CTIMES - 雙極電晶體

Diodes的雙極電晶體採用3.3mm x 3.3mm封裝並提供更高的功率密度 (2019.03.12)
Diodes公司推出NPN與PNP功率雙極電晶體，採用小尺寸封裝(3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達100V與3A的應用提供更高的功率密度。新款NPN與PNP電晶體的尺寸較小，可在閘極驅動功率MOSFET與IGBT、線性DC-DC降壓穩壓器、PNP LDO及負載開關電路，提供更高的功率密度設計

Diodes全新微型電晶體佔位面積縮減40% (2015.01.30)
Diodes公司推出採用DFN0606封裝的NPN電晶體MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP電晶體MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產品的電路板面積僅0.36mm2，比採用DFN1006 (SOT883) 封裝的同類型元件小40%，並能提供相等甚至更佳的電氣效能

IR擴充堅固可靠600V節能溝道IGBT系列 (2014.05.19)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充節能600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 系列，並提供多種封裝選擇。全新堅固可靠的IRxx46xx 元件系列為從小型馬達及低負載產品以至工業應用的完整功率應用範圍作出優化，包括不斷電供應系統 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業用馬達和焊接應用

IR擴充600V溝道超高速IGBT陣容 (2013.02.21)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 陣容，推出堅固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D及IRGP4660D，藉以優化不斷電供應系統 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業用馬達和焊接應用

IR Gen8 1200V IGBT技術平台提升效率及耐用性 (2012.11.21)
國際整流器公司(IR)日前推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術。 Gen8設計讓Vce(on) 能夠減少功耗，增加功率密度，以及提供耐用性

IR Gen8 1200V IGBT技術平台提升效率及耐用性 (2012.11.21)
國際整流器公司(IR)日前推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術。 (圖一)IR推出全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台 Gen8設計讓Vce(on) 能夠減少功耗，增加功率密度，以及提供耐用性

Diodes雙極電晶體採用新型PowerDI5封裝 (2010.03.25)
Diodes近日宣佈，推出第一批採用其微型PowerDI5表面安裝封裝的雙極電晶體。應用Diodes第五代矩陣射極技術，這些率先問世的12款NPN和PNP電晶體，能夠為設計人員大幅提高功率密度和減少解決方案的體積