NAND快閃記憶體的主流製程將在今年達到40奈米以下，這項新製程將讓NAND晶片讀寫速度提高1倍，正式跨入G世代，也讓NAND業者全力支持USB3.0發展，包括三星、東芝、英特爾等業者，都於CES展中宣示跨入USB3.0世代。

進入了40奈米以下的NAND新製程，讀取速度理論值已達每秒230MB（約1.84Gbps），寫入速度理論值達每秒 180MB（約1.44Gpbs），正式跨足1Gbps的高速境界。

不過，雖然終端記憶卡的讀寫速度理論值，已拉高至800Mbps以上，但目前市場上NAND的終端產品多屬USB2.0界面，最高480 Mbps的傳輸頻寬已然不敷使用，除了國際NAND供應商包括三星、海力士、東芝及新帝、英特爾及美光等要於CES展中宣佈進入USB3.0世代，國內廠商也紛紛發表新作，創見、威剛、勁永、金士頓等，都趁勢推出USB 3.0規格之記憶卡、隨身碟、固態硬碟（SSD）…等。由於規格轉換初期相容性問題總令人頭疼，勁永也推出USB3.0介面控制卡，即使是不支援USB3.0的主機板，也能藉由介面控制卡連接任何USB3.0產品。

隨著近期NAND價格回升，重拾信心的業者也開始願意提高投資額，據了解，Canon、Nikon等業者的浸潤式微影設備機台，至少一半都用以次世代NAND製程微縮。通路業者表示，三星及東芝的32奈米、英特爾及美光的34奈米等NAND晶片，今年第二季後將陸續量產出貨，台灣模組廠智原、創惟已經完成USB 3.0元件端控制晶片研發，本季起應可接到NAND業者訂單。

目前，智原USB 3.0實體層（PHY）已經獲得多家NAND控制晶片廠採用，ASIC晶片也將正式出貨。而創惟也在CES展出USB 3.0橋接晶片及集線器等產品。以速度取勝的NAND新製程，果然將已具熱度的USB3.0話題拉抬得更加火紅。