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UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin连接器件 (2018.12.04)
Sic功率半岛制造商UnitedSiC宣布扩展UF3C FAST产品系列，并推出采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense封装的全新系列650 V和1200 V高性能碳化矽FET器件，新产品基於高效的共源共栅配置，可为设计人员提供非常快的开关速度和较高的功率，并且其封装能够满足高功率应用的散热要求 |
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兼具高效能与可靠性 英飞凌打造新一代SiC元件 (2018.10.04)
随着能源议题逐渐被重视，碳化矽绝对是能源产业的明日之星。英飞凌专注于发展碳化矽沟槽式架构，兼顾可靠性与高效能，并不断精进产能与良率，让碳化矽功率元件可以进一步普及 |
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看准SiC低耗能、高效率 罗姆将其用于赛车逆变器 (2018.10.04)
罗姆于碳化矽制程以有18年的经验，除了常见的将碳化矽元件使用于新能源及电动车上之外，罗姆于2016年也与Venturi Formula E团队合作，将SiC功率元件使用于赛车的逆变器中 |
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意法半导体电隔离栅极驱动器 控制并保护SiC、MOSGET、IGBT (2018.08.15)
意法半导体（STMicroelectronics）的STGAP2S单路隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，能让使用者选择独立的导通／关断输出或内部主动米勒钳位功能，其可使用於各种开关拓扑控制碳化矽（SiC）或矽MOSFET和IGBT功率电晶体 |
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Wolfspeed推出首个满足汽车AEC-Q101标准的SiC器件系列 (2018.08.09)
科锐旗下Wolfspeed宣布推出E-系列碳化矽（SiC）半导体器件，这一新型产品家族针对电动汽车EV和可再生能源市场，能够为车载汽车功率转换系统、非车载充电、太阳能逆变器和其它户外应用提供目前最高的功率密度和长期可靠性 |
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英飞凌发表CoolSiC MOSFET产品 兼具高性能与可靠度 (2018.07.24)
德国半导体元件商英飞凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭载CoolSiC技术的MOSFET系列产品，透过其独特的碳化矽 (SiC) 沟槽式 (Trench) 技术，提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的电源解决方案 |
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Littelfuse SiC萧特基二极体降低能源成本和空间要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247萧特基二极体和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263萧特基二极体，扩充其碳化矽电源半导体产品组合。
相比矽二极体，GEN2碳化矽萧特基二极体可显着降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性 |
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Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促进电动车市场发展 (2018.06.26)
科锐旗下Wolfspeed於近日宣布推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，为电动汽车动力传动系统带来性能突破。
这一开关元件能够实现高电压功率转换，进一步巩固Wolfspeed在电动汽车生态系统解决方案领域的领先地位 |
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英飞凌推出车用CoolSiC肖特基二极体 结合效能与耐用性 (2018.06.19)
英飞凌科技股份有限公司首款车用碳化矽系列CoolSiC肖特基二极体系列於日前PCIM展会上亮相，该款肖特基二极体已准备就绪，可用於目前和未来油电混合车和电动车中的车载充电器 (OBC) 应用 |
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美高森美推出专门用於SiC MOSFET的极低电感SP6LI封装 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 发布专门用於高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模组的极低电感封装。
这款全新封装专为用於其SP6LI 产品系列而开发，提供适用於SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感，同时实现高电流、高开关频率以及高效率 |
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美高森美下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二极体产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 萧特基势垒二极体(SBD)和相应的裸晶片 |
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ROHM於福冈增建新厂房 扩大SiC功率元件产能 (2018.04.19)
半导体制造商ROHM决定在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县）的筑後工厂增建新厂房，以因应日渐升高的SiC功率元件生产需求。
该新厂房为地上3层建筑，总建筑面积约11,000平方米 |
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ADI与Microsemi推出用於 SiC功率模组的高功率隔离闸极驱动器板 (2018.03.07)
亚德诺(ADI)与Microsemi Corporation近日共同推出首款用於半桥SiC功率模组的高功率评估板，该评估板在200kHz开关频率时可提供最高1200V电压及50A电流。隔离板旨在提高设计可靠性，同时减少创建额外原型的需求，为电源转换和储能客户节省时间、降低成本并缩短上市时程 |
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化合物半导体技术升级 打造次世代通讯愿景 (2017.08.24)
2016 年至 2020 年 GaN 射频元件市场复合年增长率将达到4%，如何积极因应此一趋势，善用本身优势布局市场，将是台湾半导体产业这几年的重要课题。 |
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扩增全碳化矽功率模组阵容 协助高功率应用程序 (2017.05.17)
ROHM使用新研究封装在IGBT模组市场中成功扩增涵盖100A到600A等主要额定电流范围的全SiC模组阵容，可望进一步扩大需求。 |
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东芝推出第二代650V碳化矽萧特基位障二极体 (2017.01.23)
东芝半导体与储存产品公司宣布推出第二代650V碳化矽(SiC)萧特基位障二极体(SBDs)，该产品提升了公司现行产品的涌浪顺向电流(IFSM)约70%。 8个碳化矽萧特基位障二极体的新产品线也即将出货 |
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东芝推出第二代650V碳化矽肖特基势垒二极体 (2017.01.13)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基势垒二极体(SBD)，该二极体将该公司现有产品所提供的顺向浪涌电流(IFSM)提高了约70%。新系列八款碳化矽肖特基势垒二极体出货即日启动 |
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[专栏]GaN、SiC功率元件带来更轻巧的世界 (2016.08.10)
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板 |
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英飞凌 8.5 亿美元现金收购 Wolfspeed (2016.07.18)
英飞凌科技（Infineon）与Cree公司宣布英飞凌已签订最终协议，将收购 Cree 旗下的 Wolfspeed 功率与射频部门 (「Wolfspeed」)，此收购包括功率与射频功率的 SiC 晶圆基板事业。此全额现金支付的交易的收购金额为 8.5 亿美元 (约 7.4 亿欧元) |
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高突波电流耐受量SiC萧特基二极体能大幅度改善运转时效 (2016.06.28)
SiC元件的材料物性好，已经逐渐为上述应用装置所采用。尤其是伺服器等须提升电源效率的装置，电源上使用SiC-SBD产品，就能充分发挥该产品的高速回复特性，运用在PFC电路后，可望进一步提升装置的效率 |
