CTIMES - 搜尋：磁性記憶體

紐約大學理工學院和法國CEA-Leti合作開發12吋晶圓磁性記憶體元件 (2024.06.25)
紐約州立大學理工學院(NYCREATES)和法國電子暨資訊技術實驗室(CEA-Leti)，宣布建立戰略研發夥伴關係，初期將聚焦於用於儲存電腦數據的磁性記憶體元件的研發，並將在300mm晶圓上進行生產

國研院攜手台積電成功開發磁性記憶體技術 (2024.02.20)
國研院半導體中心今（20）日也宣佈與台積電合作開發的「選擇器元件與自旋轉移力矩式磁性記憶體整合」（Selector and STT-MRAM Integration），於2023年12月電子元件會議IEDM（International Electron Devices Meeting）中發表，並獲選為Highlight Paper，成為全世界極少數成功開發出高密度、高容量的獨立式STT-MRAM製作技術團隊

工研院與台積合作開發SOT-MRAM 降百倍功耗搶HPC商機 (2024.01.17)
面對現今人工智慧（AI）、5G構成的AIoT時代來臨，包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用須快速處理大量資料，要求更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為各家大廠研發重點

國科會114年度科技預算增至1800億元拓展AI晶片與資安實力 (2024.01.17)
國家科學及技術委員會(國科會)於今(17)日召開第9次委員會議，並提報「114年度政府科技發展重點規劃」，將重點投入晶創臺灣方案、淨零科技及太空科技等，並強化培育頂尖優秀科研人才

工研院與陽明交大、清大發表新型磁性記憶體與110GHz超高頻技術 (2023.06.15)
工研院分別攜手國立陽明交通大學與國立清華大學，在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）、IEEE國際微波會議（IEEE／MTT-S International Microwave Symposium；IMS），發表新型磁性記憶體與110GHz超高頻模型技術成果

經濟部發表新研發成果領先三星推出最快磁性記憶體 (2022.09.14)
經濟部技術處SEMICON Taiwan科技專案成果主題館於今（14）日在「2022 SEMICON Taiwan」台北南港展覽館一館四樓N0662攤位正式登場！共展出33項創新技術！首先最吸睛的技術，是由工研院攜手多家台灣大廠，完成世界最快的SOT-MRAM陣列晶片，達成0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫的高耐受度，效能領先南韓大廠20%

聯電攜手Avalanche 推出航太用高密度P-SRAM裝置 (2022.09.13)
半導體晶圓廠商聯華電子與專精於MRAM技術的創新公司 Avalanche Technology於今（13）日推出具有高可靠度的持續性靜態隨機存取記憶體（Persistent Static Random Access Memory；P-SRAM）

工業儲存技術再進化！ (2022.08.26)
近年來，半導體先進製程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據

工研院攜手台積、陽明交大在VLSI發表頂尖磁性記憶體技術 (2022.06.15)
工研院在今（15）日宣布，與台積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）陣列晶片；另外，工研院也攜手國立陽明交通大學，研發出工作溫度橫跨近400度之新興磁性記憶體技術

為台灣嵌入式記憶體技術奠基國研院發表SOT-MRAM研發平台 (2021.11.09)
國研院半導體中心，今日舉行次世代嵌入式記憶體技術，「自旋軌道力矩式磁性記憶體（SOT-MRAM）」研究成果發表會。該記憶體採用垂直異向性的結構，不僅電耗更低、體積更小，同時讀寫的速度也更快，能夠整合至高性能的邏輯IC之中，進一步實現下世代的處理器晶片

2021 VLSI聚焦記憶體內運算與AI晶片台灣供應鏈優勢再現 (2021.04.20)
國際超大型積體電路技術研討會（VLSI）是台灣半導體產業的年度盛事，今（20）日在經濟部技術處的支持下2021 VLSI順利登場，今年焦點落在目前市場最熱門的AI晶片、新興記憶體、小晶片（chiplet）系統、量子電腦、半導體材料、生物醫學電子等最新技術進展