 |
ST高效能功率MOSFET产品提升照明应用性能 (2006.12.06)
功率半导体产品制造商意法半导体(ST)，宣布推出新一系列功率MOSFET产品的第一款产品。新的功率MOSFET系列产品具备极低的ON-resistence及优异的动态和avalanche特性，可帮助客户大幅地降低其照明应用的传导损耗及强化其产品的效能和可靠性 |
 |
奈米世代可以研續摩爾定律嗎？ (2006.11.02)
奈米世代可以研續摩爾定律嗎？ |
 |
奈米世代下的半导体技术动向 (2006.10.04)
半导体元件的加工尺寸进入奈米世代，但利用微细化技术提高半导体元件性能的愿望一直不易实现，因此出现许多性能提升指标，其中利用歪斜（strain）效应与元件结构三次元化等技术最受嘱目 |
|
未来汽车之先进电子系统设计 (2006.09.05)
现今的汽车正把越来越多的电子产品整合进来。在 1995 到 2005 年间，汽车采用的半导体元件数量预期到 2009 年将增加至 425％，电子及电气设备在汽车中所占比重预计也将从目前的15％攀升到2015年的35％ |
|
准谐振返驰式电源设计探讨 (2006.08.07)
降低成本和增加可靠性是电源设计工程师的目标。利用准谐振技术可以协助设计工程师实现这些目标。准谐振或谷底开关能减轻MOSFET的设计压力，并进而提高其可靠性。本文将描述准谐振架构背后的理论及其实作方式，并说明这类反驰式电源的使用价值 |
|
简单闩锁式过电流错误侦测电路介绍 (2006.08.07)
简易闩锁式过电流错误侦测电路可以在输入电压超过2.7V的150μs后立即提供保护，同时也可以透过外部P信道切换开关的闸极电压限制在电源启动时带来冲入电流限制功能。本文将介绍应用于低电压电路保护，具备快速反应能力的简易过电流侦测电路 |
|
功率MOSFET PSPICE模型设计考量 (2006.04.01)
电源元件密度的持续增加与相关成本的持续压缩，在过去几年来对精确的热能设计提出了更严苛的要求。因此，有关热问题与电子系统效能间之相互影响的专有知识，是实现更具竞争力设计的关键 |
|
Linear新款充电控制器可充任何容量电容 (2006.02.21)
Linear发表一款专门设计以快速充电大电容至高达1000V的返驰控制器LT3750。LT3750可驱动一个外部高电流N信道MOSFET，并能在少于300ms的时间内对一个100uF电容充电至300V，使其成为专业照相闪光灯系统、RF 保全、库存控制系统及特定高压电源应用之理想选择 |
|
ST新款功率MOSFET STD95N04 (2006.02.21)
ST发表一款专为汽车市场设计的大电流功率MOSFET，该组件采用ST专利的STripFET技术，可实现超低导通电阻。全新的STD95N04是40V的标准逻辑位准DPAK组件，最大导通电阻（RDS(on)）仅6.5m奥姆 |
|
IR新MOSFET芯片组提高2％轻负载效率 (2006.02.10)
国际整流器（International Rectifier；IR）推出一对新型30V HEXFET功率MOSFET。相比于采用30V MOSFET的解决方案，它们可提供高出2％的轻负载效率，用于驱动最新Intel和AMD处理器中的45A、二相同步降压转换器，适用范围包括笔记簿型计算机及其他高效能计算机应用 |
|
替代传统共振方式 (2005.12.05)
电源供应器增加功率密度的压力与日俱增，于是在这前提下产生了数个需求：改善半导体和被动组件的效益及创新架构，以便从全新半导体组件之功能中获得有利的好处。本文将探讨最近发展的高压超接合面功率MOSFET以及硅晶碳化物Schottky二极管，并比较采用硬式切换或共振方式在性能、系统成本和可靠度方面的优缺点 |
|
选择正确的功率MOSFET封装 (2004.07.01)
当终端设备对于电源效率的需求越高，电源管理系统中更高效能的组件也越被重视。由于硅科技在进化的过程中，渐渐使封装成为组件达到更高效能的绊脚石，因此，为兼顾散热需求与效率，引进更先进的功率MOSFET封装势在必行 |
|
汽车电路保护技术概述 (2004.04.05)
汽车电子设备的设计必须具备防止反极性电源（reverse polarity），反极性电源的发生为当缆线连接到无电源、电池跨接错误或是新电池安装倒反的状态。本文就汽车的电子设备设计上，探讨干扰若干系统之功效的缺失，并分析建议其可以改进之处 |
 |
强化操作效率 Zetex提升MOSFET功率耗散 (2003.12.22)
Zetex推出全新20V和30V N信道晶体管，将旧型SOT23封装MOSFET的导通电阻减半、漏电流提升一倍，在25°C环境温度下功率耗散由625mW提升至1W。
新的ZXMN2A14F及ZXMN3A14F强化沟道MOSFET，采用Zetex SOT23封装，再加上接点至环境的热阻比旧型SOT23组件低37%，由每瓦特200°C锐减至125°C，这两款组件更可发挥极大的效益 |
|
电源启动顺序控制电路设计 (2003.11.05)
有许多应用需要在电源的开关过程中控制它的顺序，电源启动顺序控制能解决避免双载子集成电路在开关机过程中死锁效应的问题，本文将就开关机过程中达成特定周期的数种电源启动顺序控制的设计方式作介绍 |
|
三相位转换器之建置与操作 (2002.08.05)
以具有极度瞬间响应（transient response）的低电压供应稳定的电流，是IT电力管理的主要科技驱动器要素。本文将讨论目前提供电力给 GHz 等级与 CPU 时所需要之 DC-DC 转换器的特别要求、多相位拓朴学的优点，以及使用完整三相位同周期脉宽调变调节器集成电路的Intel VRM9.0 的建置情形 |
|
合乎成本效益的 20V MOSFET 技术 (2002.06.05)
今日分布式电源供应器工程师所面临的挑战，是必须在尺寸精巧、最低成本的条件下，设计出热、电效能良好的 DC-DC 转换器。本文将讨论如何采用20V MOSFET 取代 30V MOSFET ，以在合乎经济原则的情况下，设计出适用于桌面计算机及服务器的高效率 DC-DC 转换器 |
|
合乎成本效益的 20V MOSFET 技术 (2002.06.05)
今日分散式电源供应器工程师所面临的挑战，是必须在尺寸精巧、最低成本的条件下，设计出热、电效能良好的 DC-DC 转换器。本文将讨论如何采用20V MOSFET 取代 30V MOSFET ，以在合乎经济原则的情况下，设计出适用于桌上型电脑及伺服器的高效率 DC-DC 转换器 |
|
IR推出20V HEXFET MOSFET (2001.08.23)
国际整流器公司(IR)，全面扩展20V HEXFET功率MOSFET系列，引进10种新款产品，不但以更具成本效率的方式取代高容量桌面计算机中的30V组件，而且效能完全不变。全新20V IRL3714和IRL3715 MOSFET晶体管系列 |
|
IR发表新款HEXFET功率MOSFET晶体管系列 (2001.06.06)
IR推出全新HEXFET功率MOSFET晶体管系列
锁定低功率电讯与数据通讯市场
全球供电产品领导事业厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR），宣布推出产品代号为IRF5802与IRF7465的新型150V与200V MOSFET，不仅进一步扩展SOIC封装的HEXFET功率MOSFET晶体管系列，更能满足电信及数据通讯骨干系统中DC-DC转换器最低功率的需求 |
