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日本OIST發表全新簡化高NA EUV設計 大幅降低半導體功耗與成本 (2026.06.18)
沖繩科學技術大學院大學（OIST）新田特束教授17日於《微/奈米圖案化、材料與計量學期刊》（JM3）發表一項創新性的光學硬體破局技術，宣布對高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）曝光機的照明與投影系統進行激進重構，解決半導體光學功耗與昂貴資本支出瓶頸 |
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先進製造佈局 半導體與工具機的共生演進 (2026.04.08)
隨著2026年生成式AI正式由雲端大模型（Cloud AI）轉向更具即時性、隱私性的地端代理人（Agent AI）與物理人工智慧（Physical AI），全球對於算力的定義正在發生質變。 |
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金屬中心攜手SUSS布局高精度曝光對位技術 強化先進封裝設備能量 (2026.03.16)
金屬中心與德商SUSS簽署MOU
(圖一)金屬中心副執行長林烈全與德商休斯微技術公司(SUSS) 總經理高正? 簽署合作備忘錄，共同布局次世代高精度曝光定位技術。
攜手布局次世代高精度曝光對位技術
在人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）與5G應用快速推進下，先進封裝與奈米級製程技術的重要性日益提升 |
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金屬中心攜手SUSS布局高精度曝光對位技術 強化先進封裝設備能量 (2026.03.16)
金屬中心與德商SUSS簽署MOU
攜手布局次世代高精度曝光對位技術
在人工智慧（AI）、高效能運算（HPC）與5G應用快速推進下，先進封裝與奈米級製程技術的重要性日益提升 |
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imec光阻劑減量：MOR曝光後烘烤步驟注入氧氣成為產量關鍵推手 (2026.03.03)
日前舉行的2026年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography + Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示在EUV微影曝光後步驟精準控制氣體成分有助於盡量減少所需的曝光阻劑，進而推動晶圓產量增加 |
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imec光阻劑減量：MOR曝光後烘烤步驟注入氧氣成為產量關鍵推手 (2026.03.03)
日前舉行的2026年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography + Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示在EUV微影曝光後步驟精準控制氣體成分有助於盡量減少所需的曝光阻劑，進而推動晶圓產量增加 |
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Canon噴墨式平坦化技術 為先進製程帶來成本革命 (2026.01.13)
長期以來，晶圓在多層堆疊過程中，表面會產生細微的起伏，這會導致光學曝光時出現失焦，進而造成電路缺陷。傳統上，業界依賴化學機械研磨（CMP）來磨平晶圓，但隨著製程邁向 2 奈米甚至更深層，CMP 的精度已逐漸遇到瓶頸 |
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Canon噴墨式平坦化技術 為先進製程帶來成本革命 (2026.01.13)
長期以來，晶圓在多層堆疊過程中，表面會產生細微的起伏，這會導致光學曝光時出現失焦，進而造成電路缺陷。傳統上，業界依賴化學機械研磨（CMP）來磨平晶圓，但隨著製程邁向 2 奈米甚至更深層，CMP 的精度已逐漸遇到瓶頸 |
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韓國晶片大廠擴產潮啟動 供應鏈再迎新一波成長動能 (2025.11.19)
韓國半導體產業再度吹起擴張號角。根據報導，韓國兩大晶片製造商近期針對先進製程與記憶體產能展開大規模投資，帶動整體供應鏈期待升溫，形成一股向外擴散的產業活水 |
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韓國晶片大廠擴產潮啟動 供應鏈再迎新一波成長動能 (2025.11.19)
韓國半導體產業再度吹起擴張號角。根據報導，韓國兩大晶片製造商近期針對先進製程與記憶體產能展開大規模投資，帶動整體供應鏈期待升溫，形成一股向外擴散的產業活水 |
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imec採用High-NA EUV單次圖形化 展示20奈米金屬導線電性良率 (2025.03.04)
日前舉行的國際光電工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示首次在20奈米間距金屬導線結構上取得的電性測試（electrical test）結果，這些結構經過高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）的單次曝光之後完成圖形化 |
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imec採用High-NA EUV單次圖形化 展示20奈米金屬導線電性良率 (2025.03.04)
日前舉行的國際光電工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示首次在20奈米間距金屬導線結構上取得的電性測試（electrical test）結果，這些結構經過高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）的單次曝光之後完成圖形化 |
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雷射干涉儀實現線型馬達平台 位移即時補償回授控制 (2024.10.29)
本文說明透過雷射干涉儀選用裝設有內建增量式光學尺的商用線型馬達移動平台，搭配驅動控制器進行定位精度的分析與比較。 |
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進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性 |
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imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
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imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
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ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室 (2024.06.05)
比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）曝光機原型TWINSCAN EXE:5000以及相關的製程和量測工具 |
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ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室 (2024.06.05)
比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）曝光機原型TWINSCAN EXE:5000以及相關的製程和量測工具 |
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Imec展示高數值孔徑EUV生態系統進展 率先導入ASML曝光機 (2024.02.26)
於本周舉行的2024年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）將呈現在極紫外光（EUV）製程、光罩和量測技術方面取得的進展，這些技術都在為實現高數值孔徑（high-NA）EUV微影應用而籌備 |
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Imec展示高數值孔徑EUV生態系統進展 率先導入ASML曝光機 (2024.02.26)
於本周舉行的2024年國際光學工程學會（SPIE）先進微影成形技術會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）將呈現在極紫外光（EUV）製程、光罩和量測技術方面取得的進展，這些技術都在為實現高數值孔徑（high-NA）EUV微影應用而籌備 |
