石射出成形」用於馬達轉子 (2026.06.12)
面對全球稀土供應鏈重組與限縮，稀土材料已成為馬達與關鍵零組件發展的重要戰略元素。近日金屬工業研究發展中心副執行長林烈全也與日本愛知製鋼社長菅田雅巳代表雙方，共同簽署合作備忘錄（MOU）；由喬智開發董事長陳俐臻、台灣馬達產業協會理事張文嘉等貴賓共同見證，展現台日雙方在關鍵材料與馬達應用技術上的合作深化

格棋化合物半導體榮獲第22屆台灣金根獎 (2026.06.10)
台灣碳化矽（SiC）材料廠格棋化合物半導體獲第22屆台灣金根獎肯定。台灣金根獎以「深耕台灣、佈局全球」為核心精神，表揚以台灣為營運根基、具備國際市場拓展能力與產業競爭力的企業

Microchip 推出 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，支援 AI 資料中心固態變壓器應用 (2026.05.28)
Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，專為加速 AI 超大規模資料中心與其他高電壓電力應用導入固態變壓器（Solid-State Transformer, SST）而設計。新模組於業界標準 62 mm 封裝中整合 3.3 kV 碳化矽（SiC）mSiC MOSFET 與蕭特基二極體，可實現從中壓電網直接向伺服器機櫃提供高效率電力傳輸

從資料中心到先進封裝的散熱變革 (2026.05.12)
為了探討AI時代的散熱轉型，本文特別採訪了新思科技，以及Cadence。從物理模擬與系統級分析的角度，剖析如何為新一代AI基礎建設打造最堅實的散熱後盾。

高功率密度DC/DC模組驅動AI電力效率升級 (2026.05.11)
人工智慧與高效能運算推升資料中心功率密度，傳統配電架構面臨效率與擴充瓶頸。800V HVDC透過高壓低流設計，結合高功率密度電源模組，成為高效能電力系統關鍵技術。

跨越1000W物理牆 AI時代的熱管理系統革命 (2026.05.10)
進入 2026 年，散熱技術已不再只是單一組件的效能競賽，而是一場牽動結構整合、電性穩定與可靠度的系統級攻防戰。

挑戰供應鏈韌性高能效馬達爭商機 (2026.05.07)
回顧2025年以來，雖然因為歐、美禁燃令縮手，導致部分車輛與工業用馬達銷售狀況不如預期；後續又有地緣政治衝突、稀土管制等挑戰不斷。但到了2026年，則可望隨著機器人、無人機等電動載具崛起，而迎來轉機

定義兆瓦級AI工廠英飛凌以固態電力技術驅動直流微電網革命 (2026.04.30)
在代理式AI發展如火如荼的新時代，全球對算力的需求正以倍速增加，這股力量也直接拉升了資料中心的能耗基準，傳統的電力架構已難以支撐未來的AI算力需求。英飛凌（Infineon）的技術專家們一致指出：要解開這場能源枷鎖

2026.5月(第414期)解熱攻防戰：從資料中心到智慧穿戴的散熱對策 (2026.04.27)
2026年，散熱技術不再是單一路徑的演進。資料中心正邁入氣冷與水冷的混合轉型期；而終端裝置如AI PC與智慧眼鏡，則面臨更嚴苛的空間與熱感極限。本期將深度剖析散熱零組件如何透過模擬工具，並搭配材料創新與結構設計，在效能、空間與能源效率之間取得黃金平衡

英飛凌全方位佈局以固態電力技術解決AI供電難題 (2026.03.31)
隨著 AI邁入 Agentic AI 時代，模型的訓練與推理正急速推升算力需求，AI資料中心除了朝向更高電壓、更高功率密度的方向演進，對於能源的高效率轉換與可靠運行，已成為釋放 AI 算力潛能的關鍵

TI開發高效能隔離式電源模組推動資料中心與電動車邁向更高功率密度 (2026.03.24)
德州儀器（TI）推出全新隔離式電源模組，協助提升包括資料中心至電動車（EV）等應用中的功率密度、效率與安全性。UCC34141-Q1與UCC33420隔離式電源模組採用TI的IsoShield技術，這是一項具專有的多晶片封裝解決方案，可使隔離式電源設計中的模組功率密度相較離散式解決方案最多高出三倍

意法半導體擴大 800V DC AI 資料中心電源架構布局攜手 NVIDIA 推出 12V 與 6V 架構 (2026.03.24)
服務廣泛電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱 ST，紐約證券交易所代碼：STM）擴大 800V DC 電源架構布局，推出兩項全新進階架構：800V DC 轉 12V 與 800V DC 轉 6V

TI與NVIDIA合作開發800V直流電源架構鎖定下一代AI資料中心 (2026.03.18)
德州儀器（TI）發表一套完整的800V直流電源架構，專為基於NVIDIA 800V直流電源參考設計的下一代AI資料中心而設計。此解決方案於2026年NVIDIA GTC展出。TI也展示其類比與嵌入式處理技術如何支援NVIDIA推動AI資料中心高電壓系統發展

英飛凌：氮化鎵將重塑電力電子 2030年市場上看30億美元 (2026.02.10)
根據英飛凌科技近期發布的《2026年GaN技術展望》，氮化鎵（GaN）正快速從新興材料轉變為主流功率半導體技術，推動電力電子產業進入高效率、高功率密度與小型化的新階段

Microchip 發表全新電源模組，提升 AI 資料中心功率密度與能源效率 (2026.02.04)
隨著 AI 與高效能運算工作負載持續攀升，市場極需具備高效率、高可靠度與可擴充性的電源解決方案。整合式電源模組可簡化設計流程、降低能耗，並為先進資料中心提供穩定效能