CTIMES - 搜尋：HzO

突破記憶體密度瓶頸 CEA-Leti推出22奈米3D FeRAM (2026.06.16)
法國半導體研究機構CEA-Let日前於檀香山舉行的VLSI會議上，發表在22奈米製程節點上，利用創新的3D電容器架構展示了鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）。解決了長期限制FeRAM密度的瓶頸，使其能與揮發性記憶體競爭

興大和成大聯手打造全球首見懸浮式鐵電二維電晶體 (2025.07.04)
突破材料限制開啟建構晶片新局面。在國科會自然司、尖端晶體材料開發及製作計畫與A世代前瞻半導體專案計畫，以及教育部特色領域研究中心計劃的大力支持下，由中興大學與成功大學共組的研究團隊

CEA-Leti首次展示22奈米FD-SOI節點重新定位鐵電記憶體 (2024.12.11)
CEA-Leti工程師在IEDM論壇中首次展示了基於鉿鋯鐵電材料的可擴展電容平台，並將其整合到22奈米FD-SOI技術節點的後端製程(BEOL)中。這項突破性的成果代表了鐵電記憶體技術的重大進展，顯著提升了嵌入式應用程式的可擴展性，並將鐵電RAM (FeRAM)定位為先進節點的競爭性記憶體解決方案

掌握鐵電記憶體升級關鍵 imec展示最新介面氧化技術 (2022.12.06)
於本周舉行的2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一款摻雜鑭（La）元素的氧化鉿鋯（HZO）電容器，成功取得1011次循環操作與更佳的電滯曲線（電場為1.8MV/cm時，殘留極化值達到30μC/cm2），並減緩了喚醒效應

2020台灣創新技術博覽會為智慧未來領航 (2020.09.25)
專業技術創新加值化是各產業永續發展的基石，「2020年台灣創新技術博覽會」於9月24~26日於台北世貿一館盛大登場由經濟部、科技部、行政院農業委員會、國防部、教育部、勞動部、衛生福利部、行政院環境保護署、國家發展委員會、中央研究院聯合主辦

電子防潮成顯學 HZO 薄膜塗層提供新世代防水功能 (2018.12.04)
電子設備的防水已經是一門學問。市面上許多產品可以為電子產品提供防水功能，然而不是號稱具有防水功能，就能提供相同的防護效果。HZO 提供的「薄膜塗層解決方案（Thin-film coating solution）」

下一代手機新賣點：完全防水技術 (2012.02.02)
「水」，一向號稱電子產品的殺手，在手機漸趨高階、昂貴之際，消費者也越來越關心耐用與安全性的問題。根據外電指出，Apple與Samsung有意採用美國HzO公司所研發的防水技術(Water Block)，作為下一代手機的賣點

手機奈米薄膜不怕水 (2011.11.25)
一家叫作HzO的公司最近推出了一種奈米防水薄膜，在不用密封手機的情況下，可以將用戶的手機變成防水手機。方法是將用戶的手機用一種奈米製成的防水薄膜覆蓋在手機電路板上，以保護手機內的電路不受水的損害；且包括手機、平板電腦等一些電子設備都可以使用這個防水薄膜