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Diodes推出新型双MOSFET组合式组件 (2009.07.07)
Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816组件，它把一对互补性的100V增强式MOSFET结合于一个SO8封装，性能可以媲美体积更大的个别封装零件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括DC散热扇和反相器电路、D类放大器输出级，以及其他多种类型的48V应用 |
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Diodes推出新型MOSFET H桥组件 (2009.07.02)
Diodes公司推出四款H桥MOSFET封装，为空间有限的应用减少组件数量和PCB尺寸，显著简化DC散热扇和CCFL反相器电路的设计。
Diodes亚太区技术市场总监梁后权指出，ZXMHC零件采用SO8封装，设有两对互补型N和P信道MOSFET，可以取代四个分立的SOT23封装MOSFET或两个SO8互补型MOSFET封装 |
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英飞凌推出下一代 CoolMOS MOSFET (2009.06.29)
英飞凌科技宣布推出下一代 600V CoolMOS C6 系列高效能MOSFET。 600V CoolMOS C6 系列产品上市后，将可使功率因素校正 (PFC) 或脉宽调变级 (PWM stage) 等能源转换应用更具节能效益。 新的 C6 技术结合了最新超接面或补偿装置等多项优势 |
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IR推出增强型25V及30V MOSFET (2009.05.18)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出一系列新型的25V及30V N-信道沟道HEXFET功率MOSFET。它们针对同步降压转换器及电池保护增强了转换效能，适用于消费者和网络方面的计算机运算应用 |
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IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET (2009.05.06)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出一系列新型逻辑电平闸极驱动沟道HEXFET功率MOSFET，它们具有基准通态电阻（RDS（on））及高封装电流额定值，适用于高功率DC马达和电动工具、工业用电池及电源应用 |
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快捷薄型MicroFET MOSFET组件针对可携式应用 (2009.04.29)
快捷半导体公司（Fairchild Semiconductor）针对可携式应用的设计人员推出一款20V、体积为2mm x 2mm x 0.55mm的薄型MicroFET MOSFET组件，它具有业界最低的RDS(ON)。FDMA6023PZT是一款采用紧凑、薄型封装的双P信道MOSFET，能够满足可携式设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、更小的应用 |
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IR新款SmartRectifier IC提升系统效率1.5% (2009.04.22)
国际整流器公司（IR) 扩展其SmartRectifier IC阵营，推出为AC-DC功率转换器而设，适用于为高端LCD电视的IR1168。
这款200V双智能型能二次侧整流器驱动器IC，是为驱动在共振半桥式拓朴用作同步整流器（SR）的两枚N-信道功率MOSFET而设计 |
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AnalogicTech的限流负载开关可简化Hot Swap管理 (2009.03.30)
针对行动消费性电子组件提供电源管理半导体之开发者Advanced Analogic Technologies Incorporated（简称AnalogicTech）日前针对高压端负载开关应用推出新限流P信道MOSFET电源开关AAT4614 |
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Diodes全新OR'ing控制器打造可靠共享电源系统 (2009.03.25)
Diodes公司近日推出了新型的动态OR'ing控制器芯片ZXGD3102，它能帮助共享式电源系统的设计人员以高效率的MOSFET来代替散热阻挡二极管，进而在需要长期保持运行的电讯、服务器和大型计算机主机应用中，实现更低温的操作，同时减少维修的需要和提高可靠性 |
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Fairchild新款MicroFET MOSFET可延长电池寿命 (2009.03.24)
快捷半导体（Fairchild Semiconductor）推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 双N信道和单N信道MOSFET组件，可延长手机、电动牙刷和刮胡刀等应用中的电池寿命。
这两款产品采用具有高热效的2mm x 2mm x 0 |
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Vishay发表新型20V P信道第三代MOSFET (2009.03.10)
Vishay发表采用其新型p信道TrenchFET第三代技术的首款组件，该20V p信道MOSFET采用SO-8封装，具最低的导通电阻。
新型Si7137DP具有1.9mΩ（在10V时）、2.5mΩ（在4.5V时）和3.9mΩ（在 2.5V时）的超低导通电阻 |
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TI收购CICLON 拓展模拟电源管理产品线 (2009.02.24)
德州仪器（TI）宣布收购总部位于宾夕法尼亚州伯利恒的高频率高效率电源管理半导体领导设计公司 CICLON半导体组件公司（CICLON Semiconductor Device Corporation）。透过此次收购，TI将进一步提升包括高功率计算与服务器系统等在内的众多终端设备设计的用电效率 |
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NXP推出全新的绿色电源管理解决方案 (2009.02.09)
恩智浦半导体(NXP)推出一套全新的电源管理解决方案，可有效减少市场上桌面计算机和笔记本电脑的功耗。GreenChip PFC芯片、GreenChip同步整流控制器和一系列LFEPAK封装的30V功率MOSFET组件产品组合将于美国华盛顿的应用电源电子大会（APEC）发表 |
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ROHM推出高耐压MOSFET「F 系列」! (2009.02.06)
ROHM（罗姆电子）全新研发出最高性能的高耐压功率MOSFET「F 系列」，适用于液晶电视的背光模块Inverter、照明用Inverter﹑马达驱动器及切换式电源等使用桥式电路的各种应用 |
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安森美推出最新的ATX电源公开参考设计 (2009.02.05)
安森美半导体(ON)推出最新的ATX电源公开参考设计。ON表示这款255瓦(W)参考设计超越美国80 PLUS银级、“能源之星” 5.0版及计算机产业拯救气候行动计划(CSCI)第三阶段桌上型个人计算机(PC)的电源效能标准 |
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Vishay推出采用MICRO FOOT芯片级封装MOSFET (2009.02.02)
Vishay宣布推出首款采用MICRO FOOT芯片级封装的TrenchFET功率MOSFET，该器件具有背面绝缘的特点。
Si8422DB针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化 |
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Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET (2008.12.24)
Vishay宣布推出新型20-V和30-V p-信道TrenchFET功率MOSFET。该器件采用SO-8封装，具有±20-V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
现有的同类SO-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24 mΩ，而Si7633DP具有3.3 mΩ（在10 V时）及 5.5 mΩ（在4.5 V时）的超低导通电阻 |
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安捷伦推出具备曲线追踪仪功能的组件分析仪 (2008.12.24)
安捷伦科技（Agilent）宣布推出首款功率组件分析仪/曲线追踪仪整合解决方案，其可在高达3,000 V的电压和20 A的电流下对半导体组件进行特性分析。功率组件，包括功率管理IC（PMIC）和功率MOSFET以及车用马达控制IC，对于高功率与高准确度测试的需求与日俱增 |
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Diodes新款自我保护式MOSFET节省85%电路板空间 (2008.12.23)
Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出超小型的完全自我保护式低端MOSFET。该ZXMS6004FF组件采用2.3 x 2.8毫米的扁平式SOT23F封装，能节省85%的电路板空间。
扁平式SOT23F封装虽然小巧，但热性能却相当强劲 |
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IR全新基准MOSFET提升60%封装电流额定值 (2008.12.22)
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出具备高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
新组件的封装电流额定值达到195A，较典型封装电流额定值高出60% |
ISOC的全名是Internet SOCiety意即为因特网社团，是一个非营利的网络技术研发机构，由全球182个国家的150个组织与11,000名个别会员所组而成，其作用在于引领因特网的导向与制定因特网的规范。
