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意法半导体新款高压侧开关整合智慧多功能 提供系统设计高弹性 (2024.05.09)
全球半导体厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出八路高边开关兼具智慧功能和设计灵活性，每条通道导通电阻RDS(on)（典型值）仅110mΩ，拥有小尺寸，并确保系统效能，还能够节省PCB 空间
英飞凌针对汽车应用推出最低导通电阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飞凌科技（Infineon）推出最新先进功率 MOSFET 技术 OptiMOS 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显着提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm2SMD封装
Transphorm新型SuperGaN器件采用4引脚TO-247封装 (2024.01.18)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm推出两款采用4引脚TO-247封装的新型SuperGaN器件TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET，各别具有35毫欧和50毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能，因应高功率伺服器、可再生能源、工业电力转换领域的需求
英飞凌全新 CoolMOS S7T系列整合温度感测器性能 (2024.01.11)
英飞凌科技（Infineon）推出整合温度感测器的全新 CoolMOS S7T 产品系列，具有出色的导通电阻和高精度嵌入式感测器，能够提高功率电晶体接面温度感测的精度，适用於提高固态继电器（SSR）应用的性能和可靠性
碳化矽电子保险丝展示板提升电动汽车电路保护效能 (2023.12.25)
电动汽车开发设计人员现在正专注於增强高压保护电路的效能，并且提高可靠性，而电子保险丝作为电路保护解决方案不断发展，成为优先采用的方法。
ROHM推出SOT-223-3小型封装600V耐压Super Junction MOSFET (2023.12.12)
近年来随着照明用小型电源和泵浦用马达的性能提升，对於在应用中发挥开关作用的MOSFET小型化产品需求渐增。半导体制造商ROHM推出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」，适用於照明用小型电源、空调、泵浦和马达等应用
意法半导体STSPIN9系列新款高扩充性大电流马达驱动晶片量产 (2023.12.08)
全球半导体厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出STSPIN9系列大电流马达驱动晶片，首波推出两款产品，应用定位高阶工业设备、家电和专业设备。4.5A STSPIN948和5.0A STSPIN958整合PWM控制逻辑电路和58V功率级
Transphorm新款TOLT封装形式的SuperGaN FET提供更灵活的热管理 (2023.11.29)
Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧，为采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件
自走式电器上的电池放电保护 (2023.11.26)
使用MOSFET作为理想二极体，能够为新一代自动化电器提供稳健可靠的安全防护。
Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件
Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI应用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管（FET），导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案
ROHM推出5款全新超低导通电阻100V耐压Dual MOSFET (2023.08.22)
近年来，在通讯基地台和工控设备的应用领域，为了降低电流值并提高效率，以往的12V和24V系统逐渐转换为48V系统，电源电压呈提高趋势。半导体制造商ROHM针对通讯基地台和工控设备等风扇马达驱动应用，推出将二颗100V耐压MOSFET一体化封装的Dual MOSFET新产品
ST推出具备工业负载诊断控制和保护功能的电流隔离高边开关 (2023.08.21)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出一个八路输出高边开关产品系列。新产品具有电流隔离和保护诊断功能，导通电阻RDS(on)低於260mΩ，可提升应用的稳定性、效能、可靠性和故障恢复能力
高压分离式功率元件HV Si-MOSFET应用效能 (2023.08.01)
本文重点介绍Littelfuse提供2 kV以上的高压分离式功率元件HV Si-MOSFET。
英飞凌推出静态开关用的全新工业级和车规级高压超接面MOSFET (2023.07.31)
在静态开关应用中，电源设计着重於得以降低导通损耗、优化热性能、实现精简轻便的系统设计；英飞凌科技（Infineon）正扩大其CoolMOS S7 系列高压超接面（SJ）MOSFET 的产品阵容因应所需
英飞凌科技赋能创新解决方案 让电动乘用车电池重生续能 (2023.07.12)
德国STABL能源（STABL Energy）借助英飞凌科技（Infineon）的MOSFET产品，利用退役的电动乘用车电池打造固定式储能系统，首批固定式储能系统试点专案目前已在德国和瑞士投入使用
英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展 (2023.07.05)
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本
STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET 质量因数提升40% (2023.06.15)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）之新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET拥有极低的闸极━漏极电荷（QGD）和导通电阻RDS（on），质量因数（Figure of Merit，FoM）相较上一代同类产品提升40%
英飞凌CoolSiC功率模组 推动节能电气化列车迈向低碳化 (2023.06.05)
为了实现全球气候目标，交通运输必须转用更加环保的车辆，比如节能的电气化列车。然而，列车运行有严苛的运行条件，需要频繁加速和制动，且要在相当长的使用寿命内可靠运行
英飞凌针对汽车应用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飞凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列，作为最新一代适合汽车应用的功率MOSFET，提供多种无引脚、强固的功率封装。该系列产品采用了300毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比於其它采用微型封装的元件，具有显着的性能优势


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