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海力士打造清州廠為全球第一大NAND記憶體工廠 (2008.09.04)
海力士半導體位於韓國清州市、支援300mm（12吋）晶圓的新製造生產線M11落成，海力士並邀請當地政府官員等舉行完工典禮。
據了解，M11將採用40nm製程，用於生產16Gbit及32Gbit等高密度NAND快閃記憶體 |
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海力士清洲新NAND記憶體廠正式投產 (2008.08.31)
外電消息報導，韓國記憶體晶片製造商海力士（Hynix）日前表示，其在韓國清洲新建的新一代NAND快閃記憶體廠將正式投產，預計月產能將達到30萬片。
Hynix表示，新的清州記憶體廠，預計月產量將可達到30萬片，而依據進度來看，將有望在幾個月之後，把產能提高到50萬片左右 |
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英特爾宣布高效能SATA固態硬碟機計劃 (2008.08.21)
英特爾NAND產品事業群於英特爾科技論壇中說明市場高度期待的高效能固態磁碟SSD系列產品的規劃與時間表。此系列產品乃滿足針對筆記型、桌上型電腦、企業伺服器、儲存系統與工作站應用設計上的需求 |
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恆憶與海力士將延長5年NAND Flash合作計畫 (2008.08.19)
恆憶（Numonyx B.V.）和海力士半導體（Hynix Semiconductor）日前宣佈，將延長兩公司在NAND快閃記憶體升級產品和技術開發的合作計劃。據了解，兩公司未來將擴大NAND快閃記憶體產品和技術的合作開發範圍，並將為加快開發速度而進行經營資源的一體化 |
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TDK推出兼容U.DMA6的NAND Flash控制器 (2008.08.11)
TDK宣佈開發出GBDriver RA8系列NAND快閃記憶體控制器，該產品計劃於九月份開始銷售。
GBDriver RA8系列是用於U.DMA6的高速NAND控制器IC。該控制器支援單級單元（SLC）和多級單元（MLC）NAND快閃記憶體，實現了從128M字節到16G字節（SLC），和256M字節到32G字節（MLC）的高速快閃記憶體儲存容量 |
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美光將大舉進軍SSD市場 (2008.06.11)
美光科技（Micron）將大舉進軍SSD市場。據了解，美光在台灣舉辦記憶體日（Memory Day），除了宣佈將以34奈米生產高良率32Gb NAND快閃記憶體，也將大舉進軍32GB到128GB高容量固態硬碟（SSD）市場，而預計SSD將是未來NAND快閃記憶體的最大市場 |
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美光Memory Day 揭露NADA發展藍圖 (2008.06.11)
記憶體領導廠美光（Micron）10日在台舉行的「Memory Day」上表示，將持續在NAND記憶體製程上取得領先地位，除了提供目前已量產的50奈米產品外，並預計在今年第4季時，把34奈米製程的高容量NAND記憶體晶片推向市場 |
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Numonyx現身Computex 鎖定台灣嵌入式市場 (2008.06.04)
充滿話題性的恆憶(Numonyx)記憶體公司也在今年的Computex展上現身，除了正式向台灣宣布其成立消息外，同時也點明其在台灣的業務策略。未來Numonyx將主攻嵌入式應用市場，積極進入有線通訊業、汽車業、消費電子產業、製造業及電腦資訊業等領域 |
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東芝將以硬碟經驗發展多層NAND型SSD (2008.05.12)
東芝表示，未來將以多層化技術著手開發NAND型SSD固態硬碟。據了解，東芝社長西田厚聰在東京2008年度經營方針說明會上做了以上的表示。此外，在筆記型電腦市場上，將努力在2010～2011年獲得50％的市佔率 |
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Spansion力推MirrorBit ORNAND2架構開發計劃 (2008.04.24)
Spansion宣布在義大利米蘭設立其安全及先進技術事業部（Security and Advanced Technology Division；SATD）總部，以強化MirrorBit ORNAND2架構及安全產品策略的開發計劃。該部門將負責Spansion各種不同快閃記憶體安全解決方案的開發工作，並將MirrorBit技術拓展到目前NAND所服務的應用領域 |
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iSuppli：NAND銷售成長率由27％調降至9％ (2008.04.08)
次貸風暴對全球經濟以及消費者影響甚鉅，消費電子市場也深受影響，消費需求量持續減緩，市調公司iSuppli也因此調降了2008年全球NAND快閃記憶體銷售成長率的預估值。
NAND在2007年銷售額為139億美元，iSuppli預估2008年NAND銷售額可達152億美元，成長率為9％，遠低於原本估計的179億美元，27％的成長率 |
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大廠合資加持 恆憶進軍記憶體市場 (2008.04.02)
恆憶(Numonyx B.V.)宣佈正式成為一家獨立的半導體公司，其業務著重於NOR、NAND和RAM記憶體技術，以及最新的相變記憶體(PCM)技術，提供創新的記憶體解決方案。這家新公司將提供服務給生產各種包括行動電話、MP3播放器、數位相機、超級行動電腦(ultra-mobile computers)和其他高科技設備等各種消費性及工業電子產品的客戶 |
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ST、Intel及FRANCISCO的恆憶合資案完成交易 (2008.04.01)
意法半導體與英特爾及Francisco Partners公司宣佈日前公佈的Numonyx合資案已完成交易。交易完成後，意法半導體以NOR和NAND快閃記憶體的資產和業務資源（包括相變記憶體資源和NAND的合資公司），取得Numonyx(恆憶)48.6%的股權和1.556億美元的長期次級票券，這些長期票券將產生按適當的市場利率計算之利息收益 |
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東芝正式量產128GB多層NAND Flash固態硬碟 (2008.03.24)
位於美國的東芝電子（Toshiba America Electronic Components）近日宣佈，東芝將開始量產使用多層NAND快閃記憶體架構的固態硬碟（SSD）。這是該公司首次正式量產多層NAND快閃記憶體架構的固態硬碟晶片，預估最早上市出貨的產品將是嵌入式的128GB記憶體模組產品，重量約為15g |
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iSuppli:Q2將是08年下半年半導體市場的關鍵指標 (2008.03.10)
外電消息報導，市場研究公司iSuppli日前表示，原先預期2008年全球半導體市場的銷售收入將快速成長，成長率將從2007年的4.1%提高到7.5%。但由於價格疲軟與NAND快閃記憶體需求減少等因素，iSuppli預計將微幅下調今年半導體市場的成長預期 |
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東芝將投資興建兩座NAND Flash工廠 (2008.02.22)
東芝將投資興建兩座月產能40萬片NAND Flash工廠。據了解，東芝將於2009年春季分別在日本岩手縣北上市和三重縣四日市同時興建兩座工廠，並計畫於2010年正式量產。預計產能為每座工廠每月15萬～20萬片，總產能將達每月30萬～40萬片，而總投資額將超過1兆7000億日圓（約158億美元） |
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美光今年將推出35nm多層架構的SSD硬碟 (2008.01.23)
美光科技（Micron Technology）2008年將正式推出35奈米製程的多層架構的SSD（solid state drive）固態硬碟產品。據了解，美光2008年將著力於SSD業務上，以加速取代目前的傳統硬碟 |
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東芝和SanDisk共同發表43nm製程NAND Flash (2007.12.25)
東芝與美國SanDisk共同發表了採用43nm製程，和2bit/單元多層技術所生產的16Gbit NAND快閃記憶體。這種晶片面積僅120平方公厘，可封裝在超小型儲存卡microSD內。新產品配備了控制柵極驅動電路和存儲陣列上的電源匯流排，NAND串數延長至66個，並減小電路面積達9％以上 |
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海力士成功開發24層NAND Flash堆疊封裝技術 (2007.09.13)
海力士半導體（Hynix Semiconductor）成功開發出24層堆疊、每層厚度為25μm的NAND型快閃記憶體，總厚度為1.4mm的MCP多晶片封裝。這是在目前的MCP產品之中，堆疊層數最多的一次 |
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東芝和SanDisk合資的NAND Flash新廠完工啟用 (2007.09.07)
東芝和SanDisk共同在四日市舉行了NAND型快閃記憶體新廠（Fab4）完工啟用典禮。東芝社長西田厚聰表示記憶體業務是「利潤成長」目標具體化的表現，並表示Fab4廠擁有三個世界第一的頭銜 |
