 |
格棋化合物半導體榮獲第22屆台灣金根獎 (2026.06.10)
台灣碳化矽（SiC）材料廠格棋化合物半導體獲第22屆台灣金根獎肯定。台灣金根獎以「深耕台灣、佈局全球」為核心精神，表揚以台灣為營運根基、具備國際市場拓展能力與產業競爭力的企業 |
|
英飛凌達成8吋碳化矽晶圓新里程碑：開始交付首批產品 (2025.02.18)
英飛凌科技股份有限公司在8 吋碳化矽(SiC) 產品路線圖上取得重大進展。將於2025年第一季度向客戶供貨首批採用先進8 吋 SiC晶圓製程的產品。這些產品在位於奧地利菲拉赫的生產基地製造，將為高壓應用領域，包括再生能源系統、軌道運輸和電動車等，提供業界領先的SiC電源技術 |
 |
英飛凌達成8吋碳化矽晶圓新里程碑：開始交付首批產品 (2025.02.18)
英飛凌科技股份有限公司在8 吋碳化矽(SiC) 產品路線圖上取得重大進展。將於2025年第一季度向客戶供貨首批採用先進8 吋 SiC晶圓製程的產品。這些產品在位於奧地利菲拉赫的生產基地製造，將為高壓應用領域，包括再生能源系統、軌道運輸和電動車等，提供業界領先的SiC電源技術 |
|
英飛凌首創12吋氮化鎵功率半導體製程技術 推動市場快速增長 (2024.09.11)
英飛凌科技（Infineon）宣佈成功開發出全球首創12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握此一技術的企業，這項突破將大幅推動GaN功率半導體市場的發展 |
|
英飛凌首創12吋氮化鎵功率半導體製程技術 推動市場快速增長 (2024.09.11)
英飛凌科技（Infineon）宣佈成功開發出全球首創12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握此一技術的企業，這項突破將大幅推動GaN功率半導體市場的發展 |
|
聯電首推22eHV平台促進下世代智慧型手機顯示器應用 (2024.06.21)
聯華電子新推出22奈米嵌入式高壓（eHV）技術平台，為先進的顯示器驅動晶片解決方案，推動未來高階智慧型手機和移動裝置顯示器的發展。22eHV平台具有電源高效能，，協助客戶開發體積更小、效能更高的顯示器驅動晶片，為行動裝置製造商提高產品電池壽命，同時提供最佳化的視覺體驗 |
|
聯電首推22eHV平台促進下世代智慧型手機顯示器應用 (2024.06.21)
聯華電子新推出22奈米嵌入式高壓（eHV）技術平台，為先進的顯示器驅動晶片解決方案，推動未來高階智慧型手機和移動裝置顯示器的發展。22eHV平台具有電源高效能，，協助客戶開發體積更小、效能更高的顯示器驅動晶片，為行動裝置製造商提高產品電池壽命，同時提供最佳化的視覺體驗 |
 |
雷射輔助切割研磨碳化矽效率 (2023.12.26)
台灣廠商還具備過去多年來於矽基半導體產業累積的基礎，且有如工研院等法人單位輔導，正積極投入建立材料開發、雷射輔助加工製程等測試驗證平台和服務，將加速產業聚落成型 |
|
英飛凌針對汽車應用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飛凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列，作為最新一代適合汽車應用的功率MOSFET，提供多種無引腳、強固的功率封裝。該系列產品採用了300毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比於其它採用微型封裝的元件，具有顯著的性能優勢 |
 |
英飛凌針對汽車應用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飛凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列，作為最新一代適合汽車應用的功率MOSFET，提供多種無引腳、強固的功率封裝。該系列產品採用了300毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比於其它採用微型封裝的元件，具有顯著的性能優勢 |
|
ST：內部擴產與製造外包並進 全盤掌控半導體供應鏈 (2023.05.18)
技術研發和製造策略是ST達成營收目標的關鍵要素之一。透過不斷投資具有競爭力的專利技術，擴大內部產能，輔之以外包加工。這是ST在半導體策略上的致勝關鍵。 |
|
ROHM確立超高速驅動控制IC技術 更大程度發揮GaN性能 (2023.03.22)
ROHM確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度發揮GaN等高速開關元件的性能。近年來，GaN元件因具有高速開關的特性優勢而被廣泛採用，然而，如何提高控制IC（負責GaN元件的驅動控制）的速度已成為亟需解決的課題 |
|
ROHM確立超高速驅動控制IC技術 更大程度發揮GaN性能 (2023.03.22)
ROHM確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度發揮GaN等高速開關元件的性能。近年來，GaN元件因具有高速開關的特性優勢而被廣泛採用，然而，如何提高控制IC（負責GaN元件的驅動控制）的速度已成為亟需解決的課題 |
|
英飛凌與Resonac於碳化矽材料領域展開多年期供應及合作協議 (2023.01.30)
英飛凌科技與其碳化矽 (SiC) 供應商擴展合作關係，宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應及合作協議，以補充並擴展雙方在 2021年的協議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作，根據合約內容，Resonac將供應英飛凌未來10年預估需求量中雙位數份額的SiC半導體 |
|
英飛凌與Resonac於碳化矽材料領域展開多年期供應及合作協議 (2023.01.30)
英飛凌科技與其碳化矽 (SiC) 供應商擴展合作關係，宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應及合作協議，以補充並擴展雙方在 2021年的協議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作，根據合約內容，Resonac將供應英飛凌未來10年預估需求量中雙位數份額的SiC半導體 |
|
鈺創研發能量國際發光 去識別化AI身分驗證獲CES 2023創新獎 (2022.12.29)
成立迄今已逾31年之鈺創科技，立足於台灣竹科，受惠於新竹科學園區持續建立優良產業環境促進廠商不斷創新且研發成果具體收效。科管局持續鼓勵廠商進駐園區從事研究發展，進而獲取專利保護技術開發成果，促進台灣半導體產業與全球鏈結蓬勃發展 |
|
鈺創研發能量國際發光 去識別化AI身分驗證獲CES 2023創新獎 (2022.12.29)
成立迄今已逾31年之鈺創科技，立足於台灣竹科，受惠於新竹科學園區持續建立優良產業環境促進廠商不斷創新且研發成果具體收效。科管局持續鼓勵廠商進駐園區從事研究發展，進而獲取專利保護技術開發成果，促進台灣半導體產業與全球鏈結蓬勃發展 |
|
筑波分享WBG半導體材料測試方案 助力低碳SiC晶圓技術創新 (2022.09.23)
工研院「循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新講座」，邀請碳化矽晶圓材料與製程廠商代表與會，期望藉由此課程交流機會，提升產業低碳碳化矽長晶技術能量。筑波集團董事長許深福分享「WBG半導體材料測試挑戰與方案」，如何提升測試技術、確保製程品質、降低成本及加速產品上市時間為需克服的挑戰 |
|
筑波分享WBG半導體材料測試方案 助力低碳SiC晶圓技術創新 (2022.09.23)
工研院「循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新講座」，邀請碳化矽晶圓材料與製程廠商代表與會，期望藉由此課程交流機會，提升產業低碳碳化矽長晶技術能量。筑波集團董事長許深福分享「WBG半導體材料測試挑戰與方案」，如何提升測試技術、確保製程品質、降低成本及加速產品上市時間為需克服的挑戰 |
|
意法半導體推出混合雙快門影像感測器 提供全方位車艙監控 (2022.09.22)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）為車商提供駕駛監控系統（Driver-Monitoring Systems，DMS），以評估駕駛注意力的集中度，確保道路行駛安全。
意法半導體現推出之下一代混合雙快門影像感測器能監測車輛內部 |
