 |
英特爾於2026 VLS發表18A-P製程與GaN+Si數位電源技術 (2026.06.19)
英特爾（Intel）在夏威夷舉辦的「2026年VLSI技術與電路研討會上，首度公開其最新「Intel 18A-P」製程的關鍵進展，並在現場成功展示了全球首創的 300mm晶圓級氮化鎵與矽邏輯晶片（GaN+Si）單片整合技術 |
 |
英飛凌首款碳化矽功率模組可在205℃運作 針對電動汽車逆變器設計 (2026.06.18)
英飛凌科技在電動汽車逆變器功率模組領域完成一個新的里程碑：HybridPACK Drive 系列正式推出全新 1300 V 碳化矽（SiC）模組，該模組能夠在高達 205℃的溫度下持續運行。市面上現有的同類設計通常最高僅允許在 175℃ 下運行 |
 |
GaN與SiC如何解開AI能源封印？ (2026.06.10)
在AI這個由矽晶片與光纖交織成的虛擬未來裡，人類文明的瘋狂演進，最終依賴的依然是我們管理電子的能力。每一分轉換效率的提升，每一微秒的故障隔離，背後都是無數工程師與半導體材料的生死搏鬥 |
|
ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的SiC MOSFET產品被選定為支援次世代電源系統的SiC功率元件 |
|
MIT成功以單晶片鑽石薄膜大幅提升GaN晶體管散熱效能 (2026.06.09)
隨著6G通訊技術與衛星通訊硬體向更高頻段、高功率方向演進，次世代半導體元件的熱管理正逼近物理極限。麻省理工學院（MIT）研究團隊日前發表一項技術突破，成功在氮化鎵（GaN）高功率晶體管頂部，成功生長出超薄的「單晶鑽石」薄膜層 |
|
AI如何成為交通系統的操作核心 (2026.06.09)
交通系統向城市操作系統（City OS）的轉型，實質上是人類社會走向「智慧社會」的縮影，許多廠商的努力，讓一個安全、高效、且具備高度韌性的移動生態已然具備雛形 |
|
12V極限與48V革命的必然性 (2026.06.08)
AI功耗大爆炸。這是一場人類在追求極致智慧的道路上，與物理學、材料學進行的正面遭遇戰。 |
|
台達首度亮相預製型模組化AI資料中心 縮短60%建置時間 (2026.06.03)
聚焦AI高速發展下，為滿足高能效、高功率、高密度的迫切需求，台達近日於COMPUTEX 2026，以「Superior Efficiency, Shaping Sustainable AI」為主題，首度亮相預製型模組化AI資料中心，因應企業AI轉型，縮短60% 建置時間；並展示下一代AI資料中心的先進電源、散熱及微電網技術，接軌高壓直流架構 |
|
AI工廠引爆機架功率需求 NVIDIA MGX與ADI聯手推動800 VDC供電 (2026.06.02)
隨著AI工作負載持續加速，邁向AI工廠的轉型正推動機架級功率密度達到前所未有的水準。為了因應此變革，NVIDIA MGX開放式模組化架構發揮著核心作用，透過加速系統設計與提升可擴展性，協助下一代AI基礎設施快速部署 |
|
Power Integrations超薄型PSU設計 適用於800VDC AI資料中心 (2026.06.01)
在COMPUTEX 2026前夕，高壓能效電源轉換整合晶片商Power Integrations今（1）日推出兩款專為800VDC AI資料中心打造的新款超薄緊湊型輔助電源供應器（PSU）參考設計，首度採用高度整合、耐1700V額定電壓的PowiGaN單一HEMT IC，強調可節省空間、簡化系統架構、提升可靠性並減少BOM零件數，實現最高達88%效率 |
|
亞洲首屆東京人形機器人峰會揭幕 具身智慧硬體元年啟動 (2026.05.28)
由ALM Ventures主辦、全球機器人產業矚目的「2026年東京人形機器人峰會（Humanoids Summit 2026 Tokyo）」於東京高輪網關會議中心正式揭幕，揭示為人形機器人平台化元年正式啟動 |
|
聯發科技與元太科技深化合作 以GAI SoC整合彩色電子紙升級閱讀體驗 (2026.05.26)
聯發科技與元太科技將深化合作，透過整合聯發科技全球首款專為生成式AI電子閱讀器打造的系統單晶片（SoC）與內建硬體時序控制晶片（Hardware TCON），同步支援最新彩色電子紙技術平台 E Ink Gallery 與 E Ink Kaleido，共同布局以彩色內容為核心的電子書閱讀器與教育市場，進一步提升智慧閱讀與數位學習體驗 |
|
TI將重啟類比晶片調漲 產線面臨結構性調整 (2026.05.24)
根據外媒報導，供應鏈最新報告指出，晶片大廠德州儀器（TI）即將啟動新一輪的價格調整，部分關鍵電子元件的漲幅預計將達到驚人的15%至85%。
市場數據顯示，本次調價的範疇極廣，涵蓋數位隔離器（Digital isolators）、隔離驅動IC（Isolation driver ICs）以及電源管理晶片（PMIC） |
|
為中壓汽車架構選擇48伏特連接器須知 (2026.05.20)
由於車載系統因法規與電子需求轉向48V中電壓架構，本文探討48伏特降本減重的優勢、連接器選型策略、防電弧安全機制，以及解決方案。 |
|
德州儀器：AI算力物理限制已到 800V高壓直流供電成唯一解方 (2026.05.19)
德州儀器（TI）美國總部算力技術專家 Pradeep S. Shenoy 在受訪時直言，AI 晶片對電力的索求正以驚人的幾何級數飆升。 |
|
聯電推14奈米eHV FinFET平台 助力新一代智慧手機顯示技術創新 (2026.05.14)
聯華電子推出用於顯示驅動IC的14奈米嵌入式高壓(eHV) FinFET技術平台，並可提供製程設計套件供客戶進行設計導入。 |
|
2.3GHz雙通道ATE實現MIPI多位準波形生成 (2026.05.12)
本文敘述ADATE334整合雙通道DCL與PPMU架構，結合高速多工器與高低壓驅動器協同運作，可於2.3GHz頻寬下產生相容MIPI C-PHY與D-PHY多位準波形，滿足高速介面測試與訊號生成需求 |
|
高功率密度DC/DC模組驅動AI電力效率升級 (2026.05.11)
人工智慧與高效能運算推升資料中心功率密度，傳統配電架構面臨效率與擴充瓶頸。800V HVDC透過高壓低流設計，結合高功率密度電源模組，成為高效能電力系統關鍵技術。 |
|
跨越1000W物理牆 AI時代的熱管理系統革命 (2026.05.10)
進入 2026 年，散熱技術已不再只是單一組件的效能競賽，而是一場牽動結構整合、電性穩定與可靠度的系統級攻防戰。 |
|
IBM：多模型協作架構可將AI工具轉化為「流程管理員」 (2026.05.07)
在亞太市場，開發團隊面臨的痛點已非單純的「寫程式速度」，而是如何在高壓的合規環境下，加速系統現代化，並彌補關鍵IT技術的人才鴻溝。 |
