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Diodes推出12V新型P信道MOSFET (2011.12.15)
Diodes日前推出12V微型P信道强化型MOSFET—DMP1245UFCL，有助于提升电池效率和减少电路板空间，并满足空间受限的可携式产品设计要求，如智能型手机和平板计算机等。
这款新MOSFET采用超精密和高热效率的DFN1616封装，并具有极低的导通电阻（RDS(on)），能把传导损耗降至最低，以延长电池寿命 |
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ROHM运用硅深掘蚀刻技术推出全新超接面MOSFET (2011.11.29)
ROHM于日前宣布，推出全新低导通电阻之高耐压型功率MOSFET－R5050DNZ0C9，适合太阳能发电系统的功率调节器使用。随着节能议题愈来愈受到关注，其中，太阳能发电可谓是最具代表性的可回收能源，因此使得该市场在近年来不断地成长扩张 |
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瑞萨推出适用消费性马达驱动应用之功率半导体 (2011.08.03)
瑞萨电子（Renesas）于日前宣布，开发出100安培大电流功率MOSFET，适用于消费性产品中的马达驱动器，例如无线电动工具及动力辅助自行车，并藉此强化该公司功率半导体装置的整体产品线 |
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ST扩大第六代功率MOSFET産品系列 (2011.06.26)
意法半导体（ST）于日前宣布，扩大采用第六代STripFET技术的高效功率晶体管産品系列，爲设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。
ST表示，最新的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET，可承受高达80V的电压，可用于太阳能发电应用（如微型逆变器）、电信设备、网络设备以及服务器电源 |
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ST全新功率MOSFET提升汽车电气系统能效 (2011.06.13)
意法半导体（ST）于日前推出9款全新汽车级功率MOSFET，进一步扩大STripFET VI DeepGATE功率MOSFET産品组合，为新一代汽车实现能效、尺寸及成本优势。
高能效电气系统对于汽车制造商日益重要 |
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CISSOID新款N型MOSFET高温可达225°C (2011.04.22)
高温半导体方案供货商CISSOID日前宣布，推出新款双信道高温40V N型金氧半场效晶体管（N-channel MOSFET）CHT-MOON。
CISSOID表示，该款采表贴、小型、密封式陶瓷SOIC16封装。此新组件可帮助设计者达到最高的系统密度，它可开关高达2安培电流及提供与其他CHT产品一样，是一个可于-55°C至+225°C连续操作的解决方案 |
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士兰微电子推出新一代高压MOSFET F-Cell系列 (2011.04.07)
士兰微电子近日宣布，推出新一代高压MOSFET产品——F-Cell系列高压MOSFET。这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品，工作电压可以覆盖400V—900V区间 |
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瑞萨电子推出小型封装之高性能车用功率MOSFET (2011.03.08)
瑞萨电子近日宣布，推出32款容许电压为40及55伏特（V）之新型N信道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效晶体管）。新款功率MOSFET包括采用小型HSON封装的NP75N04YUK产品，安装面积为现有TO-252封装的一半，可处理75安培（A）的电流 |
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Linear推出高速、高输入同步MOSFET闸极驱动器 (2011.02.28)
凌力尔特（Linear）于日前宣布，推出新款H 等级版本的LTC4444/-5，其为高速、高输入供应电压 (100V) 同步 MOSFET闸极驱动器，专为在同步整流之转换器架构中，驱动较高和较低侧N 信道MOSFET 而设计 |
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瑞萨电子新高压电源MOSFET 可减少52%导通损失 (2011.02.01)
瑞萨电子近日宣布，推出能为电源供应器提供超高效率的高压N-channel电源金属氧化半导体场效晶体管（MOSFET）产品--RJK60S5DPK。新的电源MOSFET能减少PC服务器、通讯基地台以及太阳能发电系统的耗电量 |
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瑞萨公布新策略 预计达成两位数平均年成长率 (2010.10.28)
瑞萨电子近日发表其强化功率半导体事业之新策略。瑞萨电子功率半导体事业规模约占该公司三大核心事业群中模拟及功率半导体（A&P）事业部门的四分之一。
瑞萨电子计划采取以下策略：
(1)强化从低电压至高电压功率半导体之产品内容
瑞萨电子将进一步强化2010年4月NEC电子与瑞萨科技合并所实现的广大产品内容 |
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下一代低VCE sat双极电晶体 (2010.10.12)
近年来，中功率双极电晶体在饱和电阻及功率选择范围上的重大改进，大幅扩展此类元件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装型中功率电晶体BISS 4充分凸显双极电晶体的技术优势，为开关应用提供更高的功率与更低损耗，并开创新的应用领域 |
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瑞萨电子新款功率半导体 可使安装面积减半 (2010.10.06)
瑞萨电子近日发表RJK0222DNS及RJK0223DNS之开发作业，这两款功率半导体采用超小型封装，可使用于DC/DC转换器，供电给服务器及笔记本电脑等产品之CPU、内存及其他电路区块 |
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瑞萨全新功率MOSFET因应电流量新需求 (2010.09.16)
瑞萨电子近日宣布，推出最新第12代功率MOSFET产品RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA，为适用于一般负载点（POL）、基地台、计算机服务器及笔电DC/DC转换器中之功率半导体装置 |
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英飞凌推出ThinPAK 8x8无铅SMD封装的高压MOSFET (2010.05.07)
飞凌日前宣布推出新型 ThinPAK 8x8 无铅 SMD 封装的高压 MOSFET。新型封装面积仅有 64mm² （小于 D2PAK 的 150mm²），且高度仅 1mm（低于 D2PAK 的 4.4mm），不但尺寸极小，又具备标准的低寄生电感，为设计人员提供一个全新且有效缩小系统方案尺寸的功率密度设计 |
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提升汽车应用 NXP采用LFPAK封装MOSFET系列 (2010.04.29)
恩智浦半导体（NXP）近日成为第一家采用LFPAK封装（一种小型热增强的无损耗封装）的全系列汽车功率MOSFET供货商。结合恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新型符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET被认为是功率SO-8封装 |
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ROHM针对电池驱动行动装置 新增0.9V驱动阵容 (2010.03.22)
ROHM近日宣布，针对行动音响、录音笔、电子辞典、随身收音机、电子玩具等，行动装置电源电路用MOSFET“ECOMOS”系列扩增其产品阵容，新增首创0.9Ｖ驱动产品。
此新产品已经开始样品出货（样品价格10日圆／个），预定自2010年2月下旬开始量产 |
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快捷推出高效率、节省空间的N沟道MOSFET器件 (2010.03.16)
因应手机、可携式医疗设备和媒体播放器等可携式应用设备的设计和组件工程师对在其设计中加入高效、节省空间的器件的需求，快捷半导体（Fairchild）推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用先进的PowerTrench制程技术，具有更低的RDS（ON），更高的效率，并可延长电池寿命 |
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英飞凌推出OptiMOS稳压MOSFET及DrMOS系列产品 (2010.03.08)
英飞凌科技近日于美国加州举办的「2010 应用电力电子研讨会暨展览会」上，宣布推出新款OptiMOS功率MOSFET系列产品。英飞凌所推出的OptiMOS 25V系列装置经过优化，适合应用于计算机服务器电源之稳压及电信/数据通讯之开关 |
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CISSOID引入新系列P信道高温功率MOSFET晶体管 (2010.03.01)
高温半导体解决方案的CISSOID，引进VENUS的新系列高温30V的P信道功率MOSFET晶体管，其保证操作在摄氐负55度到225度之间。P信道功率MOSFETs的VENUS系列命名为CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008，其最大漏电流额定分别为2A、4A及8A |
ITU最主要的工作就是制定无线传输设施的相关规范，例如手机、飞航通讯、航海通讯、卫星通讯系统、广播电台和电视台等无线传输设施，
